【技术实现步骤摘要】
本技术涉及led封装芯片，尤其涉及一种可提高光反射效果led灯芯片。
技术介绍
1、近年来，氮化镓基发光二极管(gan led)因具有使用寿命长、可靠性高、体积小以及功耗低等优点，在固态照明、图像显示等领域得到广泛应用。为了提高光提取效率，ganled常采用器件倒装结构，其优点是通过p型氮化镓(p-gan)表面设置的反光层能够将激发出的光直接从透明衬底发射出去，避免了正面电极对发射光的遮挡。
2、而传统的倒装led芯片常采用高反射率金属作为反光层，如铝、银等，但这些金属的反射率在白光的主要波段400-650nm的反射率并不相同，无法将所有光子反射出去，影响光子的提取效率，最终影响led芯片的光反射效果。为此，亟需提出改进方案用于解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种可提高光反射效果led灯芯片，该dbr结构应用于白光led倒装结构中作为反光层时，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光led的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
2、为达到以上目的，本技术采用的技术方案为：一种可提高光反射效果led灯芯片，包括dbr膜层，对称设在dbr膜层中部的电极扩展条，所述dbr膜层为片状体，所述dbr膜层的中部设置有焊盘电极，所述焊盘电极的中部外侧设有i to-导电层，所述i to-导电层的两端均设置有p-gan层。
3、优选的，所述电极扩展条包括有负极和正极，所述电极扩展条上的负极处于外
4、优选的，所述焊盘电极为cr/pt/au金属层蒸发制成。
5、优选的，所述电极扩展条为cr/pt/au金属层蒸发制成。
6、优选的，所述p-gan层为高阻层，所述p-gan层表面采取纹理化刻蚀。
7、优选的，所述i to-导电层为透明导电层。
8、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：于白光led倒装结构中采用dbr结构作为反光层，能够有效的提升光线的反射率，有效的提高了白光led的光提取效率，进一步的达到了提高光反射效率的目的。
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1.一种可提高光反射效果LED灯芯片，包括DBR膜层(1)，对称设在DBR膜层(1)中部的电极扩展条(3)，其特征在于，所述DBR膜层(1)为片状体，所述DBR膜层(1)的中部设置有焊盘电极(2)，所述焊盘电极(2)的中部外侧设有ITO-导电层(5)，所述ITO-导电层(5)的两端均设置有P-GaN层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述电极扩展条(3)包括有负极和正极，所述电极扩展条(3)上的负极处于外侧，所述电极扩展条(3)上的正极处于内侧。
3.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述焊盘电极(2)为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
4.根据权利要求2所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述电极扩展条(3)为Cr/Pt/Au金属层蒸发制成。
5.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果LED灯芯片，其特征在于，所述P-GaN层(4)为高阻层，所述P-GaN层(4)表面采取纹理化刻蚀。
6.根据权利要求1所述的一种可提高光反射
...【技术特征摘要】
1.一种可提高光反射效果led灯芯片，包括dbr膜层(1)，对称设在dbr膜层(1)中部的电极扩展条(3)，其特征在于，所述dbr膜层(1)为片状体，所述dbr膜层(1)的中部设置有焊盘电极(2)，所述焊盘电极(2)的中部外侧设有ito-导电层(5)，所述ito-导电层(5)的两端均设置有p-gan层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种可提高光反射效果led灯芯片，其特征在于，所述电极扩展条(3)包括有负极和正极，所述电极扩展条(3)上的负极处于外侧，所述电极扩展条(3)上的正极处于内侧。
3.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张泽元，汪孟昌，石淼，
申请(专利权)人：江西晶众腾光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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