【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种受热均匀的晶圆快速热处理炉。
技术介绍
1、在半导体工艺中，需要使用快速热处理炉对晶圆进行快速升温处理，从而实现对离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等，相比较传统的热处理方式可以大量节省热处理时间和降低生产成本。
2、现有技术中，如公开号为cn115020303b的一种晶圆的热处理装置。其中，晶圆的热处理装置包括：腔体、托盘、加热部和压力调节管路。腔体包括第一开口；托盘设置在腔体的腔室内，托盘的第一端面用于支撑晶圆；加热部与腔体连接，用于加热晶圆；压力调节管路包括真空管和泵体，真空管设置在第一开口和泵体之间，真空管上设置有第一阀门、真空规和第一压力开关，泵体用于对腔室抽真空；第一阀门用于根据真空规检测的腔室的真空度和第一压力开关检测的腔室的压力，对腔室的压力进行调节。通过压力调节管路进行压力调节，能够使腔室内形成低压环境，同时利用加热部对晶圆辐射加热，可以有效避免图形效应，优化晶圆应力，但是其在使用时，顶针始终抵触支撑于晶圆的固定位置，使得被支撑位置的受热效果和其他部分有异，从而使得晶圆各部分的受热效果不均匀，进而会降低热处理效果，存在着一定的使用缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，以解决上述
技术介绍
提出的目前市场上晶圆快速热处理炉顶针始终抵触支撑于晶圆的固定位置，使得被支撑位置的受热效果和其他部分有异，从而使得晶圆各部分的受热效果不均匀，进而会降低热处理效果的问题。
2、为实
3、还包括：支撑组件，均匀安装于托板上，所述支撑组件的上方支撑设置有晶圆，且支撑组件包括贯穿伸缩安装于托板上的支撑筒，并且支撑筒的上端伸缩连接有活动筒，而且活动筒的上端一体设置有托筒，同时托筒的下端一体设置有底板，而且底板的中心和边缘处连接有连接管，用来连接活动筒内部空腔以及支撑筒和活动筒之间腔体，且支撑筒和底板之间设置有弹力调节组件；
4、气流分散组件，安装于石英内腔体内侧，用来实现气流分散；
5、风道，固定安装于石英内腔体的底部内侧；
6、支撑件，固定安装于石英内腔体的底部内侧，用来实现对支撑筒的调节支撑；
7、气流调节组件，安装于气流分散组件的外侧，用来实现对气流的调节。
8、优选的，所述下安装座、上安装座上均开设有冷却气孔，且冷却气孔和吹风结构的位置对应设置。
9、通过采用上述技术方案，使得吹风结构吹出的风可以穿过冷却气孔，对灯管和石英内腔体进行有效散热，有效实现热处理后降温。
10、优选的，所述气流分散组件包括固定安装于石英内腔体内侧的竖直气流分散板和水平气流分散板，且竖直气流分散板和水平气流分散板两者的右端固定连接，并且气流分散组件还包括平行设置的第一石英气管、第二石英气管，同时第一石英气管位于水平气流分散板上方，而且第二石英气管朝向竖直气流分散板，所述第一石英气管、第二石英气管分别通入上方工艺气流和后侧工艺气流。
11、通过采用上述技术方案，使得竖直气流分散板和水平气流分散板可以对工艺气流进行有效分散，使得气流平稳的作用于晶圆，提高热处理效果。
12、优选的，所述风道的左右两侧分别开设有进风口和出风口结构，且进风口朝向第二石英气管，所述转轴的外侧均匀固定设置有叶片，且叶片位于风道的内侧，并且叶片和进风口位置对应设置。
13、通过采用上述技术方案，使得第二石英气管进行气体输送时，风道可以对气体进行收集和加速，从而吹动叶片，使得叶片带动转轴和托板进行旋转，实现对晶圆的角度调节。
14、优选的，所述边缘硅环的上方等角度固定设置有第二记忆金属片，且第二记忆金属片呈倾斜状，并且第二记忆金属片对晶圆进行支撑。
15、通过采用上述技术方案，使得晶圆放置于第二记忆金属片上时，可以进行临时支撑，第二记忆金属片会发生形变，从而解除对晶圆的支撑。
16、优选的，所述支撑筒和活动筒构成伸缩结构，且活动筒上端的托筒呈漏斗状结构，并且托筒贴合于晶圆的下表面。
17、通过采用上述技术方案，使得托筒可以对晶圆进行支撑，同时托筒会在晶圆重力作用下进行伸缩，从而使得连接管可以抽取活动筒中的气体，使得托筒对晶圆进行吸附，从而避免晶圆旋转时发生位置偏移。
