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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴注入层、电子阻挡层和P型GaN层，所述空穴注入层包括依次层叠在所述多量子阱层...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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