【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于蚀刻液，具体涉及一种缓冲氧化物蚀刻液及其在栅极氧化层侧壁修饰中的应用。
技术介绍
1、功能性电子化学品指电子工业配套的专用化学品，常用于集成电路结构制造过程中的清洗和蚀刻过程；湿法清洗和蚀刻的化学品具有质量要求高、功能性强和产品精度高等要求。
2、随着集成电路的飞速发展，mos器件等工艺的尺寸也在不断减少，在晶体管中常会用到栅极氧化层来保证良好的阈值电压和电流，栅氧化层厚度的降低，增强了晶体管的电流驱动能力，提高了速度和功率特性。在工艺缩减中降低栅氧化层厚度可以有效地提高晶体管性能，然而薄的氧化层会加重电流遂穿效应并降低氧化层可靠性，同时存在缺陷的氧化层也会导致电路漏电，造成电子元器件的失效，因此对栅氧厚度和侧壁的修饰蚀刻在cmos器件制造过程中是十分重要的一道工序。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种缓冲氧化物蚀刻液及其在栅极氧化层侧壁修饰中的应用，在栅极氧化层的表面和侧壁蚀刻时，能抑制侧向过度腐蚀同时修饰侧壁形貌。
2、为了实现上述目标，本专利技术采用如下的技术方案：一种缓冲氧化物蚀刻液，按质量百分比计，蚀刻液中含有0.1-5%的氢氟酸、15-35%的氟化铵、0.01-1%的表面活性剂和0.01-2%的增稠剂，余量为水；其中表面活性剂为异构醇聚氧乙烯醚；增稠剂为对称型多元醇醚。
3、进一步地，所述的氢氟酸及氟化铵均为电子级产品。
4、进一步地，所述异构醇聚氧乙烯醚为异构辛醇聚氧乙烯醚、异构十醇聚氧乙烯醚、异构十一
5、进一步地，所述对称型多元醇醚为乙二醇醚、丙二醇醚、丁二醇醚、己二醇醚中的任意一种或几种。
6、进一步地，所述的水为超纯水
7、进一步地，蚀刻液中含有1~3%的氢氟酸、18-28%的氟化铵、0.05-0.5%的表面活性剂和0. 1-1%的增稠剂。
8、本专利技术还涉及所述蚀刻液在栅极氧化层的蚀刻和侧壁修饰中的应用。
9、本专利技术具有以下有益效果：
10、本专利技术提供的蚀刻液，通过合理调配氢氟酸和氟化铵，保证蚀刻速率的稳定，通过加入表面活性剂，既降低了蚀刻液的表面张力，同时也获得了一种低泡的药液，可以保证栅氧表面和侧壁的蚀刻清洗效果；加入增稠剂进一步增加栅氧和蚀刻液作用界面处的粘度，起到平缓局部蚀刻，修饰侧壁形貌。
11、该蚀刻液表面张力低、不易发泡，能对任意厚度的栅极氧化层的表面和侧壁进行蚀刻和形貌修饰，同时抑制侧向过度腐蚀。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，该蚀刻液中含有0.1-5%的氢氟酸、15-35%的氟化铵、0.01-1%的表面活性剂和0.01-2%的增稠剂，余量为水；其中表面活性剂为异构醇聚氧乙烯醚；增稠剂为对称型多元醇醚。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的氢氟酸及氟化铵均为电子级产品。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述异构醇聚氧乙烯醚为异构辛醇聚氧乙烯醚、异构十醇聚氧乙烯醚、异构十一醇聚氧乙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯醚中的任意一种或几种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述对称型多元醇醚为乙二醇醚、丙二醇醚、丁二醇醚、己二醇醚中的任意一种或几种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的水为超纯水。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的蚀刻液，其特征在于：蚀刻液中含有1~3%的氢氟酸、18-28%的氟化铵、0.05-0.5%的表面活性剂和0.1-1%的增稠剂。
7.权利要求1~6任意一项所述蚀刻液在栅极氧化层的蚀刻和侧壁修饰中的应用。
【技术特征摘要】
1.一种缓冲氧化物蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，该蚀刻液中含有0.1-5%的氢氟酸、15-35%的氟化铵、0.01-1%的表面活性剂和0.01-2%的增稠剂，余量为水；其中表面活性剂为异构醇聚氧乙烯醚；增稠剂为对称型多元醇醚。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的氢氟酸及氟化铵均为电子级产品。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述异构醇聚氧乙烯醚为异构辛醇聚氧乙烯醚、异构十醇聚氧乙烯醚、异构十一醇聚氧乙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯醚中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺兆波，李金航，张庭，武昊冉，许真，董攀飞，叶瑞，陈小超，陈麒，罗海燕，刘春丽，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。