【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种存储器设备和存储器系统。
技术介绍
1、在采用磁存储器元件作为非易失性存储元件的磁阻ram(mram)中，已经提出了通过施加脉冲电压来写入数据的电压受控的mram(例如，参见专利文献1)。在写入数据后，常规技术的这种电阻性随机存取存储器从存储元件读取数据，并且当读取的数据与要写入的数据不同时写入数据。
2、引文列表
3、专利文献
4、专利文献1：jp 2018-092696a
技术实现思路
1、技术问题
2、但是，在上述常规技术中，在写入数据时读取数据，因此，存在写入所需的时间段变长的问题。
3、因此，本公开提出了一种减少写入数据所需的时间段的存储器设备和存储系统。
4、问题的解决方案
5、根据本公开的存储器设备包括：磁存储器元件，其包括具有固定磁化方向的参考层以及隔着绝缘层堆叠在参考层上并具有可逆磁化方向的存储层，并且与平行状态和反平行状态这两个状态相关联地存储数据，平行状态在参考层和存储层中具有相同的磁化方向，而反平行状态在参考层和存储层中具有不同的磁化方向；辅助磁场施加单元，其施加支持磁存储器元件从平行状态到反平行状态的转变的辅助磁场；以及写入控制单元，其通过向磁存储器元件施加初始化电压和初始化磁场以使磁存储器元件进入反平行状态来执行初始化，并通过根据数据执行向初始化的磁存储器元件施加状态反转电压和状态反转磁场的状态反转来执行写入，状态反转电压和状态反转磁场被用于使处于反平行状态
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1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中初始化磁场是比状态反转磁场强的磁场。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中初始化电压是低于状态反转电压的电压。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中施加初始化电压的时段比施加状态反转电压的时段短。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括
6.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括
7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中数据转换单元通过反转数据的逻辑来转换数据。
8.根据权利要求6所述的存储器设备，其中数据转换单元通过向数据添加用于纠错的代码来转换数据。
9.根据权利要求1所述的存储器设备，包括多个磁存储器元件。
10.根据权利要求9所述的存储器设备，还包括
11.一种存储器系统，包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中初始化磁场是比状态反转磁场强的磁场。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中初始化电压是低于状态反转电压的电压。
4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中施加初始化电压的时段比施加状态反转电压的时段短。
5.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括
6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：阪井垒，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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