【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体处理设备。
技术介绍
1、第三代半导体基材以氮化镓（gan）、碳化硅（sic）、氧化锌（zno）和金刚石（c）四种为代表，其具有更宽的禁带宽度、更高的抗辐射能力和更大的电子饱和漂移速率等特性，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。由于三代半导体基材生长缓慢且成本高，因此现有技术中通常采用相对廉价的基材配合三代半导体基材实施，因而以碳化硅（sic）为主的三代半导体基材厚度相应需要变薄（通常在0.8mm以下），在半导体基材领域碳化硅（sic）半导体基材也称作晶圆。
2、现有技术中的半导体基材清洗装置设置有用于固定与承载晶圆的旋转机构，并包围在旋转机构外侧的cup（或称为“防溅罩”），旋转机构的顶部为固定晶圆的载盘（或称为“旋转盘”），一般都是通过旋转盘上设置的有负压的气孔对晶圆实现吸附固定，也有通过在旋转盘上设置夹柱组件对晶圆实现夹持固定。
3、在晶圆清洗过程中，为了避免清洗液体渗入夹柱与旋转盘之间的间隙，通常会在夹柱与旋转盘之间设置密封圈，以降低夹块在未夹持晶圆的状态与夹持晶圆的状态相互切换的过程中清洗液体渗入的可能性。然而，由于密封圈是硬性固定安装在夹柱和旋转盘之间，这样势必会导致夹柱的转动阻力增加，并且密封圈的形变量也会增加，从而影响夹柱转动效率，降低了密封圈的使用寿命。
4、有鉴于此，有必要对现有技术中的半导体处理设备予以改进，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于揭示一种半导
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体处理设备，包括：定位载盘，沿纵向贯穿所述定位载盘并与所述定位载盘转动连接的至少三个夹柱单元，以及驱动多个所述夹柱单元转动以夹持或松开晶圆的控制组件；
3、所述夹柱单元包括：轴心部，配置于所述轴心部顶端的夹持部，围设于所述轴心部外侧并被夹持于所述夹持部与所述定位载盘之间的第二密封圈，所述轴心部贯穿入所述定位载盘的一端凸伸形成至少两组等间距设置的第一衔接杆，以及连接所述第一衔接杆的第二弹性件；
4、所述定位载盘内侧轴向配置环形装配座，所述环形装配座被构造出与所述第一衔接杆位置纵向对应的第二衔接杆，所述第二弹性件两端分别连接所述第一衔接杆与所述第二衔接杆并被保持为初始拉伸状态，所述第二弹性件对所述夹持部形成沿纵向向下的弹性作用力，以使所述第二密封圈被夹持于所述夹持部与所述定位载盘之间。
5、作为本专利技术的进一步改进，所述夹柱单元由夹持晶圆的状态切换至未夹持晶圆的状态的过程中，所述轴心部带动所述第一衔接杆同步转动，所述第二弹性件由初始拉伸状态进一步被拉伸；
6、所述夹柱单元由未夹持晶圆的状态切换至夹持晶圆的状态的过程中，所述轴心部带动所述第一衔接杆同步转动，进一步被拉伸的所述第二弹性件发生收缩并恢复至初始拉伸状态。
7、作为本专利技术的进一步改进，所述轴心部沿纵向向下凸伸形成防偏凸部，所述环形装配座被构造出供所述防偏凸部至少部分插入的防偏槽，所述防偏槽与所述防偏凸部转动配合。
8、作为本专利技术的进一步改进，所述半导体处理设备还包括：驱动所述定位载盘沿轴向转动的驱动单元，所述驱动单元形成与所述定位载盘同轴固定的中空驱动轴；
9、所述控制组件包括：同轴套设于所述中空驱动轴的传动盘，所述传动盘与所述中空驱动轴转动连接并驱动所述夹柱单元绕自身轴线转动，驱动所述传动盘沿第一方向转动的若干保持组件，以及形成于所述传动盘纵向内侧并驱动所述传动盘沿反向于所述第一方向的第二方向转动的放松组件；
10、所述传动盘相对于静止状态的所述定位载盘沿所述第一方向转动以驱使所述夹柱单元由未夹持晶圆的状态切换至夹持晶圆的状态，所述传动盘相对于静止状态的所述定位载盘沿所述第二方向转动以驱使所述夹柱单元由夹持晶圆的状态切换至未夹持晶圆的状态。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述轴心部靠近所述第一衔接杆的一端被构造出齿动部，所述齿动部与所述传动盘外周缘形成的齿块部啮合；
