【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，尤其是涉及一种nand闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质。
技术介绍
1、闪存是一种非易失存储介质，信息存储依赖于基本存储单元，随着工艺技术进步，存储单元能存储更多soft bit的个数据，从slc到mlc再到tlc(每单元存储1至3个比特)。读取闪存中的数据是通过检测介质单元的电子数量(电压)来确定的。
2、为了保证数据的可靠性，在使用闪存作为存储介质的设备(如ssd、ufc、sd、u盘)中的闪存控制器通常采用了低密度奇偶校验(ldpc)作为纠错算法。ldpc算法通过生成特定的校验位来保护数据位，确保数据的准确性和完整性。在nand闪存控制器中，ldpc模块具有两种主要的解码方式：hard decode和soft decode。hard decode模式下，只需要读取的数据一笔数据，解码速度相对较快，但纠错的bit个数有限。而soft decode模式下，通常需要读取多笔的数据，但可以大幅增加可纠错的bit个数，从而提高整体的数据可靠性。harddecode和soft decode...
【技术保护点】
1.一种NAND闪存最佳读取电压区间定位方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、所述第二soft bit的个数和所述第三soft bit的个数的比较关系，确定所述NAND闪存最佳读取电压区间的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、所述第二soft bit的个数和所述第三soft bit的个数的比较关系，确定所述NAND闪存最佳读取电压区间的步骤，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一s...
【技术特征摘要】
1.一种nand闪存最佳读取电压区间定位方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、所述第二soft bit的个数和所述第三soft bit的个数的比较关系，确定所述nand闪存最佳读取电压区间的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、所述第二soft bit的个数和所述第三soft bit的个数的比较关系，确定所述nand闪存最佳读取电压区间的步骤，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、所述第二soft bit的个数和所述第三soft bit的个数的比较关系，确定所述nand闪存最佳读取电压区间的步骤，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一soft bit的个数、第二soft...
【专利技术属性】
技术研发人员：张成，李财，叶云杰，王斐，
申请(专利权)人：深圳市德明利技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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