【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器，更具体地，涉及一种相变存储器控制方法及其操作系统、pcm控制器。
技术介绍
1、相变存储器的低疲劳特性以及其高写入延迟是其在市场化应用中的两大挑战。
2、低疲劳特性指的是相变存储单元在写入一定次数(一般为10的9次)后由于疲劳无法再次进行读写。针对相变存储器的疲劳特性优化，khwa等在文献中提出一种原位自退火技术(in-situ-self-anneal，issa)。该技术揭示了相变存储单元的疲劳特性可以在其被写入10的4次左右进行修复，且揭示了相变存储单元在set/reset循环写入下reset状态阻值随写入次数的变化关系，因此，可以以10的4次循环后的reset状态阻值作为阻值预警点cap，在每次reset操作之后，对相变存储器单元reset状态阻值进行读取监测，如若相变存储器reset状态下的阻值低于设定的写入次数下的阻值预警点cap，说明写入次数已达退火要求，触发退火信号，对相变存储器单元施加退火脉冲，进行退火操作，从而实现对相变存储器疲劳特性的修复。由于该技术依靠reset操作之后的相变存储器件...
【技术保护点】
1.一种相变存储器控制方法，其特征在于，包括；
2.根据权利要求1所述的相变存储器控制方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述存储块的空闲时段划分为两个时间窗口：
3.根据权利要求1所述的相变存储器控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的相变存储器控制方法，其特征在于，在存储块空闲期间，对所述退火队列所指向的位于同一字线上的相变存储单元同时进行退火。
5.根据权利要求3所述的相变存储器控制方法，其特征在于，在存储块空闲期间，一旦所述预写队列中存入位置信息，则开始对所述预写队列所指向的所述相变存储单元按照存入顺序依...
【技术特征摘要】
1.一种相变存储器控制方法，其特征在于，包括；
2.根据权利要求1所述的相变存储器控制方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述存储块的空闲时段划分为两个时间窗口：
3.根据权利要求1所述的相变存储器控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的相变存储器控制方法，其特征在于，在存储块空闲期间，对所述退火队列所指向的位于同一字线上的相变存储单元同时进行退火。
5.根据权利要求3所述的相变存储器控制方法，其特征在于，在存储块空闲期间，一旦所述预写队列中存入位置信息，则开始对所述预写队列所指向的所述相变存储单元按照存入顺序依次进行set操作。
6.根据权利要求3所述的相变存储器控制方法，其特征在于，在存储块写操作期间，对所...
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