【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种led芯片及其制备方法。
技术介绍
1、高压led芯片因为iso隔离槽较深，在进行tcl光刻时，需要使用较大的曝光量，以使沟槽处的光刻胶显影干净，但是较大的曝光量会使非沟槽处的光刻胶过曝，实际线宽与设计线宽相差较多，使得tcl距离mesa较远，浪费一部分发光面积。
2、具体的，常规制作高压led的流程为:1、mesa，去除部分p型半导体及发光层，裸露出n型半导体；2、iso，制作隔离槽；3、cbl，制作电流阻挡层；4、tcl，制作透明导电层；5、pad，蒸镀电极；6、psv，保护层制作。其中，mesa与tcl分为两道光刻，设计要求为两道光刻预留3μm～7μm距离，以保证二者的安全距离，芯粒不会漏电、短路等失效，同时，因为高压iso槽的原因，需要使用较大的曝光量，使非沟槽处的光刻胶过曝，实际线宽与设计线宽相差2μm～5μm，导致最终mesa与tcl的实际距离在5μm～12μm。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种led芯片及其制备方法，旨在控制mesa与tcl的实际距离，避免在制作过程中浪费发光面积，导致发光效率达不到最佳。
2、根据本专利技术实施例当中的一种led芯片制备方法，所述方法包括：
3、提供一半成品led芯片，所述半成品led芯片包括pss基板，以及依次沉积在所述pss基板上的氮化镓外延叠层和电流阻挡层；
4、在所述氮化镓外延叠层和所述电流阻挡层上制作tcl膜层，并通过光刻
5、通过湿法刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过干法刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层；
6、制备p/n电极，用于分别与氮化镓外延叠层的p型半导体层和n型半导体层电性连接；
7、制备保护层，漏出部分电极用以封装焊线，其余部分全部包覆。
8、进一步的，所述提供一半成品led芯片，所述半成品led芯片包括pss基板，以及依次沉积在所述pss基板上的氮化镓外延叠层和电流阻挡层的步骤包括：
9、提供一晶圆衬底，并进行pss制作，得到pss基板；
10、在pss基板上制备氮化镓外延叠层，其中，所述氮化镓外延叠层包括依次沉积在所述pss基板上的缓冲层、n型半导体层、发光层、及p型半导体层；
11、通过光刻技术在所述氮化镓外延叠层上形成隔离槽区域图形，并通过刻蚀所述氮化镓外延叠层，直至部分pss基板裸露；
12、在所述p型半导体层区域制作所述电流阻挡层，以减少载流子直接在金属电极下方复合，避免辐射的光子被金属吸收和阻挡。
13、进一步的，所述通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层的步骤中，mesa与tcl的实际距离为3μm～5μm。
14、进一步的，所述通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层的步骤中，实际刻蚀的tcl与tcl设计图形相比，间距为0μm～1μm。
15、进一步的，所述通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层的步骤中，实际刻蚀的mesa与mesa设计图形相比，间距为1μm～3μm。
16、进一步的，电流阻挡层的材料为sio2，电流阻挡层的厚度为150nm～420nm。
17、进一步的，tcl膜层的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物中的一种，tcl膜层的厚度为25nm～150nm。
18、进一步的，所述一次刻蚀为湿法刻蚀，所述二次刻蚀为干法刻蚀。
19、根据本专利技术实施例当中的一种led芯片，根据上述的led芯片制备方法制备得到。
20、进一步的，mesa与tcl的实际距离为3μm～5μm。
21、本专利技术实施例提供的一种led芯片及其制备方法，该方法包括提供一半成品led芯片，半成品led芯片包括pss基板，以及依次沉积在pss基板上的氮化镓外延叠层和电流阻挡层；在氮化镓外延叠层和电流阻挡层上制作tcl膜层，并通过光刻技术形成mesa/tcl光刻图形；通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层；制备p/n电极，用于分别与氮化镓外延叠层的p型半导体层和n型半导体层电性连接；制备保护层，漏出部分电极用以封装焊线，其余部分全部包覆，具体的，将mesa与tcl两道工序的光刻合为一道，可以更好地控制二者的距离，大大增加了发光面积，有效提高芯片光效，还可以减少制作步骤，提高产能。
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1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述提供一半成品LED芯片，所述半成品LED芯片包括PSS基板，以及依次沉积在所述PSS基板上的氮化镓外延叠层和电流阻挡层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次刻蚀，将TCL选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出N型半导体层的步骤中，MESA与TCL的实际距离为3μm～5μm。
4.根据权利要求3所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次刻蚀，将TCL选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出N型半导体层的步骤中，实际刻蚀的TCL与TCL设计图形相比，间距为0μm～1μm。
5.根据权利要求4所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次刻蚀，将TCL选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出N型半导体层的步骤中，实际刻蚀的MESA与MESA设计图形相比，间距为1μm～3μm。
6.根据权利要求5所述的LED芯片制备方法，
7.根据权利要求6所述的LED芯片制备方法，其特征在于，TCL膜层的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物中的一种，TCL膜层的厚度为25nm～150nm。
8.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述一次刻蚀为湿法刻蚀，所述二次刻蚀为干法刻蚀。
9.一种LED芯片，其特征在于，根据权利要求1至8中任一项所述的LED芯片制备方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，MESA与TCL的实际距离为3μm～5μm。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述提供一半成品led芯片，所述半成品led芯片包括pss基板，以及依次沉积在所述pss基板上的氮化镓外延叠层和电流阻挡层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层的步骤中，mesa与tcl的实际距离为3μm～5μm。
4.根据权利要求3所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次刻蚀，将tcl选择性蚀刻，再通过二次刻蚀，以使氮化镓外延叠层暴露出n型半导体层的步骤中，实际刻蚀的tcl与tcl设计图形相比，间距为0μm～1μm。
5.根据权利要求4所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述通过一次...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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