【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，尤其是涉及一种引线框架及半桥驱动芯片。
技术介绍
1、半桥驱动电路是一种mosfet驱动电路，其因具有电路设计简单、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点而被广泛应用。半桥驱动芯片中一般封装有两个功率管，其中一个功率管作为上桥，另一个作为下桥，上桥功率管与下桥功率管的互连通过半桥驱动芯片布署所在的基板上的基板线路实现，例如通过基板上的铜箔线路互连或者是过孔结合铜箔线路实现互连，不过这种互连方案中信号传输存在延时高、功耗高、干扰大等问题，严重影响了半桥驱动电路的性能。
技术实现思路
1、为了提升半桥驱动电路的性能，本申请提供了一种引线框架及半桥驱动芯片。
2、第一方面，本申请提供一种引线框架，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚，所述上桥栅极引脚、所述下桥栅极引脚分别被配置为同所述上桥功率芯片的栅极、所述下桥功率芯片的栅极电连接，所述源极引脚被配置为同所述上桥功率芯片的源极电连接，所述漏极引脚被配置为同所述下桥功率芯片的漏极电连接，所述源漏引脚被配置为同所述上桥功率芯片的漏极以及所述下桥功率芯片的源极电连接。
3、通过采用上述技术方案，引线框架的承载面可以承载两颗功率芯片，引线框架的多个引
4、可选地，所述源漏引脚与所述上桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构，所述漏极引脚与所述下桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构。
5、可选地，所述多个引脚中包括n个彼此电性连接的所述源漏引脚，以及n个彼此电性连接的所述漏极引脚，n≥2。
6、可选地，所述引脚的设置满足以下任意一种：
7、n个所述源漏引脚同m个所述漏极引脚分别位于所述承载面的相对两侧，m＞n-m，且所述上桥栅极引脚与所述下桥栅极引脚分别位于所述承载面的两个对角外；
8、m个所述源漏引脚同n个所述漏极引脚分别位于所述承载面的相对两侧，m＞n-m，且所述上桥栅极引脚与所述下桥栅极引脚分别位于所述承载面的两个对角外；
9、n个所述源漏引脚同m个所述漏极引脚位于所述承载面的同一侧，其余的所述引脚位于所述承载面的另一侧，且m＞n-m。
10、可选地，n的取值为3，m的取值为2，所述引线框架具有十个鸥翼型的所述引脚，其中包括两个所述源极引脚、一所述上桥栅极引脚以及一所述下桥栅极引脚。
11、通过采用上述技术方案，引线框架中的引脚采用鸥翼型结构，对应地，利用该引线框架封装功率芯片制备出的半桥驱动芯片中引脚处于塑封体之外，而且不与塑封体的底面共面，这样可以增加半桥驱动芯片的爬电距离，提升半桥驱动芯片的电气可靠性。
12、第二方面，本申请提供一种半桥驱动芯片，包括塑封体、两颗功率芯片、若干键合件以及一如前述第一方面任一项所述的引线框架，所述两颗功率芯片分别设置于所述引线框架的两个所述裸芯设置区中，其中一颗作为所述上桥功率芯片，另一颗作为所述下桥功率芯片，所述上桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述下桥栅极引脚电连接，所述上桥功率芯片的源极同所述引线框架中的所述源极引脚电连接，所述下桥功率芯片的漏极同所述引线框架中的所述漏极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述源极以及所述上桥功率芯片的所述漏极均同所述引线框架中的所述源漏引脚电连接；所述功率芯片上背向所述裸芯设置区的电极通过所述键合件与对应的所述引脚电连接；所述功率芯片与所述键合件均被包裹于所述塑封体中。
13、通过采用上述技术方案，直接利用引线框架中的源漏引脚实现了上桥功率芯片的漏极与下桥功率芯片的源极之间的互连，互连线路处于半桥驱动芯片内部，受到的外部干扰更少，而且相较于通过在基板上设置互连线路互连上桥功率芯片漏极与下桥功率芯片源极的方案，半桥驱动芯片内部的互连线路更短，阻抗更小，这能够减小半桥驱动芯片中的信号传输时延，降低半桥驱动芯片的功耗，提升半桥驱动芯片的电气性能，增强半桥驱动芯片的品质。另外，半桥驱动芯片内部实现了两颗功率芯片间的互连，因此布署半桥驱动芯片的基板就不需要再设置互连线路，这样能够降低基板的布线设计的难度与复杂度，同时，也可以给基板留出更多的空间以用于器件布署，提升基板上器件的集成度。
14、可选地，所述上桥功率芯片与所述下桥功率芯片以所述承载面的中心为中心，旋转对称设置。
15、可选地，所述半桥驱动芯片被布署至基板后所述塑封体上朝向所述基板的一面为所述塑封体的底面，背向所述基板的一面为所述塑封体的顶面；所述半桥驱动芯片还包括设置于所述塑封体顶面的顶部散热板。
16、通过采用上述技术方案，在塑封体的顶面设置有顶部散热板，这样半桥驱动芯片内功率芯片所产生的热量可以传导至塑封体顶面通过顶部散热板散出，相较于相关技术中半桥驱动芯片只能通过底板向基板散热的方案，能够提升散热效率，增强散热效果。
17、可选地，所述功率芯片的所述源极与所述栅极均位于所述功率芯片背向所述裸芯设置区的一面；所述键合件中包括第一键合件、第二键合件、第三键合件以及第四键合件，所述上桥功率芯片的所述栅极通过所述第一键合件同所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述栅极通过所述第二键合件同所述下桥栅极引脚电连接，所述上桥功率芯片的所述源极通过所述第三键合件同所述源极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述源极通过所述第四键合件同所述源漏引脚电连接；且所述第三键合件与所述第四键合件中的至少一个为铜桥，所述顶部散热板与所述铜桥一体成型。
18、通过采用上述技术方案，顶部散热板与键合件中的铜桥一体成型，这样功率芯片产生的热量得以直接通过铜桥从塑封体的内部传导至塑封体的外部，提升了半桥驱动本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚，所述上桥栅极引脚、所述下桥栅极引脚分别被配置为同所述上桥功率芯片的栅极、所述下桥功率芯片的栅极电连接，所述源极引脚被配置为同所述上桥功率芯片的源极电连接，所述漏极引脚被配置为同所述下桥功率芯片的漏极电连接，所述源漏引脚被配置为同所述上桥功率芯片的漏极以及所述下桥功率芯片的源极电连接。
