【技术实现步骤摘要】
本技术属于led封装，特别是涉及一种uv led封装结构及灯具。
技术介绍
1、uv，即紫外线，是指电磁波谱中波长从10-400nm辐射的总称。在该范围内，按照不同的波长还可以将uv细分为uva、uvb和uvc。其中uva可以应用于工业固化、光触媒等领域，uvb可以应用于医学光疗、植物生长等领域，uvc可以应用于消毒杀菌等领域。
2、uv led封装结构是以支架为底座，在其上方固定uv led芯片，并通过透镜向外辐射uv光线的一种封装器件。目前在uv led封装结构在封装技术上依然存在如何更好地优化光输出率和出光效果的痛点。
3、在实现本技术过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：目前市面上uv led封装结构的支架尺寸普遍以3535(支架承载面为边长3.5mm的正方形)和6868(支架承载面为边长6.8mm的正方形)为主，uv led芯片尺寸以1020(芯片为长2mm、宽1mm的长方形)、2020(芯片为边长为2mm的正方形)、4040(芯片为边长为4mm的正方形)和4545(芯片为边长为4.5mm的正方形)为主。对于应用在中小型功率场景下的器件，芯片需求尺寸往往较小。以1020芯片为例，目前市面上常用的与之匹配的3535支架，芯片发光面积与支架固晶区域面积比在1：30左右，支架内部空间利用率极低，支架尺寸相对于芯片尺寸过大，不适用于一些小且窄的应用场景。同时由于芯片的外形结构呈矩形，而其使用的支架及围坝呈正方形，芯片本身的出光效果在一定程度上会因受到正方形围坝的影响而大幅削弱，从而影响了uv
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，并提供一种uv led封装结构及灯具，从而解决现有技术中存在的uv led封装结构尺寸过大及光输出率低的问题。
2、为实现上述目的，本技术采用的技术方案为：
3、第一方面，本技术提供一种uv led封装结构，包括支架、导电焊盘、焊盘触点、围坝及芯片；所述支架包括相对设置的第一表面和第二表面；所述导电焊盘、所述芯片及所述围坝设于所述第一表面，所述焊盘触点设于所述第二表面；所述导电焊盘的数量为两个，所述芯片的正负极分别和两个所述导电焊盘电连接；所述焊盘触点的数量也为两个，两个所述焊盘触点分别和对应的所述导电焊盘导通；所述围坝围设于所述导电焊盘外围并凸出于所述第一表面设置；所述芯片的截面为矩形，所述支架的第一表面、第二表面和所述围坝围设的区域均为矩形，且所述支架和所述围坝的长短边分别与所述芯片的长短边对应设置。
4、进一步地，所述围坝上设有安装槽，所述安装槽由所述围坝远离所述支架的一侧表面向靠近所述支架的一侧凹陷形成，所述安装槽位于所述围坝靠近所述导电焊盘的一侧。
5、进一步地，所述uv led封装结构还包括透镜，所述透镜固定在所述安装槽内，所述安装槽的容纳区域的长宽比例为1.3～1.5：1。
6、进一步地，所述透镜为平面透镜，所述透镜的材质为石英玻璃。
7、进一步地，所述围坝围设的区域的长宽比例为1.1～1.4：1，且所述围坝围设的区域的面积和所述芯片的表面积之比为8～10：1。
8、进一步地，其中一个所述导电焊盘设有倒角结构，定义设有所述倒角结构的所述导电焊盘为负极焊盘。
9、进一步地，所述uv led封装结构还包括导热焊盘，所述导热焊盘设于所述第二表面且与所述焊盘触点间隔设置。
10、进一步地，所述支架的材质包括氮化铝、碳化硅、氮化硅或氧化铝中的一种或多种。
11、进一步地，所述围坝由金属材料制成，所述围坝靠近所述支架的一侧表面设有第一连接层，所述支架的第一表面与所述围坝对应处设有第二连接层，所述第一连接层和所述第二连接层之间设有第三连接层；所述第一连接层和所述第二连接层分别由低熔点合金材料制成，所述第三连接层由助焊剂或焊料制成。
12、第二方面，本技术还提供了一种灯具，包括如上所述的uv led封装结构。
13、根据本技术的技术方案可知，本技术的uv led封装结构及灯具，通过调整支架及围坝的外形尺寸，使支架和围坝的外形尺寸的比例更加接近于芯片的外形尺寸比例，使围坝的尺寸和芯片的出光角度完美贴合，有效提高了光输出率。同时，该比例结构的围坝和支架有利于uv led封装结构整体尺寸的进一步缩小，使其能够应用于更加狭小的尺寸空间。
