本发明专利技术公开一种高密度TO220框架制造方法及其框架结构。本发明专利技术采用多排矩阵式设计，提升框架的生产效率，提高材料利用率，降低了框架的生产成本。并将框架沟槽设计放到铜材的处理制程种，用预铣加工工艺方式，避免在后续冲压过程中，于产品的边缘处产生材料的挤出，从而影响基岛平整性的问题，以此保证可放置的最大芯片的尺寸，并且避免对芯片的固晶结合以及材料厚度、倾斜度造成影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种高密度to220框架制造方法及其框架结构。
技术介绍
1、现有的to-220框架多采用单排设计，框架生产效率低下，材料利用率低，导致框架生产成本较高。同时，请参阅图1，现有的to-220框架上所有的结构都是在框架冲压制程来实现。对铜材进行冲压制程制作沟槽时，槽结构01两侧会产生材料挤出02延伸的情况，挤出02量会占用基岛尺寸，导致产品最大放置芯片较小。同时，材料挤出02会影响芯片固晶结合材厚度和倾斜度。
2、因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种高密度to220框架制造方法及其框架结构。
2、本专利技术的技术方案如下：提供一种高密度to220框架结构制造方法，包括如下步骤：
3、步骤1：对铜材进行熔炼成型；
4、步骤2：对成型的铜材进行分切与延展处理，形成薄铜板；
5、步骤3：在薄铜板上，对需要开沟槽的位置进行铣削开槽，形成预设槽；
6、步骤4：对薄铜板进行材料处理与清洗后，对薄铜板进行切断包装，形成框架基板，然后通过框架上料机送到整平机处进行整平；
7、步骤5：完成整平后，对框架基板上预设槽的位置进行冲压，形成槽结构；
8、步骤6：对完成冲压工序的框架基板进行清洗与表面处理后，进行切断成型，包装送入仓储或半导体加工工序。
9、进一步地，所述延展处理采用碾压或锻打。
>10、进一步地，步骤4中的材料处理包括退火和/或铜材表面处理。11、本专利技术还提供一种高密度to220框架结构，包括：若干单元基岛，所述相邻的单元基岛上设置有注塑流道，所述注塑流道穿过单元基岛并对单元基岛进行灌注。
12、进一步地，所述相邻注塑流道连接至同一注胶口。
13、进一步地，所述注塑流道沿纵向方向穿过单元基岛，每条注塑流道灌注左右各一列单元基岛。
14、进一步地，所述注塑流道沿横向方向穿过单元基岛，每条注塑流道灌注一排单元基岛。
15、进一步地，所述单元基岛连接有单元引脚，奇数行的所述单元基岛与偶数行的单元基岛的单元引脚方向相反并交错相连形成引线框架，每组引线框架连接四个单元基岛组成单元基板，将所述单元基板排列成若干排与若干列从而组成基板。
16、进一步地，所述单元引脚包括若干引脚，引线框架中的单元引脚之间错开半个引脚间距距离。
17、进一步地，左右相邻的所述单元基板的引线框架之间设置有连筋，相邻的单元基板通过连筋相连接。
18、采用上述方案，本专利技术采用多排矩阵式设计，提升框架的生产效率，提高材料利用率，降低了框架的生产成本。并将框架沟槽设计放到铜材的处理制程种，用预铣加工工艺方式，避免在后续冲压过程中，于产品的边缘处产生材料的挤出，从而影响基岛平整性的问题，以此保证可放置的最大芯片的尺寸，并且避免对芯片的固晶结合以及材料厚度、倾斜度造成影响。
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【技术保护点】
1.一种高密度TO220框架结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的高密度TO220框架结构制造方法，其特征在于，所述延展处理采用碾压或锻打。
3.根据权利要求1所述的高密度TO220框架结构制造方法，其特征在于，步骤4中的材料处理包括退火和/或铜材表面处理。
4.一种高密度TO220框架结构，其特征在于，包括：若干单元基岛，所述相邻的单元基岛上设置有注塑流道，所述注塑流道穿过单元基岛并对单元基岛进行灌注。
5.根据权利要求4所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，所述相邻注塑流道连接至同一注胶口。
6.根据权利要求4所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，所述注塑流道沿纵向方向穿过单元基岛，每条注塑流道灌注左右各一列单元基岛。
7.根据权利要求4所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，所述注塑流道沿横向方向穿过单元基岛，每条注塑流道灌注一排单元基岛。
8.根据权利要求4所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，所述单元基岛连接有单元引脚，奇数行的所述单元基岛与偶数行的单元基岛的单元引脚方向相反并交错相连形成引线框架，每组引线框架连接四个单元基岛组成单元基板，将所述单元基板排列成若干排与若干列从而组成基板。
9.根据权利要求8所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，所述单元引脚包括若干引脚，引线框架中的单元引脚之间错开半个引脚间距距离。
10.根据权利要求8所述的高密度TO220框架结构，其特征在于，左右相邻的所述单元基板的引线框架之间设置有连筋，相邻的单元基板通过连筋相连接。
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【技术特征摘要】
1.一种高密度to220框架结构制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的高密度to220框架结构制造方法，其特征在于，所述延展处理采用碾压或锻打。
3.根据权利要求1所述的高密度to220框架结构制造方法，其特征在于，步骤4中的材料处理包括退火和/或铜材表面处理。
4.一种高密度to220框架结构，其特征在于，包括：若干单元基岛，所述相邻的单元基岛上设置有注塑流道，所述注塑流道穿过单元基岛并对单元基岛进行灌注。
5.根据权利要求4所述的高密度to220框架结构，其特征在于，所述相邻注塑流道连接至同一注胶口。
6.根据权利要求4所述的高密度to220框架结构，其特征在于，所述注塑流道沿纵向方向穿过单元基岛，每条注塑流道灌注左右各一列单元基...
【专利技术属性】
技术研发人员：施锦源，刘景宝，黄明敏，张大强，黄鹏，梁钰华，
申请(专利权)人：深圳市信展通电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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