【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种正装led芯片led芯片及制备方法。
技术介绍
1、led芯片是一种固态的半导体器件，led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
2、传统的正装led芯片主要由外延片、芯片结构以及电极结构组成，外延片包含衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体；芯片结构包含电流阻挡层、透明导电层、n型和p型电极、钝化层；电极结构包含接触层、反射层、包覆层和焊线层组成，反射层一般为al，焊线层一般为au，通过金属al对提高对光的反射能力，利用焊线层au进行打线，以实现电性连接。
3、然而，焊线层的au和反射层的al会沿着透明导电层形成的界面进行扩散，特别是在一些高温大电流的情况下，焊线层的au和反射层的al二者会进行互溶并产生中间相产物，从而导致led芯片的电压飙升，进而引发led芯片失效。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种正装led芯片及其制备方法，以解决...
【技术保护点】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述钝化层中氧化物层的材料为SiO2、Al2O3中的任意一种，且所述钝化层的厚度为
3.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为且所述电流阻挡层的材料为SiO2。
4.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为ITO，且所述透明导电层的厚度为
5.根据权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述接触层的材料为Cr、Ti、Ni中的任意一种，且所述接触层的厚度为
...【技术特征摘要】
1.一种正装led芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述钝化层中氧化物层的材料为sio2、al2o3中的任意一种，且所述钝化层的厚度为
3.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为且所述电流阻挡层的材料为sio2。
4.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为ito，且所述透明导电层的厚度为
5.根据权利要求1所述的正装led芯片，其特征在于，所述接触层的材料为cr、ti、ni中的任意一种，且所述接触层的厚度为
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，李美玲，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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