摄像元件、摄像装置和制造方法制造方法及图纸

本技术涉及摄像元件、摄像装置和制造方法，它们能够实现摄像元件的小型化并且将摄像元件构造成在制造期间能够防止当在像素间分离部中埋入填充物时发生埋入不良。所述摄像元件包括基板、光电转换区域和像素间分离部。所述光电转换区域设置于所述基板中。所述像素间分离部设置于所述基板中且位于彼此相邻的所述光电转换区域之间。所述像素间分离部的开口部具有由(111)面形成的倾斜面。所述倾斜面位于光入射面侧且分别设置于所述像素间分离部的两端处，或者位于光入射面侧且设置于所述像素间分离部的一端处。例如，本技术可应用于摄像元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术涉及摄像元件、摄像装置和制造方法，并且更具体地，涉及例如能够在制造期间抑制埋入不良的发生的摄像元件、摄像装置和制造法。

技术介绍

1、摄像元件需要小型化且多像素化。因此，像素的微细化不断取得进展。然而，当伴随着像素的微细化而导致灵敏度降低时，就要求通过补偿因开口率(aperture ratio)的缩小而引起的灵敏度降低，以此提高灵敏度。为了提高摄像元件中的各像素的灵敏度，提出了一种在形成于各像素之间的沟槽的侧壁上形成p型扩散层和n型扩散层以产生强电场区域且保持电荷的技术。

2、专利文献1提出了一种用于防止电荷钉扎的减弱、白点的出现和暗电流的产生的结构。

3、[引用文献列表]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]：日本专利特开第2018-148116号

技术实现思路

1、[要解决的技术问题]

2、由于摄像元件的微细化不断取得进展，形成于各像素之间的沟槽本身也被微细化。随着沟槽的微细化，沟槽的线宽(开口部：opening)变得更窄，这可能会导致在制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.摄像元件，包括：

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

6.摄像装置，包括：

7.用于制造摄像元件的制造方法，

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，

9.根据权利要求7所述的制造方法，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.摄像元件，包括：

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：深谷天，藤井宣年，斋藤卓，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：