【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结，在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
2、目前，现有的发光二极管通常在焊盘电极上的打线区域进行打线作用以外接线路。然而，现有的焊盘电极由于打线的应力大容易发生焊线异常的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管，解决了
技术介绍
中至少一个技术问题以有效提高光电效果。
2、第一方面，本专利技术提供了一种发光二极管，所述发光二极管至少包括外延结构、第二焊盘电极、第一焊盘电极；所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第二焊盘电极与所述第二半导体层电连接；第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接；其中，所述第二焊盘电极的表面具有打线区域，位于所述打线区域的至少部分第二焊盘电极的表面为凹凸结构；和/或，所述第一焊盘电极的表面具有打线区域，位于所述打线区域的至少部分第一焊盘电极的表面为凹凸结构；所述凹凸结构包括1个或多个凸起部和相对于凸起部的凹陷部。
3、第二方面，本专利技术还提供一种发光二极管，所述发光二极管至少包括外延结构、第二焊盘电极、第一
4、第三方面，本专利技术还提供一种发光装置，采用如上任一实施例所述的发光二极管。
5、本专利技术提供的发光二极管通过对焊盘电极设计凹凸结构，使得焊盘电极存在多个卸力点，可以有效减缓焊线时施加给焊盘电极和外延结构的压力，提高打线能力。
6、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘电极和/或第一焊盘电极包括主焊盘部和由主焊盘部向外延伸的扩展部，所述打线区域位于主焊盘部的部分表面或全部表面，所述凹凸结构设置于主焊盘部的部分表面或全部表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起部为多个时，多个凸起部均匀间隔分布。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部表面到凹陷部表面的高度H1介于0.5～2μm之间。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述第二焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凸起部表面到凹陷部表面的高度H1小于等于该凸起部所在的第二焊盘电极总高度H4的2/3；当所述第一焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凸起部表面到凹陷部表面的高度H1小于等于该凸起部所在的第一焊盘电极总高度H5的2/3。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述第二焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凹陷部表面到该凹陷部所在的第二焊盘
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起部为多个时，相邻凸起部之间的距离D1介于1～30μm之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部的宽度W1介于8～18μm之间。
9.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：1个或多个所述凸起部的俯视投影面积总和占所述主焊盘部的俯视投影面积的3％～70％。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部的形状包括圆台状、圆柱状、方块状、棱台状、半球状、锥状、类圆台状或类锥状。
11.根据权利要求1-10任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括一个或多个凸起层，所述凸起层位于所述第二焊盘电极和/或第一焊盘电极的凸起部下方。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层为导电材料或不导电材料，当所述凸起层为导电材料时，所述凸起层为金属导电材料或非金属导电材料。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的材料与所述凸起部的材料相同或不同。
14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起部为多个时，凸起层为多个，凸起部与凸起层一一对应，多个凸起层均匀间隔分布。
15.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的高度H3介于0.5～2μm之间。
16.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：当所述第二焊盘电极具有凸起层时，所述凸起层的高度H3小于等于该凸起层所在的第二焊盘电极总高度H4的2/3；当所述第一焊盘电极具有凸起层时，所述凸起层的高度H3小于等于该凸起层所在的第一焊盘电极总高度H5的2/3。
17.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起层为多个时，相邻凸起层之间的距离D2介于3～40μm之间。
18.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的宽度W2介于4～10μm之间。
19.根据权利要11所述的发光二极管，其特征在于：1个或多个所述凸起层的俯视投影面积总和占所述打线区域面积的3％～70％。
20.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的形状包括圆台状、圆柱状、方块状、棱台状、半球状、锥状、类圆台状或类锥状。
21.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为水平结构、倒装结构或垂直结构。
22.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
23.根据权利要求22所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极还包括由主焊盘部向外延伸的扩展部，所述扩展部的宽度小于所述主焊盘部的宽度。
24.根据权利要求22所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层为金属导电材料或非金属导电材料或不导电材料。
25.根据权利要求22所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的高度H3介于0.5～2um之间，所述凸起层的宽度W2介于4～10μm之间。
26.根据权利要求22所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的高度H3占所述第一电极总高度H7的3％～70％。
27.根据权利要求22所述的发光二极管，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘电极和/或第一焊盘电极包括主焊盘部和由主焊盘部向外延伸的扩展部，所述打线区域位于主焊盘部的部分表面或全部表面，所述凹凸结构设置于主焊盘部的部分表面或全部表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起部为多个时，多个凸起部均匀间隔分布。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部表面到凹陷部表面的高度h1介于0.5～2μm之间。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述第二焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凸起部表面到凹陷部表面的高度h1小于等于该凸起部所在的第二焊盘电极总高度h4的2/3；当所述第一焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凸起部表面到凹陷部表面的高度h1小于等于该凸起部所在的第一焊盘电极总高度h5的2/3。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述第二焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凹陷部表面到该凹陷部所在的第二焊盘电极底部的高度h2介于2～4μm之间；当所述第一焊盘电极的至少部分表面为凹凸结构时，所述凹陷部表面到该凹陷部所在的第一焊盘电极底部的高度h6介于2～4μm之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：当所述凸起部为多个时，相邻凸起部之间的距离d1介于1～30μm之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部的宽度w1介于8～18μm之间。
9.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：1个或多个所述凸起部的俯视投影面积总和占所述主焊盘部的俯视投影面积的3％～70％。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起部的形状包括圆台状、圆柱状、方块状、棱台状、半球状、锥状、类圆台状或类锥状。
11.根据权利要求1-10任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括一个或多个凸起层，所述凸起层位于所述第二焊盘电极和/或第一焊盘电极的凸起部下方。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层为导电材料或不导电材料，当所述凸起层为导电材料时，所述凸起层为金属导电材料或非金属导电材料。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述凸起层的材料与所述凸起部的材料相同或不同。
14.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡鹏杰，柯韦帆，周理评，刘胜男，刘佳玉，徐长江，侯文英，郭桓卲，彭钰仁，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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