一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构制造技术

本技术公开一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间设有若干个内凹结构。本技术在器件输出高压侧的外壳上两个内凹结构，增加高压端两引线脚间的爬电距离。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光mos继电器领域，具体涉及一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构。

技术介绍

1、光mos继电器是光耦合器常见的一种，由红外led作为输入级耦合到高电压输出光探测电路。光探测电路由光电二极管阵列和驱动电路构成，用以开启/关断两个独立的mos，实现高电压输出端导通与关断，以此驱动负载。

2、光mos继电器是将装架有红外led芯片的输入侧支架与装架有光探测芯片与两个独立的mos的输出侧支架，用白色的内环氧树脂塑封，形成内部光传输通道，再用黑色的外环氧树脂塑封，形成一个有斜侧面的长方体环氧塑封体，使得输入端与输出端起到绝缘的作用。光mos继电器由两层绝缘的环氧树脂塑封形成，使输入端输出端能起到传输信号作用的同时，实现绝缘降噪，是一种安规器件。

3、高压负载光mos继电器主要应用于新能源bms等行业，如新能源汽车bms、光伏与户用新能源储能等需求的负载高压一般是400v～1200v的水平，因为电路设计与余量设计，往往需求高压负载光mos继电器具备1500v以上的电压能力。因此，为了达到1500v以上的负载耐压水平，光mos继电器负载端外部应至少具备>3mm的爬电距离，否则在光mos继电器负载端承受高压时，可能发生外部空气打火或击穿的现象，会造成电路损坏。

4、为提高更长的外部爬电距离，满足1500v的高压要求，当前主流方案是通过切除高电压输出端中间的非功能的引线脚，使高电压两侧的引线脚间绝缘距离增长，实现爬电距离的增长。

5、但随着应用端电压的增加，对光mos继电器输出端负载电压的水平也越来越高，要求可达到2000v、2400v甚至更高的负载电压，所需的外部爬电距离也需更长。由于光mos继电器的本体尺寸小，宽度小，总体尺寸设计受限，加上引线框架的引线脚间距固定，这时不能实现更长的外部爬电距离。产品本体外部高压引线脚间承受高压时就容易出现打火或击穿的现象，特别是在湿气大等严苛的环境。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本技术提供了一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构，通过在外封壳体输出端一侧的高压引线脚之间设计两个内凹结构，使高压引线脚之间的爬电距离增长，改善负载高压下原有爬电距离不足的问题。

2、为达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：

3、一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构，该光mos继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，所述外壳的对应光mos继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间设有若干个内凹结构。

4、进一步的，所述内凹结构为贯穿外壳顶面和底面的凹槽。

5、进一步的，所述凹槽数量为两个，两个凹槽沿高压引线脚之间的爬电路径间隔设置。

6、进一步的，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下逐渐靠近槽口，下槽体与上槽体上下对称。

7、进一步的，所述凹槽的拔模角度与所述外壳的拔模角度相同。

8、本技术在器件输出高压侧的外壳上两个内凹结构，增加高压端两引线脚间的爬电距离，当输出端施加高压时，爬电距离会较传统的高压负载光mos继电器，明显沿着内凹结构增长，使产品的爬电距离增加，使光mos继电器输出端更能承受达到2000v、2400v的高压，更能满足客户的使用体验。

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【技术保护点】

1.一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，其特征在于：所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间沿爬电路径设有若干个内凹结构；所述内凹结构为凹槽，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下逐渐靠近槽口，下槽体与上槽体上下对称。

2.根据权利要求1所述的增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，其特征在于：所述内凹结构为贯穿外壳顶面和底面的凹槽。

3.根据权利要求2所述的增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，其特征在于：所述凹槽数量为两个，两个凹槽沿高压引线脚之间的爬电路径间隔设置。

4.根据权利要求2所述的增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，其特征在于：所述凹槽的拔模角度与所述外壳的拔模角度相同。

【技术特征摘要】

1.一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构，该光mos继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，其特征在于：所述外壳的对应光mos继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间沿爬电路径设有若干个内凹结构；所述内凹结构为凹槽，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梓建，
申请(专利权)人：厦门华联半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：