一种引线框架及半桥驱动芯片制造技术

本申请涉及一种引线框架及半桥驱动芯片，属于电子技术领域，引线框架中设有源漏引脚，上桥功率芯片的漏极与下桥功率芯片的源极可以通过引线框架中的源漏引脚实现互联，在半桥驱动芯片内部实现两颗功率芯片的互连，这样就不必在半桥驱动芯片所在的基板上布设互连线路，在没有增加半桥驱动芯片封装难度的基础上，基板的布线难度与布线复杂度得以降低；而且利用引脚实现上桥功率芯片与下桥功率芯片的互连，互连线路的长度缩短，互连线路的阻抗降低，这样可以减小信号传输的时延，降低半桥驱动芯片的功耗，同时互连线路在半桥驱动芯片内部，降低了互连线路中信号所受到的干扰，提升了半桥驱动芯片的性能与品质。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子，尤其是涉及一种引线框架及半桥驱动芯片。

技术介绍

1、半桥驱动电路是一种mosfet驱动电路，其因具有电路设计简单、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点而被广泛应用。半桥驱动芯片中一般封装有两个功率管，其中一个功率管作为上桥，另一个作为下桥，上桥功率管与下桥功率管的互连通过半桥驱动芯片布署所在的基板上的基板线路实现，例如通过基板上的铜箔线路互连或者是过孔结合铜箔线路实现互连，不过这种互连方案中信号传输存在延时高、功耗高、干扰大等问题，严重影响了半桥驱动电路的性能。

技术实现思路

1、为了提升半桥驱动电路的性能，本申请提供了一种引线框架及半桥驱动芯片。

2、第一方面，本申请提供一种引线框架，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚，所述上桥栅极引脚、所述下桥栅极引脚分别被配置为同所述上桥功率芯片的栅极、所述下桥功率芯片的栅极电连接，所述源极引脚被配置为同所述上桥功率芯片的源极电连接，所述漏极引脚被配置为同所述下桥功率芯片的漏极电连接，所述源漏引脚被配置为同所述上桥功率芯片的漏极以及所述下桥功率芯...

【技术特征摘要】

1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚，所述上桥栅极引脚、所述下桥栅极引脚分别被配置为同所述上桥功率芯片的栅极、所述下桥功率芯片的栅极电连接，所述源极引脚被配置为同所述上桥功率芯片的源极电连接，所述漏极引脚被配置为同所述下桥功率芯片的漏极电连接，所述源漏引脚被配置为同所述上桥功率芯片的漏极以及所述下桥功率芯片的源极电连接。

2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述源漏引脚与所述上桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构，所述漏极引脚与所述下桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构。

3.如权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个引脚中包括n个彼此电性连接的所述源漏引脚，以及n个彼此电性连接的所述漏极引脚，n≥2。

4.如权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述引脚的设置满足以下任意一种：

5.如权利要求4所述的引线框架，其特征在于，n的取值为3，m的取值为2，所述引线框架具有十个鸥翼型的所述引脚，其中包括两个所述源极引脚、一所述上桥栅极引脚以及一所述下桥栅极引脚。

6.一种半桥驱动芯片，其特征在于，包括塑封体、两颗功率芯片、若干键合件以及一如权利要求1至5任一项所述的引线框架，所述两颗功率芯片分别设置于所述引线框架的两个所述裸芯设置区中，其中一颗作为所述上桥功率芯片，另一颗作为所述下桥功率芯片，所述上桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述下桥栅极引...

【专利技术属性】
技术研发人员：施锦源，周刚，梁钰华，刘景宝，
申请(专利权)人：深圳市信展通电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：