一种平面ＬＥＤ结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种平面ＬＥＤ结构，包括金属基底和荧光罩，所述金属基底的上表面沿其周边固定有支撑层，所述荧光罩与所述支撑层相匹配并相互固定连接形成一空腔；在所述空腔内，含有一个以上ＬＥＤ裸芯片，每个所述ＬＥＤ裸芯片的底面与所述金属基底的上表面固定连接，所述金属基底的上表面固定有绝缘层，所述绝缘层上固定有金属层，所述金属层与各个所述ＬＥＤ裸芯片的电极之间电连接，所述荧光罩中的荧光粉的激发波长与所述ＬＥＤ裸芯片的发光波长相同。本实用新型专利技术散热效果好，即使某一个或几个ＬＥＤ裸芯片出现故障，也不影响整个平面ＬＥＤ发光，简化了平面ＬＥＤ的工艺、增加了平面ＬＥＤ的使用寿命、降低了平面ＬＥＤ的成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种平面LED结构。
技术介绍
工业上，目前产生光的途径之一是利用荧光粉覆盖蓝光LED形成单颗LED，蓝宝 石、氮化铝等晶片被作为生长衬底生长LED。这种结构的LED的绝缘衬底的导热性能低，LED 芯片热阻较大，且这种结构的LED的两个电极在外延层的同一侧，面临电流拥塞，电流分布 不均勻，和不能充分利用发光层的问题。单颗LED发光效率不够高，不能较好地实现大面积 发光。因此，大功率LED急需解决下述问题(1)散热效率低；(2)发光效率和出光效率仍需 提高；(3)成本高。这些问题取决于LED结构和LED的封装结构。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种散热效果好的平面LED结构。本技术解决其技术问题所采取的技术方案是本技术所述平面LED结构 包括金属基底和荧光罩，所述金属基底的上表面沿其周边固定有支撑层，所述荧光罩与所 述支撑层相匹配并相互固定连接形成一空腔；在所述空腔内，含有一个以上LED裸芯片，每 个所述LED裸芯片的底面与所述金属基底的上表面固定连接，所述金属基底的上表面固定 有绝缘层，所述绝缘层上固定有金属层，所述金属层与各个所述LED裸芯片的电极之间电 连接，所述荧光罩中的荧光粉的激发波长与所述LED裸芯片的发光波长相同。进一步地，本技术所述LED裸芯片为垂直结构LED芯片。进一步地，本技术所述LED裸芯片自下而上依次包括第一导电缓冲层、N型外 延层电极、N型外延层、多量子阱层、P型外延层和P型外延层电极，所述P型外延层电极通 过导线与所述金属层电连接。进一步地，本技术所述LED裸芯片自下而上依次包括第二导电缓冲层、P型外 延层电极、P型外延层、多量子阱层、N型外延层和N型外延层电极，所述N型外延层电极通 过导线与所述金属层电连接。进一步地，本技术所述导线为金线、铝线或铜线。进一步地，本技术所述金属层为铝箔、铜箔或金箔。与现有技术相比，本技术的有益效果是采用金属基底既可作为电极也可由 其大面积散热，解决了现有技术中绝缘衬底的导热性能低、LED芯片热阻较大、电极在外延 层的同一侧导致电流拥塞分布不均勻、不能充分利用发光层的问题。本技术所采用的 荧光罩可以是荧光玻璃、荧光环氧树脂等具有荧光性能的灯罩，一个以上的LED裸芯片相 互之间形成并联电路，共同激发荧光罩中的荧光粉，这样即使某一个或几个LED裸芯片出 现故障，也不影响整个平面LED发光，简化了平面LED的工艺、增加了平面LED的使用寿命、 降低了平面LED的成本。附图说明图1是本技术实施例1的平面LED结构的示意图。图2是图1的A-A向示意图。图3是本技术实施例2的平面LED结构的示意图。具体实施方式如图1至图3所示，本技术的平面LED结构包括金属基底2和荧光罩3，金属 基底2的上表面沿其周边固定有塑料板或其他有支撑强度的物体作为支撑层6，均勻涂抹 荧光粉的荧光玻璃作为荧光罩3与支撑层6相匹配并相互固定连接形成一空腔。在该空腔 内，含有一个以上LED裸芯片1。本技术的LED裸芯片1可为垂直结构LED芯片。在图1和图2所示的实施例中，平面LED结构包括四个LED裸芯片1。如图2所 示，LED裸芯片1为垂直结构LED芯片，自下而上依次包括第一导电缓冲层10、N型外延层 电极11、N型外延层12、多量子阱层13、P型外延层14和P型外延层电极15，P型外延层电 极15通过导线与所述金属层5电连接。