【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种紫外led外延片及其制备方法、led芯片。
技术介绍
1、紫外led(uv led)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面。
2、与gan基蓝光led相比，紫外led的研制面临着许多独特的技术困难，如：高al组分algan的材料的外延生长困难，一般而言，al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109～1010/cm2乃至更高；algan材料的掺杂与gan相比要困难得多，不论n型掺杂还是p型掺杂，随着al组分的增加，外延层的电导率迅速降低，尤其是p-algan的掺杂尤为棘手，掺杂剂mg的激活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降，等等。
3、由于上述情况的存在，目前的紫外led外延片的内量子效率并不高，现有技术中，为了提高紫外led外延片的发光复合效率，通常的方法是提高电子阻挡层的势垒和厚度，增强对电子的限制能力，但这样会使空穴的注入困难，对于提高内量子效率来说并不理想。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种紫外led外延片及其制备方法、led芯片，旨在优化有源区结构，提高内量子效率。
2、根据本专利技术实施例当中的一种紫外led外延片制备方法，该方法包括提供一半成品紫外led外延片；
3、在所述半成品紫外led外延片上沉积aln缓冲层、algan过渡层及n型半导体层，其中，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气
4、进一步的，通入刻蚀气体的过程中，n2和cl2的单位时间内进入反应腔的气流量的比例大于等于10。
5、进一步的，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，温度控制在800℃～1000℃。
6、进一步的，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，刻蚀气体的通入时间为1min～2min。
7、进一步的，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，cl2的流量为25sccm～75sccm，n2的流量为0.5l/min～3l/min。
8、进一步的，表面处理完成后，关闭cl2，保持n2条件下对表面吹扫5min～10min，然后关闭n2，通入h2吹扫5min～10min。
9、进一步的，所述半成品紫外led外延片的制备步骤包括：
10、提供一衬底；
11、在所述衬底上沿外延生长方向沉积成核层。
12、根据本专利技术实施例当中的一种紫外led外延片，所述紫外led外延片根据上述紫外led外延片制备方法制备得到，包括依次层叠的半成品紫外led外延片、aln缓冲层、algan过渡层及n型半导体层；
13、在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理，以在所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层中引入至少一层刻蚀层，所述刻蚀气体为n2和cl2的混合气体。
14、进一步的，所述aln缓冲层的厚度为2μm～4μm。
15、根据本专利技术实施例当中的一种led芯片，包括上述的紫外led外延片。
16、本专利技术实施例提供的一种紫外led外延片及制备方法、led芯片，该方法包括提供一半成品紫外led外延片，并在半成品紫外led外延片上沉积aln缓冲层、algan过渡层及n型半导体层，其中，在制备aln缓冲层和/或n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理，以在aln缓冲层和/或n型半导体层中引入至少一层刻蚀层，刻蚀气体为n2和cl2的混合气体，具体的，由于在aln缓冲层和/或n型半导体层引入刻蚀层，可以有效的释放底层的应力，从而可以得到更优质的有源区结构，可以更好的控制翘曲，更好的提高底层的生长质量，降低缺陷和位错密度，进一步的可以提高内量子效率。
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1.一种紫外LED外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，通入刻蚀气体的过程中，N2和Cl2的单位时间内进入反应腔的气流量的比例大于等于10。
3.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，在制备所述AlN缓冲层和/或所述N型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，温度控制在800℃～1000℃。
4.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，在制备所述AlN缓冲层和/或所述N型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，刻蚀气体的通入时间为1min～2min。
5.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，在制备所述AlN缓冲层和/或所述N型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，Cl2的流量为25sccm～75sccm，N2的流量为0.5L/min～3L/min。
6.根据权利要求1所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，表面处理完成后，关闭Cl2，保持N2
7.根据权利要求1-6任一项所述的紫外LED外延片制备方法，其特征在于，所述半成品紫外LED外延片的制备步骤包括：
8.一种紫外LED外延片，其特征在于，所述紫外LED外延片根据权利要求1-7任一项所述紫外LED外延片制备方法制备得到，包括依次层叠的半成品紫外LED外延片、AlN缓冲层、AlGaN过渡层及N型半导体层；
9.根据权利要求8所述的紫外LED外延片，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为2μm～4μm。
10.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求8至9中任一项所述的紫外LED外延片。
...【技术特征摘要】
1.一种紫外led外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，通入刻蚀气体的过程中，n2和cl2的单位时间内进入反应腔的气流量的比例大于等于10。
3.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，温度控制在800℃～1000℃。
4.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，刻蚀气体的通入时间为1min～2min。
5.根据权利要求1所述的紫外led外延片制备方法，其特征在于，在制备所述aln缓冲层和/或所述n型半导体层的过程中，通入刻蚀气体对其表面进行处理的过程中，cl2的流量为25s...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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