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本技术公开一种增加高压负载光MOS继电器爬电距离的结构，该光MOS继电器包括外壳以及塑封在外壳中的元件，所述外壳的对应光MOS继电器输出端的外表面上在高压引线脚之间设有若干个内凹结构。本技术在器件输出高压侧的外壳上两个内凹结构，增加高压端两...
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