12、所述传动盘转动的同时带动所述齿块部绕轴向作圆周转动，所述齿块部与所述齿动部啮合以带动所述夹柱单元于所述定位载盘开设的安装孔内绕自身轴线转动，以使所述夹持部夹持或松开晶圆。
13、作为本专利技术的进一步改进，所述定位载盘沿轴向向下凸伸形成与所述中空驱动轴同轴固定的凸出部，所述传动盘沿轴向向上凸伸形成围设于所述凸出部外侧的传动部，所述传动部被构造出若干让位槽，所述凸出部沿径向向外凸设形成延伸入所述让位槽的凸块；
14、所述保持组件驱动所述传动盘沿所述第一方向转动以带动所述让位槽的槽壁抵持所述凸块，并驱使所述夹柱单元夹持晶圆，所述中空驱动轴驱动所述定位载盘沿所述第二方向转动，所述定位载盘将带动所述凸块同步转动，以通过所述凸块推动所述让位槽的槽壁实现驱使所述传动盘与所述定位载盘同速转动。
15、作为本专利技术的进一步改进，所述保持组件包括：配置于所述定位载盘的第一连接柱，配置于所述传动盘的第二连接柱，以及两端分别连接所述第一连接柱与所述第二连接柱的第一弹性件；
16、所述第一弹性件对所述第二连接柱形成弹性作用力以驱动所述传动盘相对于所述定位载盘沿所述第一方向转动，以驱使所述夹柱单元由未夹持晶圆的状态切换至夹持晶圆的状态。
17、作为本专利技术的进一步改进，所述传动盘沿轴向向下凸伸形成传动环，所述传动环面向所述放松组件的一侧相对于所述传动盘所在水平面凹设形成具角度的导引面；
18、所述放松组件包括：顶升单元，形成于所述中空驱动轴外侧并受控于所述顶升单元沿轴向进行升降运动的衔接环，以及配置于所述衔接环并面向所述导引面的导引件；
19、所述顶升单元驱动所述衔接环以带动所述导引件沿轴向向上运动的过程中，所述导引件与所述导引面接触以驱动所述传动环发生轴向旋转，所述传动盘以被动方式相对于所述定位载盘沿所述第二方向转动，以驱使所述夹柱单元由夹持晶圆的状态切换至未夹持晶圆的状态。
20、作为本专利技术的进一步改进，所述半导体处理设备还包括：周向围设于所述定位载盘与所述驱动单元外侧并形成容置腔的腔体机构，以及沿轴向配置于所述定位载盘内侧的风压组件；
21、所述风压组件包括：与所述定位载盘同轴固定的所述环形装配座，以及环设于所述环形装配座并形成于所述容置腔的多个风叶单元；
22、所述环形装配座随所述定位载盘转动而转动，以带动所述风叶单元绕所述定位载盘轴线旋转并推动气体于所述容置腔内沿轴向向下流动。
23、作为本专利技术的进一步改进，所述风叶单元包括：衔接块，所述衔接块底部一体成型叶片部；
24、所述环形装配座被构造出与所述衔接块外轮廓吻合的安装槽，所述衔接块活动嵌入所述安装槽并将所述叶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述夹柱单元由夹持晶圆的状态切换至未夹持晶圆的状态的过程中，所述轴心部带动所述第一衔接杆同步转动，所述第二弹性件由初始拉伸状态进一步被拉伸；
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述轴心部沿纵向向下凸伸形成防偏凸部，所述环形装配座被构造出供所述防偏凸部至少部分插入的防偏槽，所述防偏槽与所述防偏凸部转动配合。
4.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：驱动所述定位载盘沿轴向转动的驱动单元，所述驱动单元形成与所述定位载盘同轴固定的中空驱动轴；
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述轴心部靠近所述第一衔接杆的一端被构造出齿动部，所述齿动部与所述传动盘外周缘形成的齿块部啮合；
6.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述定位载盘沿轴向向下凸伸形成与所述中空驱动轴同轴固定的凸出部，所述传动盘沿轴向向上凸伸形成围设于所述凸出部外侧的传动部，所述传动部被构造出
7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述保持组件包括：配置于所述定位载盘的第一连接柱，配置于所述传动盘的第二连接柱，以及两端分别连接所述第一连接柱与所述第二连接柱的第一弹性件；
