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本发明公开了一种铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，包括氧化剂、碱性物质、羧酸盐、金属腐蚀抑制剂、螯合剂和去离子水。本发明的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料TiN的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于Low‑Κ材料和含Cu、Co、W的材料具有优...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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