18、优选的，所述支撑筒的下端转动连接有滚轮，且滚轮贴合于支撑件的上方进行滚动，并且支撑件上均匀开设有凹槽。
19、通过采用上述技术方案，使得托板带动支撑组件进行旋转时，可以使得支撑筒下端的滚轮沿支撑件上表面滚动，从而对支撑筒和托筒的位置高度进行调节，使得多个托筒可以对晶圆不同位置进行交替支撑，避免始终支撑同一位置而影响受热效果，进一步提高受热均匀性。
20、优选的，所述弹力调节组件包括密封滑动连接于支撑筒和托筒之间的调节环，且调节环和支撑筒的上端内壁之间连接有第一记忆金属片，并且调节环和底板之间连接有弹簧。
21、通过采用上述技术方案，当处理温度过高时，第一记忆金属片会发生形变，从而推动调节环下移，从而调节活动筒中的气压，进而减小对晶圆的吸附，避免温度过高时的吸附力影响晶圆的热处理效果。
22、优选的，所述气流调节组件包括滑动安装于竖直气流分散板和水平气流分散板之间的调节板，且竖直气流分散板、水平气流分散板和调节板上均开设有孔洞结构，并且调节板上的孔洞和竖直气流分散板、水平气流分散板上的孔洞位置对应设置，而且调节板和石英内腔体的内壁之间连接有第三记忆金属片。
23、通过采用上述技术方案，当温度过高时，第三记忆金属片会推动调节板进行滑动调节，使得调节板上的孔洞和竖直气流分散板、水平气流分散板上的孔洞逐渐重合，从而降低气流速度，进而降低托板的旋转速度。
24、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该受热均匀的晶圆快速热处理炉可以对晶圆进行旋转调节，且可以对晶圆不同位置进行交替支撑，实现晶圆的均匀受热，具体内容如下；
25、1、设置有转轴、叶片、托板和风道，当第二石英气管通入气体时，气流进入风道中后会吹动叶片，使得叶片驱动转轴进行旋转，使得转轴可以带动其上方的晶圆，从而使得晶圆可以均匀受热，提高晶圆的热处理效果；
26、2、设置有支撑筒、活动筒、托筒和支撑件，当将晶圆放置于托筒上时，托筒会带动活动筒和支撑筒进行弹性伸缩调节，使得连接管可以对活动筒中的气体进行抽取，从而降低托筒和晶圆之间的气压，进而实现对晶圆的自动吸取，而随着温度的升本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，包括稳定放置于地面上的机体（1），所述机体（1）的内侧安装有处理炉（2），且处理炉（2）的上下方均安装设置有吹风结构，并且处理炉（2）包括固定安装的下安装座（3）、上安装座（4），同时下安装座（3）、上安装座（4）的内侧设置有石英内腔体（7），且下安装座（3）、上安装座（4）两者和石英内腔体（7）之间均安装有灯管（6），并且石英内腔体（7）的内侧转动连接有转轴（8），而且转轴（8）的上端固定安装有托板（9），所述石英内腔体（7）的内侧固定设置有边缘硅环（12）；
2.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述下安装座（3）、上安装座（4）上均开设有冷却气孔（5），且冷却气孔（5）和吹风结构的位置对应设置。
3.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述气流分散组件包括固定安装于石英内腔体（7）内侧的竖直气流分散板（13）和水平气流分散板（14），且竖直气流分散板（13）和水平气流分散板（14）两者的右端固定连接，并且气流分散组件还包括平行设置的第一石英气管（15）、第二
4.根据权利要求3所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述风道（17）的左右两侧分别开设有进风口和出风口结构，且进风口朝向第二石英气管（16），所述转轴（8）的外侧均匀固定设置有叶片（801），且叶片（801）位于风道（17）的内侧，并且叶片（801）和进风口位置对应设置。
5.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述边缘硅环（12）的上方等角度固定设置有第二记忆金属片（1201），且第二记忆金属片（1201）呈倾斜状，并且第二记忆金属片（1201）对晶圆（11）进行支撑。
