【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种tin去除组合物，用于先进铜制程中金属硬掩模材料tin的去除。
技术介绍
1、随着半导体工艺制程的节点不断发展和进步，对线宽的要求越来越高，希望在进行图案转移时，保持图案的最佳工艺尺寸，因此需要一种耐干法刻蚀的硬掩膜材料进行图案转移。金属硬掩模材料tin以其优异的图案保持和轮廓控制能力，以及对low-κ材料有更好选择蚀刻性在众多材料中脱颖而出。金属硬掩模材料tin在其发挥蚀刻保护作用后需移除。在移除tin的同时，需要对其他金属材料和low-κ材料进行保护。
2、cn106226991a公开了一种用于从28/20nm图案晶片去除pvd tin硬掩膜的组合物，组合物包括过氧化物，碱，弱酸，铵盐，腐蚀抑制剂和余量的溶剂。其对pvd tin的蚀刻速率可以达到200å/min，但是大量过氧化氢存在时，w的蚀刻速率将非常大。
3、cn105874568a公开一种具有2-14范围内的ph的含水移除组合物和用于从半导体基板相对于低介电常数材料选择性移除基本上由tin、tan、tinxoy、tiw、w、或者ti或...
【技术保护点】
1.一种铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，其特征在于，包括以下质量分数的组分：40%-70%的氧化剂、1%-5%的碱性物质、0.1%-2%的羧酸盐、0.1%-4%的腐蚀抑制剂、0.1%-1%的螯合剂和余量的水，各组分质量分数之和为100%。
2.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，其特征在于，所述的氧化剂为过氧化氢、过硫酸铵、过氧化脲或过氧乙酸中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，其特征在于，所述的碱性物质为单乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、四甲基氢氧化铵、氢氧化铵或三乙胺中的一种或多种。
...【技术特征摘要】
1.一种铜钴钨兼容性好的tin去除组合物，其特征在于，包括以下质量分数的组分：40%-70%的氧化剂、1%-5%的碱性物质、0.1%-2%的羧酸盐、0.1%-4%的腐蚀抑制剂、0.1%-1%的螯合剂和余量的水，各组分质量分数之和为100%。
2.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的tin去除组合物，其特征在于，所述的氧化剂为过氧化氢、过硫酸铵、过氧化脲或过氧乙酸中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的tin去除组合物，其特征在于，所述的碱性物质为单乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、四甲基氢氧化铵、氢氧化铵或三乙胺中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的tin去除组合物，其特征在于，所述的羧酸盐为甲酸铵、乙酸铵、草酸铵、乳酸铵、酒石酸铵或柠檬酸三铵中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的铜钴钨兼容性好的tin去除组合物，其特征在于，所述腐蚀抑制剂包括腐蚀抑制剂1、腐蚀抑制剂2和腐蚀抑制剂3；所述腐...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢建，贺兆波，叶瑞，彭秋桂，汪凡杰，吴政，王亮，刘春丽，李文飞，李宇，蒋瑜瑜，
申请(专利权)人：湖北兴福电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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