一种宇航用SRAM抗干扰能力测试方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，通过改变被测引脚、噪声信号、电源条件，对比SRAM的数据，实现包括SRAM抗地址信号干扰能力、地弹及抗电源信号干扰能力测试。本发明专利技术还提供一套宇航用SRAM抗干扰能力测试装置，装置主要包括PC机、单片机、控制FPGA、示波器、可控电压源与信号发生器，为测试方法提供硬件方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器抗干扰测试领域，特别是一种宇航用sram抗干扰能力测试方法和装置。

技术介绍

1、sram作为一种重要的存储介质，已经被广泛应用到计算机、移动电子设备、航空工业等领域，常被用作航天电子系统中数据信息的存储。由于宇航器件特殊的工作环境，例如：器件工作过程中不可拆卸替换以及空间辐射等条件。这一方面要求存储器具有较高的可靠性，因此在sram正式应用到航天型号任务之前，需要对存储器开展一系列的可靠性评价，尤其是抗干扰能力进行测试。。在此之前，存储器的抗干扰能力测试仅在典型应用环境下进行基本读写功能验证，而没有全面的评价方法，判断准则和可实现噪声注入的测试系统。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供了一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，能够全面的对器件的抗干扰能力进行评价。

2、本专利技术的技术解决方案是：一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；>

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【技术保护点】

1.一种宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；

2.根据权利要求1所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：对被测SRAM的抗地址信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度从1ns步进至7ns，频率为250-300MHz，噪声信号幅值应在地址信号的沿变非单调变化的条件下，使地址信号低电平大于VIL、高电平小于VIH，所述VIL和VIH为被测SRAM的器件参数。

3.根据权利要求2所述的宇航用SRAM抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述地址引脚包括行地...

【技术特征摘要】

1.一种宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述测试方法包括抗地址信号干扰能力测试、抗电源信号干扰能力测试、抗地弹干扰能力测试；

2.根据权利要求1所述的宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，噪声信号类型为随机噪声，脉冲宽度从1ns步进至7ns，频率为250-300mhz，噪声信号幅值应在地址信号的沿变非单调变化的条件下，使地址信号低电平大于vil、高电平小于vih，所述vil和vih为被测sram的器件参数。

3.根据权利要求2所述的宇航用sram抗干扰能力测试方法，其特征在于：所述地址引脚包括行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，对被测sram的抗地址信号干扰能力进行测试时，在s4中依次将噪声信号注入被测sram的行地址引脚、列地址引脚、块地址引脚，重复s4-s5，分别进行测试。

4.根据权利要求1所述的宇航用sram抗干扰能...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚男，张洪伟，郑雪松，吉俐，王文炎，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：