6.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述支撑筒（1001）和活动筒（1003）构成伸缩结构，且活动筒（1003）上端的托筒（1004）呈漏斗状结构，并且托筒（1004）贴合于晶圆（11）的下表面。
7.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述支撑筒（1001）的下端转动连接有滚轮（1002），且滚轮（1002）贴合于支撑件（18）的上方进行滚动，并且支撑件（18）上均匀开设有凹槽（1801）。
8.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述弹力调节组件包括密封滑动连接于支撑筒（1001）和托筒（1004）之间的调节环（1009），且调节环（1009）和支撑筒（1001）的上端内壁之间连接有第一记忆金属片（1008），并且调节环（1009）和底板（1005）之间连接有弹簧（1007）。
9.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述气流调节组件包括滑动安装于竖直气流分散板（13）和水平气流分散板（14）之间的调节板（19），且竖直气流分散板（13）、水平气流分散板（14）和调节板（19）上均开设有孔洞结构，并且调节板（19）上的孔洞和竖直气流分散板（13）、水平气流分散板（14）上的孔洞位置对应设置，而且调节板（19）和石英内腔体（7）的内壁之间连接有第三记忆金属片（20）。
...【技术特征摘要】
1.一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，包括稳定放置于地面上的机体（1），所述机体（1）的内侧安装有处理炉（2），且处理炉（2）的上下方均安装设置有吹风结构，并且处理炉（2）包括固定安装的下安装座（3）、上安装座（4），同时下安装座（3）、上安装座（4）的内侧设置有石英内腔体（7），且下安装座（3）、上安装座（4）两者和石英内腔体（7）之间均安装有灯管（6），并且石英内腔体（7）的内侧转动连接有转轴（8），而且转轴（8）的上端固定安装有托板（9），所述石英内腔体（7）的内侧固定设置有边缘硅环（12）；
2.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述下安装座（3）、上安装座（4）上均开设有冷却气孔（5），且冷却气孔（5）和吹风结构的位置对应设置。
3.根据权利要求1所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述气流分散组件包括固定安装于石英内腔体（7）内侧的竖直气流分散板（13）和水平气流分散板（14），且竖直气流分散板（13）和水平气流分散板（14）两者的右端固定连接，并且气流分散组件还包括平行设置的第一石英气管（15）、第二石英气管（16），同时第一石英气管（15）位于水平气流分散板（14）上方，而且第二石英气管（16）朝向竖直气流分散板（13），所述第一石英气管（15）、第二石英气管（16）分别通入上方工艺气流和后侧工艺气流。
4.根据权利要求3所述的一种受热均匀的晶圆快速热处理炉，其特征在于：所述风道（17）的左右两侧分别开设有进风口和出风口结构，且进风口朝向第二石英气管（16），所述转轴（8）的外侧均匀固定设置有叶片（801），且叶片（801）位于风道（17）的内侧，并且叶片（801）和进风口位置对应设...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文寿，周伟，康文兵，陈永红，朱炜泉，
申请(专利权)人：苏州热传道集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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