【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，尤其涉及一种晶圆监测装置及晶圆监测方法。
技术介绍
1、半导体制造过程中，干法刻蚀设备中一般都会有真空传输系统(vtm)，在真空传输系统中会配置有传送导航系统(tns)，传送导航系统可用于检测晶圆偏移量。然而，目前传送导航系统只能检测晶圆的偏移量，无法全面检测晶圆是否破损。当破损的晶圆进入真空传输系统时，会导致污染传输环境(transfer mode)。
2、例如，在一次晶圆的加工作业结束后，需要装卸晶圆时晶圆可能局部破损。由于晶圆的破损区域较小，机械手在取出晶圆时，留有小部分晶圆碎片在工艺腔室中，导致工艺腔室污染，破损的晶圆被取出并放置于传送导航系统的传输平台上。如图1所示，由于传送导航系统中的晶圆监测装置是三点式激光结构，三点式激光可形成三角形的激光传输路径1，这种检测方式只能检测三角形的传输路径1覆盖范围内晶圆是否有缺损，当晶圆的缺损量较小时，超出三角形的传输路径1之外的区域发生破损时，则无法检测出。因此，在晶圆传送过程中只能检测晶圆是否偏移，而无法识别晶圆是否破损，导致晶圆破损无法被检测出，导致...
【技术保护点】
1.一种晶圆监测装置，用于在晶圆传输过程中监测晶圆(10)；其特征在于，所述晶圆监测装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述基于所述时间点与所述扫描信号之间的对应关系，判断所述晶圆(10)是否破损，具体包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述处理单元(200)具体还被配置为用于：
4.根据权利要求3所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述基于所述时间点与所述扫描信号之间的对应关系，判断所述晶圆(10)的位姿信息，具体包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆监测装置，用于在晶圆传输过程中监测晶圆(10)；其特征在于，所述晶圆监测装置包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述基于所述时间点与所述扫描信号之间的对应关系，判断所述晶圆(10)是否破损，具体包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述处理单元(200)具体还被配置为用于：
4.根据权利要求3所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述基于所述时间点与所述扫描信号之间的对应关系，判断所述晶圆(10)的位姿信息，具体包括：
5.根据权利要求4所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述当所述扫描起始时间点t1’和所述基准扫描终止时间点t1之间、或者所述扫描终止时间点t2’和所述基准扫描终止时间点t2之间差值大于或等于第一阈值时，判断所述晶圆(10)沿其传输方向上偏移，具体还包括：
6.根据权利要求4所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述当所述扫描起始时间点t1’和所述基准扫描终止时间点t1之间、或者所述扫描终止时间点t2’和所述基准扫描终止时间点t2之间差值大于或等于第一阈值时，判断所述晶圆(10)沿其传输方向上偏移，具体还包括：
7.根据权利要求3所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述处理单元(200)具体还被配置为用于：
8.根据权利要求7所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述在横坐标x为预设横坐标值x0的情况下，当所述晶圆(10)边缘图形中的纵坐标y’所述预设晶圆(10)边缘图形中的纵坐标y之间的第二差值y’–y的绝对值大于或等于第二阈值时，判断所述晶圆(10)沿所述第一方向存在偏移，具体包括：
9.根据权利要求7所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述在横坐标x为预设横坐标值x0的情况下，当所述晶圆(10)边缘图形中的纵坐标y’所述预设晶圆(10)边缘图形中的纵坐标y之间的第二差值y’–y的绝对值大于或等于第二阈值时，判断所述晶圆(10)沿所述第一方向存在偏移，具体还包括：
10.根据权利要求7所述的晶圆监测装置，其特征在于，所述基于所述时间点与所述扫描信...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛永辉，范祖金，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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