2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述源漏引脚与所述上桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构，所述漏极引脚与所述下桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构。
3.如权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个引脚中包括N个彼此电性连接的所述源漏引脚，以及N个彼此电性连接的所述漏极引脚，N≥2。
4.如权利要求3所述的引线框架，其特
5.如权利要求4所述的引线框架，其特征在于，N的取值为3，M的取值为2，所述引线框架具有十个鸥翼型的所述引脚，其中包括两个所述源极引脚、一所述上桥栅极引脚以及一所述下桥栅极引脚。
6.一种半桥驱动芯片，其特征在于，包括塑封体、两颗功率芯片、若干键合件以及一如权利要求1至5任一项所述的引线框架，所述两颗功率芯片分别设置于所述引线框架的两个所述裸芯设置区中，其中一颗作为所述上桥功率芯片，另一颗作为所述下桥功率芯片，所述上桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述下桥栅极引脚电连接，所述上桥功率芯片的源极同所述引线框架中的所述源极引脚电连接，所述下桥功率芯片的漏极同所述引线框架中的所述漏极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述源极以及所述上桥功率芯片的所述漏极均同所述引线框架中的所述源漏引脚电连接；所述功率芯片上背向所述裸芯设置区的电极通过所述键合件与对应的所述引脚电连接；所述功率芯片与所述键合件均被包裹于所述塑封体中。
7.如权利要求6所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述上桥功率芯片与所述下桥功率芯片以所述承载面的中心为中心，旋转对称设置。
8.如权利要求6所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述半桥驱动芯片被部署至基板后所述塑封体上朝向所述基板的一面为所述塑封体的底面，背向所述基板的一面为所述塑封体的顶面；所述半桥驱动芯片还包括设置于所述塑封体顶面的顶部散热板。
9.如权利要求8所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述功率芯片的所述源极与所述栅极均位于所述功率芯片背向所述裸芯设置区的一面；所述键合件中包括第一键合件、第二键合件、第三键合件以及第四键合件，所述上桥功率芯片的所述栅极通过所述第一键合件同所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述栅极通过所述第二键合件同所述下桥栅极引脚电连接，所述上桥功率芯片的所述源极通过所述第三键合件同所述源极引脚电连接，所述下桥功率芯片的所述源极通过所述第四键合件同所述源漏引脚电连接；且所述第三键合件与所述第四键合件中的至少一个为铜桥，所述顶部散热板与所述铜桥一体成型。
10.如权利要求6至9任一项所述的半桥驱动芯片，其特征在于，所述塑封体的至少一个侧面设有向所述塑封体内部凹陷的避空槽，所述引线框架具有外凸于所述避空槽槽底的连杆残余部，且所述连杆残余部外凸于所述槽底的高度小于所述避空槽的槽深，所述连杆残余部由所述引线框架与相邻所述引线框架之间的连杆切断后形成。
...【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架包括被配置为承载功率芯片的裸芯垫、分布在所述裸芯垫的承载面侧边的多个引脚，所述裸芯垫的所述承载面包括两个独立的裸芯设置区，两个所述裸芯设置区中的一个被配置为承载上桥功率芯片，另一个被配置为承载下桥功率芯片；所述多个引脚中包括上桥栅极引脚、下桥栅极引脚、源极引脚、漏极引脚以及源漏引脚，所述上桥栅极引脚、所述下桥栅极引脚分别被配置为同所述上桥功率芯片的栅极、所述下桥功率芯片的栅极电连接，所述源极引脚被配置为同所述上桥功率芯片的源极电连接，所述漏极引脚被配置为同所述下桥功率芯片的漏极电连接，所述源漏引脚被配置为同所述上桥功率芯片的漏极以及所述下桥功率芯片的源极电连接。
2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述源漏引脚与所述上桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构，所述漏极引脚与所述下桥功率芯片对应的所述裸芯设置区为一体结构。
3.如权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个引脚中包括n个彼此电性连接的所述源漏引脚，以及n个彼此电性连接的所述漏极引脚，n≥2。
4.如权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述引脚的设置满足以下任意一种：
5.如权利要求4所述的引线框架，其特征在于，n的取值为3，m的取值为2，所述引线框架具有十个鸥翼型的所述引脚，其中包括两个所述源极引脚、一所述上桥栅极引脚以及一所述下桥栅极引脚。
6.一种半桥驱动芯片，其特征在于，包括塑封体、两颗功率芯片、若干键合件以及一如权利要求1至5任一项所述的引线框架，所述两颗功率芯片分别设置于所述引线框架的两个所述裸芯设置区中，其中一颗作为所述上桥功率芯片，另一颗作为所述下桥功率芯片，所述上桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述上桥栅极引脚电连接，所述下桥功率芯片的栅极同所述引线框架中的所述下桥栅极引...
【专利技术属性】
技术研发人员：施锦源，周刚，梁钰华，刘景宝，
申请(专利权)人：深圳市信展通电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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