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1.一种UV LED封装结构，其特征在于，包括支架、导电焊盘、焊盘触点、围坝及芯片；所述支架包括相对设置的第一表面和第二表面；所述导电焊盘、所述芯片及所述围坝设于所述第一表面，所述焊盘触点设于所述第二表面；所述导电焊盘的数量为两个，所述芯片的正负极分别和两个所述导电焊盘电连接；所述焊盘触点的数量也为两个，两个所述焊盘触点分别和对应的所述导电焊盘导通；所述围坝围设于所述导电焊盘外围并凸出于所述第一表面设置；所述芯片的截面为矩形，所述支架的第一表面、第二表面和所述围坝围设的区域均为矩形，且所述支架和所述围坝的长短边分别与所述芯片的长短边对应设置。
2.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，所述围坝上设有安装槽，所述安装槽由所述围坝远离所述支架的一侧表面向靠近所述支架的一侧凹陷形成，所述安装槽位于所述围坝靠近所述导电焊盘的一侧。
3.根据权利要求2所述的UV LED封装结构，其特征在于，还包括透镜，所述透镜固定在所述安装槽内，所述安装槽的容纳区域的长宽比例为(1.3～1.5：1)。
4.根据权利要求3所述的UV LED封装结构，其特征
5.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，所述围坝围设的区域的长宽比例为(1.1～1.4：1)，且所述围坝围设的区域的面积和所述芯片的表面积之比为(8～10：1)。
6.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，其中一个所述导电焊盘设有倒角结构，定义设有所述倒角结构的所述导电焊盘为负极焊盘。
7.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，还包括导热焊盘，所述导热焊盘设于所述第二表面且与所述焊盘触点间隔设置。
8.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，所述支架的材质包括氮化铝、碳化硅、氮化硅或氧化铝中的一种。
9.根据权利要求1所述的UV LED封装结构，其特征在于，所述围坝由金属材料制成，所述围坝靠近所述支架的一侧表面设有第一连接层，所述支架的第一表面与所述围坝对应处设有第二连接层，所述第一连接层和所述第二连接层之间设有第三连接层；所述第一连接层和所述第二连接层分别由低熔点合金材料制成，所述第三连接层由助焊剂或焊料制成。
10.一种灯具，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的UV LED封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种uv led封装结构，其特征在于，包括支架、导电焊盘、焊盘触点、围坝及芯片；所述支架包括相对设置的第一表面和第二表面；所述导电焊盘、所述芯片及所述围坝设于所述第一表面，所述焊盘触点设于所述第二表面；所述导电焊盘的数量为两个，所述芯片的正负极分别和两个所述导电焊盘电连接；所述焊盘触点的数量也为两个，两个所述焊盘触点分别和对应的所述导电焊盘导通；所述围坝围设于所述导电焊盘外围并凸出于所述第一表面设置；所述芯片的截面为矩形，所述支架的第一表面、第二表面和所述围坝围设的区域均为矩形，且所述支架和所述围坝的长短边分别与所述芯片的长短边对应设置。
2.根据权利要求1所述的uv led封装结构，其特征在于，所述围坝上设有安装槽，所述安装槽由所述围坝远离所述支架的一侧表面向靠近所述支架的一侧凹陷形成，所述安装槽位于所述围坝靠近所述导电焊盘的一侧。
3.根据权利要求2所述的uv led封装结构，其特征在于，还包括透镜，所述透镜固定在所述安装槽内，所述安装槽的容纳区域的长宽比例为(1.3～1.5：1)。
4.根据权利要求3所述的uv led封装结构，其特征在于，所述透镜为平面透镜，所述透镜的材质为石英玻璃。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭婉儿，葛鹏，李正亮，孙雷蒙，代大军，
申请(专利权)人：华引芯张家港半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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