铜铟镓硒薄膜电池的制备方法技术

一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透金属背电极层的第一刻槽；在金属背电极层上及第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在阻挡层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第二刻槽；在阻挡层和第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在窗口层上蚀刻形成深入至金属背电极层的第三刻槽。上述方法制备的铜铟镓硒薄膜电池具有不易短路的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制备方法，特别是涉及一种铜铟镓硒薄膜电池的制 备方法。
技术介绍
铜铟镓硒(Cu (In，Ga) Se2，简称CIGS)薄膜光伏电池具有低成本、高效率、稳定性好 等优点，是公认的最具有发展和市场潜力的第二代太阳能电池。人们对其研究兴起于上个 世纪八十年代初，经过近三十年的发展，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的理论研究以及制备工 艺取得了可喜的成果，目前其最高实验室光电转化效率达到21. 1%，是目前转化效率最高 的薄膜太阳能光伏电池。铜铟镓硒薄膜太阳能电池一般通过以下步骤制成在衬底上形成背电极；在前电 极上形成半导体层；在半导体层上形成栅电极。然而，对于大尺寸的衬底来说，由透明导电 材料制成的背电极的电阻较大，由此导致能量损失较大。一种解决上诉问题的方法是将铜铟镓硒薄膜太阳能电池通过机械划线的方法分 割成多个子电池，并且将该多个子电池串联起来。然而，请参阅图1，采用机械划线法切割背电极时，由于薄膜较脆，导致切割线的宽 度不均勻，并且划线过程中会产生大量残渣、碎片，从而容易导致子电池短路。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种避免子电池短路的制备铜铟镓硒薄膜电池的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透该金属背电极层的第一刻槽；在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在该缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第二刻槽；在该阻挡层和该第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在该窗口层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第三刻槽。

【技术特征摘要】
一种铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤在玻璃衬底的一侧形成金属背电极层；从该玻璃衬底远离该金属背电极层的一侧发射穿透该玻璃衬底的第一激光束，以形成穿透该金属背电极层的第一刻槽；在该金属背电极层上及该第一刻槽表面形成铜铟镓硒光吸收层；在该铜铟镓硒光吸收层上形成缓冲层；在该缓冲层上形成阻挡层；发射第二激光束，以在该阻挡层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第二刻槽；在该阻挡层和该第二刻槽表面形成窗口层；发射第三激光束，以在该窗口层上蚀刻形成深入至该金属背电极层的第三刻槽。2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜电池的制备方法，其特征在于该第一激光束、 该第二激光束及该第三激光束的波长范围为248 1064nm，扫描速度为20 2000mm/sec， 调节频率为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：马续航，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：94[]