具有自对准硅化物接触的功率器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有自对准硅化物层的改进型功率器件及其制作方法。功率器件的一个范例是垂直结构功率器件，所述器件通过至少能够基本实现自对准的硅化物（例如自对准硅化物Ｓａｌｉｃｉｄｅ）工艺，在栅区和体接触区上形成接触。范例器件还可包括一个或多个隔离侧墙，并至少基本上自对准于栅区和体接触区边缘之间。还可以通过对器件进行离子注入，并至少基本上自对准于隔离侧墙，形成所述体接触区。所述方法还可包括至少基本上自对准的硅刻蚀工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及其工艺，更具体地，本专利技术涉及功率器件及其制造。
技术介绍
功率器件，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管 (IGBT)、超结M0SFET、垂直结构双扩散金属氧化物半导体器件(VDMOS)、垂直结构金属氧化 物半导体器件(VMOS)等通常具有众多优良的器件特性，例如，较高的击穿电压，较大的安 全工作区(SOA)，较低的导通电阻等。另外，功率器件还具有较低的生产成本和较高的产量 等优点。典型的VDMOS器件(未示出)可以包括与多晶硅栅相对准的P型体区。在所述P 型体区内可以形成N+型源区和P+型体接触区。典型VDMOS的安全工作区同N+型源区的 长度成反比关系，即N+型源区的长度越短则安全工作区越大。然而，典型的N+型源区的长 度受到掩蔽工艺(例如光刻)和对准工艺的容差限制。而典型的VDMOS制造工艺中包括在其它工艺步骤之前和/或其它工艺步骤(例如 淀积、扩散、刻蚀等)之间进行多步光刻以对晶圆(wafer)进行掩蔽的步骤。因而，在传统 VDMOS器件中很难获得较大的安全工作区。因此，减少掩蔽步骤将有利于降低成本和提高产量。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件，其特征在于，包括：初始层；在所述初始层上形成的体接触区；栅区，和所述初始层被栅氧层隔开；隔离侧墙，对准于所述栅区和所述体接触区的边缘之间；栅硅化物层，形成于所述栅区之上；以及体接触硅化物层，形成于所述体接触区之上。

【技术特征摘要】
US 2009-9-11 12/557841一种功率器件，其特征在于，包括初始层；在所述初始层上形成的体接触区；栅区，和所述初始层被栅氧层隔开；隔离侧墙，对准于所述栅区和所述体接触区的边缘之间；栅硅化物层，形成于所述栅区之上；以及体接触硅化物层，形成于所述体接触区之上。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括 耦接在所述体接触硅化物层上的金属电极；半导体衬底，其中，所述初始层为形成于所述半导体衬底上的外延层； 层间介质层，与所述栅硅化物层，所述体接触硅化物层和所述金属电极接触； 在所述初始层内形成的源区；以及在所述初始层内形成的体区，至少包括所述源区和所述体接触区。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述初始层是N-型外延层，所述栅区由 多晶硅形成，所述体接触区为P+型注入区，所述体区为P-型注入区，所述源区为N+型注入区。4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述的栅区和栅硅化物层均为环形区。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述的隔离侧墙来自于二氧化硅保形层或氮化硅保形层。6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件至少为N沟道或P沟道器件中的一种， 并具有平面栅结构。7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件至少为金属氧化物半导体场效应晶体 管、绝缘栅双极性晶体管、超结金属氧化物半导体场效应晶体管、垂直双扩散金属氧化物半 导体器件或垂直结构金属氧化物半导体器件中的一种。8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅硅化物层自对准于所述隔离侧墙，并 且，所述体接触区自对准于所述隔离侧墙且所述体接触区由剂量范围为IXlO14cnT2到 IX IO16CnT2、能量范围为IOOkeV到200keV的离子注入工艺来形成。9.一种功率器件，包括 半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延层，所述外延层具有第一表面，并且内部至少包括一个 体接触区、一个源区和一个体区，其中，所述体区包括所述体接触区和所述源区； 位于所述第一表面上的栅区，其中，所述栅区被栅介质层同所述外延层隔开； 隔离侧墙，对准于所述栅区和所述体接触区的边缘之间； 栅硅化物层，形成于所述栅区之上； 体接触硅化物层，形成于所述体接触区之上；以及 耦接在所述体接触硅化物层之上的电极。10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述栅区和所述栅硅化物层在所述体接 触区周围呈环形结构。11.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件为具有平面栅结构的垂直双扩散金属氧化物半导体器件。12.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述的隔离侧墙来自于二氧化硅保形层 或氮化硅保形层，并且，所述栅硅化物层和所述体接触硅化物层自对准于所述隔离侧墙。13.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述体接触区自对准于栅区边缘和/或 隔离侧墙。14.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，在所述外延层内有沟道，所述沟道自所 述第一表面垂直延伸进入所述外延层，所述沟道的深度大于所述源区的深度，并且，沟道的 横向部分自对准于隔离侧墙。15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述体接触硅化物层位于沟道的一端， 与所述第一表面相反。16.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述沟道的侧墙和所述源区邻接，并且 所述体接触硅化物同所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德R迪斯尼，奥格杰米历克，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]