【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料科学领域,特别是。
技术介绍
近年来,随着三维(立体或3D)和可挠性组装的应用要求的扩大以及超精细节距 高密度技术的发展,电子产品继续向轻、薄、短、小化发展,从而进一步推动挠性覆铜 板材料及其制造技术的进步,挠性印制电路板(Flexible Printed Circuit Board,简称 FPCB)已呈现出其在覆铜板和封装产业无可取代的地位。它可以自由弯曲、卷绕、折叠,可依 照空间布局要求任意安排,并在三维空间任意移动和伸缩,从而达到元器件装配和导线连 接的一体化。利用FPCB可大大缩小电子产品的体积,适应电子产品向高密度、小型化、高可 靠方向发展的需要。目前生产的挠性印制电路基材中,最常见的是使用粘胶剂将聚酰亚胺薄膜和铜箔 粘合复合的有胶型三层法产品(俗称三层板)。然而由于胶层的存在导致三层板凳热稳 定性差,与基材的热膨胀系数相差较大;数层胶粘剂的厚度直接影响电路的散热性,这些都 大大地降低了挠性电路板的挠曲性能和挠曲寿命。因此,近几年,研究的热点主要集中在 无胶型二层法挠性覆铜板(称二层板)的研制。其主要的生产方法主要有以下几种其 一是采用真空溅射技术或蒸发沉淀技术,把铜沉积到绝缘膜上(如中国专利CN01109402/ CN1579754A);其二是在聚酰亚胺薄膜表面通过化学沉积和电镀的方法形成铜导电层(如 中国专利CN95106677);其三是采用改性的双马来酰亚胺封端型热固性聚酰亚胺直接涂覆 在铜箔上,同时采用化学酰亚胺化法和热酰亚胺化法制备获得二层型无胶挠性覆铜箔(如 中国专利CN101148509A);其四是将作为聚酰亚 ...
【技术保护点】
一种聚酰胺酰亚胺,其特征在于:由下列结构通式材料的一种或两种以上混合组成: *** 式中: (1)n=1~3,X和Y的比值为(100~0.01)∶(0~99.99); (2)Ar↓[1]、Ar↓[2]、Ar↓[5]和Ar↓[6]分别为选自下述结构式基团中的一种或两种以上,且Ar↓[1]、Ar↓[2]、Ar↓[5]和Ar↓[6]可相同或不同: *** 其中,R↓[1]~R↓[159]选自氢,苯环、羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;R↓[160]选自下述基团中的一种: *** -CO-、-O-、-S-、-S-S-、-SO↓[2]-、-CH↓[2]-、-C(CH↓[3])↓[2]-、-C(CF↓[3])↓[2]-、-O-R↓[183]-O-其中,R↓[161]~R↓[182]选自氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;R↓[183]选自下述基团中的一种: *** 其中,R↓[184]~R↓[254]选自氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原 ...
【技术特征摘要】
一种聚酰胺酰亚胺,其特征在于由下列结构通式材料的一种或两种以上混合组成式中(1)n=1~3,X和Y的比值为(100~0.01)∶(0~99.99);(2)Ar1、Ar2、Ar5和Ar6分别为选自下述结构式基团中的一种或两种以上,且Ar1、Ar2、Ar5和Ar6可相同或不同其中,R1~R159选自氢,苯环、羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;R160选自下述基团中的一种 CO 、 O 、 S 、 S S 、 SO2 、 CH2 、 C(CH3)2 、 C(CF3)2 、 O R183 O 其中,R161~R182选自氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;R183选自下述基团中的一种其中,R184~R254选自氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;(3)Ar3和Ar4选自下述结构式基团中的一种或两种以上,且Ar3和Ar4可相同或不同其中,R255~R278分别为氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素;R279选自下述基团中的一种或两种以上 CO 、 O 、 S 、 SO2 、 CH2 、 C(CH3)2 、 C(CF3)2 、 O R280 O 、其中R280为下述结构式基团中的任何一种其中,R281~R375分别为氢,苯环,羧酸根、羟基、氰基、甲氧基、酯基、碳原子数为1~4的烷基或烯丙基,且可以含有氮、氧、硫、卤素。FSA00000266230500011.tif,FSA00000266230500012.tif,FSA00000266230500021.tif,FSA00000266230500022.tif,FSA00000266230500023.tif,FSA00000266230500031.tif,FSA00000266230500032.tif2.一种以权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张艺,林文璇,方铭岳,刘四委,池振国,许家瑞,
申请(专利权)人:中山大学,
类型:发明
国别省市:81[中国|广州]
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