发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和P型GaN层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;层、P型AlGaN/InN超晶格层及P型InGaN层；所述P型AlGaN/InN超晶格层包括周期性交替层叠的P型AlGaN层和InN层。本发明专利技术的空穴注入层可以提高空穴浓度和注入效率，提高多量子阱层中电子与空穴的辐射复合效率，从而提升发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

1、在发光二极管中，由于空穴的浓度和迁移速率都远小于电子，因此注入到多量子阱发光区的空穴浓度远小于电子浓度，空穴主要集中分布在靠近p型层的少数几个量子阱中，导致实际发光的量子阱数量少，而且电子可以很轻易的越过有源区进入到p型层中造成电子泄漏，影响发光二极管的性能。因此需要提高p型层的掺杂浓度，从而提高注入多量子阱发光区的空穴浓度，但是由于p型gan中的mg受主的能级较深，约为170mev，室温下mg的电离率只有1％左右；此外，mocvd法生长mg掺杂的p型gan过程中，会引入大量的h，这些h原子会钝化mg受主，大大提高了mg受主的激活能，因此难以得到空穴浓度较高的p型gan材料。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，能够提高空穴注入效率，从而提高发光效率。

2、本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，工艺简单，制得的发光二极管外延片发光效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和P型GaN层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的Si3N4层、P型AlGaN/InN超晶格层及P型InGaN层；所述P型AlGaN/InN超晶格层包括周期性交替层叠的P型AlGaN层和InN层。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si3N4层的厚度为1nm～10nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型AlGaN/InN超晶格层的生长周期为1～20，所述P型AlG...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和p型gan层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层上的si3n4层、p型algan/inn超晶格层及p型ingan层；所述p型algan/inn超晶格层包括周期性交替层叠的p型algan层和inn层。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述si3n4层的厚度为1nm～10nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型algan/inn超晶格层的生长周期为1～20，所述p型algan层的厚度为1nm～50nm，al组分占比为0.01～0.5，mg掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1020cm-3；所述inn层的厚度为0.5nm～5nm。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型ingan层的厚度为5nm～100nm，in组分占比为0.01～0.3，mg掺杂浓度为1×1019cm-3～1×102...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：