【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器装置和测试其故障的方法，更具体地，涉及一种三维存储器装置和测试其故障的方法。
技术介绍
1、存储器装置可被分类为当供电中断时丢失所存储的数据的易失性存储器装置或者即使当供电中断时也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可包括nand闪存、nor闪存、电阻随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移矩随机存取存储器(stt-ram)等。
3、nand闪存系统可包括被配置为存储数据的存储器装置以及被配置为控制存储器装置的控制器。存储器装置可包括存储数据的存储器单元阵列以及被配置为响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读操作或擦除操作的外围电路。
4、存储器单元阵列可包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可包括多个存储器单元。
5、随着存储器装置的集成度增加，由于各种原因而引起的故障通常增加。
技术实现思路
1...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘和所述输入焊盘彼此间隔开恒定距离。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一芯片包括与所述半导体基板的所述下测试区域的一部分交叠的上测试焊盘。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘和所述输入焊盘分离开比所述上测试焊盘的宽度窄的距离。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘相对于所述输入焊盘对称地布置。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘和所述输入焊盘彼此间隔开恒定距离。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一芯片包括与所述半导体基板的所述下测试区域的一部分交叠的上测试焊盘。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘和所述输入焊盘分离开比所述上测试焊盘的宽度窄的距离。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测试焊盘相对于所述输入焊盘对称地布置。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个子测试电路包括具有不同电阻值的多个电阻器。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第二芯片还包括位于所述半导体基板上的栅极绝缘层，并且所述多个电阻器包括设置在所述半导体基板的所述下测试区域上的多个导电图案，并且所述栅极绝缘层插置在所述半导体基板的所述下测试区域与所述多个导电图案之间。
8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第二芯片包括形成在所述半导体基板中的多个分离层，并且
9.一种测试存储器装置的故障的方法，该方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个信号包括第一逻辑电平和第二逻辑电平。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，从所述多个子...
【专利技术属性】
技术研发人员：裵炳郁，安正烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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