一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法技术

本发明专利技术涉及一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，属于化学检测分析技术领域。本发明专利技术的方法包括以下步骤：S1、向微波消解管内加入混合酸；S2、将微波消解管放入微波消解仪，进行微波清洗；S3、取出微波消解管，向微波消解管内加入水，将混合酸稀释成混合酸液；S4、对超声仪进行预热，然后将微波消解管放入超声仪，进行超声处理；S5、取出微波消解管进行水洗，晾干，完成清洗。本发明专利技术的方法在加入混合酸后放入消解仪可以溶解痕量金属杂质，因为微波消解仪辐射产生的高温高压，会更大程度的将金属杂质溶出，然后溶解到强酸溶液中。随后加入水，再在高温中进行超声，会加速溶解金属杂质，达到清洗消解管的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学检测分析，尤其涉及一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法。

技术介绍

1、随着半导体工艺的发展，芯片的集成度不断提高，器件尺寸持续的缩小，对电子材料的要求越来越高，尤其是在镀膜、光刻胶等领域。原子层沉积(ald)是一种在气相中使用连续化学反应的薄膜形成技术，能够在原子层水平上精确控制膜厚度，且制备的薄膜纯度高、均匀性及保行性好，因此备受关注。由于ald源的纯度对镀膜的影响巨大，因此在ald源的杂质控制就尤为重要。ald源在纯度检测过程中最大的难点在于ald源本身基体就是金属有机物，常规的方法不能将ald源溶解成溶液，必须要通过高温高压的微波消解仪才能将ald源溶解后配置成溶液进行检测。而在消解得过程中由于是在高温高压的情况下，部分痕量的杂质元素会逐渐吸附在消解管管壁和管底导致消解管无法彻底清洗干净。这样导致的后果是每次消解过程中消解管的杂质会因为高温高压不断的溶出吸附，导致下次分析结果出现偏差。且由于icp-ms对耐盐的局限性，产品都是在稀释100-1000倍的情况下进行测试。这样测试产生的结果偏差会倍数放大。消解管清洗是痕量分析中的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，在S1中，所述混合酸的用量为5mL-10mL。

3.根据权利要求1所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，在S1中，所述混合酸包括硝酸和氢氟酸。

4.根据权利要求3所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的体积比为2-5:1。

5.根据权利要求4所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的体积比为2:1。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，在s1中，所述混合酸的用量为5ml-10ml。

3.根据权利要求1所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，在s1中，所述混合酸包括硝酸和氢氟酸。

4.根据权利要求3所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的体积比为2-5:1。

5.根据权利要求4所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，所述硝酸和氢氟酸的体积比为2:1。

6.根据权利要求1所述的清洗微波消解管里痕量杂质元素的方法，其特征在于，在s2中，所述微波清洗分为三个阶段，第一阶段是100℃-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华，
申请(专利权)人：苏州源展材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：