一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构制造技术

本技术公开一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间设有若干个内凹结构。本技术在器件输出高压侧的外壳上两个内凹结构，增加高压端两引线脚间的爬电距离。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光mos继电器领域，具体涉及一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构。

技术介绍

1、光mos继电器是光耦合器常见的一种，由红外led作为输入级耦合到高电压输出光探测电路。光探测电路由光电二极管阵列和驱动电路构成，用以开启/关断两个独立的mos，实现高电压输出端导通与关断，以此驱动负载。

2、光mos继电器是将装架有红外led芯片的输入侧支架与装架有光探测芯片与两个独立的mos的输出侧支架，用白色的内环氧树脂塑封，形成内部光传输通道，再用黑色的外环氧树脂塑封，形成一个有斜侧面的长方体环氧塑封体，使得输入端与输出端起到绝缘的作用。光mos继电器由两层绝缘的环氧树脂塑封形成，使输入端输出端能起到传输信号作用的同时，实现绝缘降噪，是一种安规器件。

3、高压负载光mos继电器主要应用于新能源bms等行业，如新能源汽车bms、光伏与户用新能源储能等需求的负载高压一般是400v～1200v的水平，因为电路设计与余量设计，往往需求高压负载光mos继电器具备1500v以上的电压能力。因此，为了达到1500v以上的负载耐压水平，光mos本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，其特征在于：所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间沿爬电路径设有若干个内凹结构；所述内凹结构为凹槽，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下逐渐靠近槽口，下槽体与上槽体上下对称。

2.根据权利要求1所述的增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种增加高压负载光mos继电器爬电距离的结构，该光mos继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，其特征在于：所述外壳的对应光mos继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间沿爬电路径设有若干个内凹结构；所述内凹结构为凹槽，所述外壳由相匹配的上壳体和下壳体组成，所述凹槽由位于上壳体的上槽体和位于下壳体的下槽体组成，上槽体包括相对的两个侧槽壁以及连接两个侧槽壁的连接壁，两个侧槽壁和连接壁皆倾斜设置，两个侧槽壁由上至下逐渐靠近以使上槽体呈上大下小的形状，连接壁由上至下...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梓建，
申请(专利权)人：厦门华联半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：