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本发明公开了一种具有自对准硅化物层的改进型功率器件及其制作方法。功率器件的一个范例是垂直结构功率器件，所述器件通过至少能够基本实现自对准的硅化物（例如自对准硅化物Ｓａｌｉｃｉｄｅ）工艺，在栅区和体接触区上形成接触。范例器件还可包括一个或多个...
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