【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器抗干扰测试领域，特别是一种宇航用sram抗干扰能力测试方法和装置。
技术介绍
1、sram作为一种重要的存储介质，已经被广泛应用到计算机、移动电子设备、航空工业等领域，常被用作航天电子系统中数据信息的存储。由于宇航器件特殊的工作环境，例如：器件工作过程中不可拆卸替换以及空间辐射等条件。这一方面要求存储器具有较高的可靠性，因此在sram正式应用到航天型号任务之前，需要对存储器开展一系列的可靠性评价，尤其是抗干扰能力进行测试。。在此之前，存储器的抗干扰能力测试仅在典型应用环境下进行基本读写功能验证，而没有全面的评价方法，判断准则和可实现噪声注入的测试系统。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，能够全面的对器件的抗干扰能力进行评价。
2、本专利技术的技术解决方案是：一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；
3、s1、将被测sram的电源电压设置为推荐电源电压条件；
4、s2、对被测sram进行写入操作，将随机数据写入sram；
5、s3、对被测sram进行读取操作，将读取的数据进行保存；
6、s4、将噪声信号注入被测sram的被测引脚；
7、s5、对被测sram进行读取操作，与s3中保存的数据进行比较，结果一致则继续测试，若不一致则根据被测引脚
8、s6、调整被测sram的噪声信号条件，重复s4-s5；
9、s7、调整被测sram的电源电压条件，重复s2-s6。
10、对被测sram的抗地址信号干扰能力、抗电源信号干扰能力、抗地弹干扰能力进行测试时，被测引脚分别地址引脚、电源引脚、地引脚。
11、本专利技术进一步改进为：
12、对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度从1ns步进至7ns，频率为250-300mhz，噪声信号幅值应在地址信号的沿变非单调变化的条件下，使地址信号低电平大于vil、高电平小于vih，所述vil和vih为被测sram的器件参数。
13、所述地址引脚包括行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，在s4中依次将噪声信号注入被测sram的行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，重复s4-s5，分别进行测试。
14、所述s7中，调整被测sram的电源电压条件包括将电源电压分别调整为推荐电源电压条件的最大值和最小值。
15、对被测sram的抗电源信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度为5-10ns，频率为250-300mhz，噪声信号幅值使被测sram的电源信号峰峰值为10％vdd，vdd本轮测试的电源电压条件。
16、对被测sram的抗地弹干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度为5-10ns，频率为250-300mhz，噪声信号幅值使被测sram的电源信号峰峰值为10％ vdd，vdd为本轮测试的电源电压条件；若电源电压条件中包括两个电压，则vdd为其中的高电压。
17、本专利技术还提供一种宇航用sram抗干扰能力测试装置，包括：
18、pc机，用于提供控制的软件界面，发送控制指令至单片机，接收单片机上传的测试数据并分别显示；控制信号发生器产生噪声信号；
19、单片机，用于接收pc机的控制指令，根据控制指令向控制fpga发出控制信号；接收控制fpga采集的测试数据，并上传至pc机；
20、控制fpga，接收单片机的控制信号，根据控制信号设置被测sram的工作条件；采集被测sram的工作参数，并将采集的数据发送至单片机；
21、信号发生器，用于在pc机控制下产生噪声信号；将产生的噪声信号注入至被测sram的相应引脚；
22、示波器，截取被测sram相应引脚的波形。
23、本专利技术与现有技术相比的优点在于：
24、针对sram的抗干扰能力从地址信号、电源信号以及地信号进行全面评价，提出测试方法以及判据，并且搭建了一套可调谐的噪声注入系统完成测试。
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1.一种宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；
2.根据权利要求1所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：对被测SRAM的抗地址信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度从1ns步进至7ns，频率为250-300MHz，噪声信号幅值应在地址信号的沿变非单调变化的条件下，使地址信号低电平大于VIL、高电平小于VIH，所述VIL和VIH为被测SRAM的器件参数。
3.根据权利要求2所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述地址引脚包括行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，对被测SRAM的抗地址信号干扰能力进行测试时，在S4中依次将噪声信号注入被测SRAM的行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，重复S4-S5，分别进行测试。
4.根据权利要求1所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述S7中，调整被测SRAM的电源电压条件包括将电源电压分别调整为推荐电源电压条件的最大值和最小值。
5.根据权利要求1
6.根据权利要求1所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：对被测SRAM的抗地弹干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度为5-10ns，频率为250-300MHz，噪声信号幅值使被测SRAM的电源信号峰峰值为10％VDD，VDD为本轮测试的电源电压条件；若电源电压条件中包括两个电压，则VDD为其中的高电压。
7.一种宇航用SRAM抗干扰能力测试装置，其特征在于包括：
...【技术特征摘要】
1.一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；
2.根据权利要求1所述的宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度从1ns步进至7ns，频率为250-300mhz，噪声信号幅值应在地址信号的沿变非单调变化的条件下，使地址信号低电平大于vil、高电平小于vih，所述vil和vih为被测sram的器件参数。
3.根据权利要求2所述的宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述地址引脚包括行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，在s4中依次将噪声信号注入被测sram的行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，重复s4-s5，分别进行测试。
4.根据权利要求1所述的宇航用sram抗干扰能...
【专利技术属性】
技术研发人员：王亚男，张洪伟，郑雪松，吉俐，王文炎，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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