【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种正装led芯片led芯片及制备方法。
技术介绍
1、led芯片是一种固态的半导体器件，led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
2、传统的正装led芯片主要由外延片、芯片结构以及电极结构组成，外延片包含衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体；芯片结构包含电流阻挡层、透明导电层、n型和p型电极、钝化层；电极结构包含接触层、反射层、包覆层和焊线层组成，反射层一般为al，焊线层一般为au，通过金属al对提高对光的反射能力，利用焊线层au进行打线，以实现电性连接。
3、然而，焊线层的au和反射层的al会沿着透明导电层形成的界面进行扩散，特别是在一些高温大电流的情况下，焊线层的au和反射层的al二者会进行互溶并产生中间相产物，从而导致led芯片的电压飙升，进而引发led芯片失效。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种正装led芯片及其制备方法，以解决
技术介绍
中，现有的led芯片，由于焊线层的au和反射层的al会互溶并产生中间相产物，在一些高温大电流的情况下，从而导致led芯片的电压飙升，进而引发led芯片失效的问题。
2、本专利技术在于提供一种正装led芯片，包括外延片、以及依次层叠于所述外延片上的电流阻挡层、透明导电层、接触层、反射层、钝化层、包覆层以及焊线层；
3、所述反射层包括al材料层，所述钝化层包括氧化物层，
4、其中，所述氧化层和所述反射层上开设有供至少部分所述包覆层穿设的连接孔，以使部分所述包覆层与所述反射层进行接触。
5、进一步地，所述钝化层中氧化物层的材料为sio2、al2o3中的任意一种，且所述钝化层的厚度为
6、进一步地，所述电流阻挡层的厚度为且所述电流阻挡层的材料为sio2。
7、进一步地，所述透明导电层的材料为ito，且所述透明导电层的厚度为
8、
9、进一步地，所述接触层的材料为cr、ti、ni中的任意一种，且所述接触层的厚度为
10、进一步地，所述反射层的厚度为
11、进一步地，所述包覆层包括依次层叠的第一包覆子层和第二包覆子层，所述第一包覆子层为ti层，第二包覆子层为多个交替层叠的ni层和pt层；
12、进一步地，所述焊线层为au，且所述焊线层的厚度为0.9μm-3μm。
13、进一步地，所述连接孔的直径小于所述反射层的直径。
14、本专利技术的另一方面在于提供一种正装led芯片的制备方法，用于制备上述所述的正装led芯片，所述方法包括：
15、制作外延片；
16、在所述外延片上制作电流阻挡层；
17、在所述电流阻挡层上制作透明导电层；
18、在所述透明导电层上制作接触层；
19、在所述接触层上制作反射层，所述反射层包括al材料层；
20、在所述反射层上制作钝化层，所述钝化层包括氧化物层，在制作过程中通入sih4、n2o，且将制作所述钝化层的程序分为至少两个制作程序，两个所述制作程序中sih4、n2o的流量各不相同，使得所述钝化层层叠于所述反射层上时，所述反射层中至少部分的al材料层被所述钝化层中的氧化物层氧化，以在所述反射层和所述钝化层之间形成包覆另一部分所述反射层的氧化层；
21、在所述氧化层上进行开孔并露出所述反射层以制作连接孔；
22、在所述连接孔上制作包覆层；
23、在所述包覆层上制作焊线层。
24、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
25、在本专利技术提供的一种正装led芯片中，通过钝化层包括氧化物层，反射层包括al材料层，使得钝化层中的氧化物层会将反射层中部分al材料层进行氧化，从而可以在反射层和所述钝化层之间形成包覆部分反射层的氧化层，则利用氧化层和钝化层的隔绝，从而可以防止焊线层的au与反射层的al之间出现迁移互溶，进而产生中间相产物的情况，解决了现有的led芯片，由于焊线层的au和反射层的al会互溶并产生中间相产物，在一些高温大电流的情况下，从而导致led芯片的电压飙升，进而引发led芯片失效的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述钝化层中氧化物层的材料为SiO2、Al2O3中的任意一种，且所述钝化层的厚度为
3.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为且所述电流阻挡层的材料为SiO2。
4.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO，且所述透明导电层的厚度为
5.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述接触层的材料为Cr、Ti、Ni中的任意一种，且所述接触层的厚度为
6.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述反射层的厚度为
7.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述包覆层包括依次层叠的第一包覆子层和第二包覆子层，所述第一包覆子层为Ti层，第二包覆子层为多个交替层叠的Ni层和Pt层。
8.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述焊线层为Au，且所述焊线层的厚度为0.9μm-3μm。
9.根据权利要求1
10.一种正装LED芯片的制备方法，用于制备上述权利要求1-9任意一项所述的正装LED芯片，其特征在于，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种正装led芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述钝化层中氧化物层的材料为sio2、al2o3中的任意一种，且所述钝化层的厚度为
3.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为且所述电流阻挡层的材料为sio2。
4.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为ito，且所述透明导电层的厚度为
5.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述接触层的材料为cr、ti、ni中的任意一种，且所述接触层的厚度为
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，李美玲，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。