一种升压电路及非易失性存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种升压电路及非易失性存储器，属于非易失性存储器领域，包括两相非交叠时钟产生电路、交叉耦合电荷泵电路与电平选择电路，两相非交叠时钟产生电路用于为交叉耦合电荷泵电路提供两相非交叠的时钟信号CLKA与CLKB，使得交叉耦合电荷泵电路能够在不同的时钟相位下进行充电与放电的操作；交叉耦合电荷泵电路的作用是将电源电压升压至其的两倍，并输出到字线电平选择电路；字线电平选择电路的作用是根据外部选择信号，向字线WL输出两倍电源电压的高电平电压或低电平0，实现字线WL上的电压控制。本发明专利技术结构简单，节约芯片面积；保证输出电压的稳定；本发明专利技术的电压增益高，并且能快速启动，输出稳定的高电压，消除传输管阈值电压的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器领域，具体是一种升压电路及非易失性存储器。

技术介绍

1、fram作为一种非易失性存储器，其数据写入操作需要位线wl提供高于电源电压vdd的高电压，因此需要配备升压电路。fram与传统的nandflash与norflash有本质的区别，flash存储器是通过浮栅晶体管的栅极上的电荷来存储数据，改变电荷状态需要施加高电压，这个电压远远超过了电源电压的大小，一般是电源电压的3-4倍，因此需要一个升压模块来将电源电压提升到足以完成存储单元的编程与擦除操作的电压。

2、fram则是通过铁电薄膜材料构成的铁电电容来存储数据，利用铁电晶体在不同的外加电场下的极化反转特性来存储数据。以目前成熟工艺的2t2c存储单元为例，它由两个nmos管与两个铁电电容组成，每个nmos管与一个铁电电容相连，形成一个单管传输门。单管传输门在传输信号时会有阈值损失，例如nmos单管传输门的栅极接电源vdd时，源漏端能够传输的信号电压最大只能达到vdd-vth，其中vth为nmos管的阈值电压。由此，铁电电容与nmos管相连的一端的电压最大只能达到vd本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种升压电路，其特征在于，包括两相非交叠时钟产生电路、交叉耦合电荷泵电路与电平选择电路，所述两相非交叠时钟产生电路输入端输入连接有时钟信号CLK和电源信号VDD，两相非交叠时钟产生电路输出端输出信号CLKA、信号CLKB，并输出连接至交叉耦合电荷泵电路的输入端，交叉耦合电荷泵电路输出端与电平选择电路输入端连接，电平选择电路输出端与字线WL连接，交叉耦合电荷泵电路与电源信号VDD连接，电平选择电路与选择信号、电源信号VDD通信连接；

2.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，所述两相非交叠时钟产生电路是由一个非门INV、三个缓冲器与两个与门组成，三个缓冲器分别为缓冲...

【技术特征摘要】

1.一种升压电路，其特征在于，包括两相非交叠时钟产生电路、交叉耦合电荷泵电路与电平选择电路，所述两相非交叠时钟产生电路输入端输入连接有时钟信号clk和电源信号vdd，两相非交叠时钟产生电路输出端输出信号clka、信号clkb，并输出连接至交叉耦合电荷泵电路的输入端，交叉耦合电荷泵电路输出端与电平选择电路输入端连接，电平选择电路输出端与字线wl连接，交叉耦合电荷泵电路与电源信号vdd连接，电平选择电路与选择信号、电源信号vdd通信连接；

2.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，所述两相非交叠时钟产生电路是由一个非门inv、三个缓冲器与两个与门组成，三个缓冲器分别为缓冲器buff、缓冲器buff1、缓冲器buff2，两个与门分别为与门and1、与门and2；

3.根据权利要求2所述的一种升压电路，其特征在于，所述交叉耦合电荷泵电路包括两个nmos支路与四个pmos输出管，所述nmos支路包括nmos管n6、nmos管n7，pmos输出管包括pmos管p6、pmos管p7、pmos管p8、pmos管p9；

4.根据权利要求3所述的一种升压电路，其特征在于，所述nmos管n6的源极、nmos管n7的源极都与电源信号vdd连接，nmos管n6的衬底、nmos管n7的衬底接地。

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：廖育彬，陈相银，孙金中，窦丙飞，胡京川，
申请(专利权)人：合肥中科微电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：