作为本技术的一种实施方式，可以以5μπι的AlTiPtAu混合金属层作为第一 导电缓冲层10，电子束蒸发或磁控溅射生长的IOOnm Ti/Au合金层作为N型外延层电极11， MOCVD、PLD、MBE或磁控溅射生长的300nmN型ZnO层作为N型外延层12，MOCVD、PLD、MBE 或磁控溅射生长的10个周期的lOnmZnMgO/ZnO层作为多量子阱层13，MOCVD, PLD、MBE或 磁控溅射生长的300nmP型ZnO层作为P型外延层14以及以电子束蒸发或磁控溅射生长的 100nmNi/Au合金层作为P型外延层电极15。第一导电缓冲层10的作用是导电连接N型外延层电极11并是整个LED裸芯片1 的支撑。N型外延层电极11是通过lift-off工艺形成的有特定图案的具有较好欧姆接触 和较低比接触电阻率的LED的N极电极。P型外延层电极15是通过lift-off工艺形成的 有特定图案的具有较好欧姆接触和较低比接触电阻率的LED的P极电极。可使用Al金属 板或其他金属板或其他合金板作为金属基底2，金属基底2既可作为阴极接点与第一导电 缓冲层10连接起导电作用也是散热片。金属基底2的上表面固定绝缘胶带或其他绝缘物 质作为绝缘层4，绝缘层4上固定有铜箔或铝箔或金箔作为金属层5，绝缘层4的作用是绝 缘分开金属基底2和金属层5。金属层5是作为阳极接点与P型外延层电极15连接，P型 外延层电极15通过金线或铝线或铜线作为金属线7焊接在金属层5上。本技术的荧光罩3中荧光粉的激发波长与LED裸芯片1的发光波长相同，支 撑层6起到支撑作用且不与空腔内除了金属基底2和荧光罩3的任何其他部分相接触。金 属层5与每个LED裸芯片1之间分别电连接，即金属层5连接在一起作为总的阳极接点，金 属基底2作为阴极接点，外部对应正负极接入直流电源，使得各LED裸芯片1之间形成并联 电路，这样可以提高发光效率，即使一个、两个或三个LED裸芯片1出现故障，也不影响整个 平面LED发光。在图3所示的另一种平面LED结构中，含有四个LED裸芯片1，这些LED裸芯片1 为垂直结构LED芯片，自下而上依次包括第二导电缓冲层16、P型外延层电极15、P型外延 层14、多量子阱层13、N型外延层12和N型外延层电极11，N型外延层电极11通过导线与 金属层5电连接。4本技术可使用5 μ m的KrNiPtAu混合金属层作为第二导电缓冲层16，电子束 蒸发或磁控溅射生长的IOOnm Ni/Au合金层作为P型外延层电极15，M0CVD、PLD、MBE或磁 控溅射生长的300nmP型ZnO层作为P型外延层14，MOCVD、PLD、MBE或磁控溅射生长的10 个周期的10nmZnMg0/Zn0层作为多量子阱层13，M0CVD、PLD、MBE或磁控溅射生长的300nmN 型ZnO层作为N型外延层12，电子束蒸发或磁控溅射生长的lOOnmTi/Au合金层作为N型外 延层电极11。第二导电缓冲层16的作用是导电连接P型外延层电极15并是整个LED裸芯片1 的支撑。N型外延层电极11是通过lift-off工艺形成的有特定图案的具有较好欧姆接触 和较低比接触电阻率的LED的N极电极。P型外延层电极15是通过lift-off工艺形成的 有特定图案的具有较好欧姆接触和较低比接触电阻率的LED的P极电极。Al金属板或其 他金属板或其他合金板是金属基底2，既作为阳极接点与第二导电缓冲层16连接起导电作 用也是散热片。金属基底2的上表面固定绝缘胶带或其他绝缘物质作为绝缘层4，绝缘层4 上固定有铜箔或铝箔或金箔作为金属层5，绝缘层4的作用是绝缘分开金属基底2和金属层 5。金属层5是作为阴极接点与N型外延层电极11连接，N型外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种平面LED结构，其特征在于包括金属基底(2)和荧光罩(3)，所述金属基底(2)的上表面沿其周边固定有支撑层(6)，所述荧光罩(3)与所述支撑层(6)相匹配并相互固定连接形成一空腔；在所述空腔内，含有一个以上LED裸芯片(1)，每个所述LED裸芯片(1)的底面与所述金属基底(2)的上表面固定连接，所述金属基底(2)的上表面固定有绝缘层(4)，所述绝缘层(4)上固定有金属层(5)，所述金属层(5)与各个所述LED裸芯片(1)的电极之间电连接，所述荧光罩(3)中的荧光粉的激发波长与所述LED裸芯片(1)的发光波长相同。2.根据权利要求1所述的一种平面LED结构，其特征在于所述LED裸芯片(1)为垂 直结构LED芯片。3.根据权利要求2所述的一种平面LED结构，其特征在于所述LED裸芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志镇，薛雅，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86