8.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述传动盘沿轴向向下凸伸形成传动环，所述传动环面向所述放松组件的一侧相对于所述传动盘所在水平面凹设形成具角度的导引面；
9.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：周向围设于所述定位载盘与所述驱动单元外侧并形成容置腔的腔体机构，以及沿轴向配置于所述定位载盘内侧的风压组件；
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述风叶单元包括：衔接块，所述衔接块底部一体成型叶片部；
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述驱动单元配置于所述容置腔内，所述驱动单元包括：轴向贯穿所述定位载盘与所述中空驱动轴内侧的背喷管；
12.根据权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，所述叶片部沿径向向内形成延伸过所述环形装配座内边缘的导风端，所述风叶单元在旋转时通过导风端将所述送风腔内气体沿轴向向下送入所述容置腔。
13.根据权利要求12所述的半导体处理设备，其特征在于，所述风压组件还包括：沿径向抵持于所述衔接块内侧端的限位环，以及贯穿所述限位环并至少部分延伸入所述衔接块或所述环形装配座的多个第一锁紧件。
14.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二衔接杆配置于所述环形装配座底部反向于所述夹柱单元的一侧，所述环形装配座被构造出供所述第二弹性件穿设的防呆槽，所述第二弹性件两端分别连接所述第一衔接杆与第二衔接杆延伸过所述齿动部的一端，所述第二弹性件随所述第一衔接杆转动而在所述防呆槽内发生伸缩。
15.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：壳体，形成于所述腔体机构周向外侧并配置于所述壳体内部的至少两组气液喷洒机构；所述气液喷洒机构包括：内外嵌套设置的第一筒体与第二筒体，穿设于所述第一筒体并固设于所述第二筒体的喷管，以及驱动所述第二筒体相对于所述第一筒体沿纵向进行升降运动以调节所述喷管高度的调节机构；
16.根据权利要求15所述的半导体处理设备，其特征在于，所述调节机构还包括：连续贯穿所述固定管与所述第二筒体的第四锁紧件，所述第四锁紧件沿自身轴线可调以抵持所述第一筒体，限制所述第二筒体相对于所述第一筒体纵向运动。
17.根据权利要求15所述的半导体处理设备，其特征在于，所述腔体机构包括：形成所述容置腔的腔体底座，同轴罩设于所述腔体底座外侧的复合罩结构，所述复合罩结构包括：内外层叠设置的至少两个内罩体，以及同轴套设于所述内罩体的外罩体；
18.根据权利要求15所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：形成于腔体机构上方并配置于所述壳体的风机过滤组件，与腔体机构连通并配置于所述壳体底部的抽气组件，配置于所述壳体侧壁的晶圆传输组件，以及配置于所述壳体内部的摄像装置与光感装置；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述夹柱单元由夹持晶圆的状态切换至未夹持晶圆的状态的过程中，所述轴心部带动所述第一衔接杆同步转动，所述第二弹性件由初始拉伸状态进一步被拉伸；
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述轴心部沿纵向向下凸伸形成防偏凸部，所述环形装配座被构造出供所述防偏凸部至少部分插入的防偏槽，所述防偏槽与所述防偏凸部转动配合。
4.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：驱动所述定位载盘沿轴向转动的驱动单元，所述驱动单元形成与所述定位载盘同轴固定的中空驱动轴；
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述轴心部靠近所述第一衔接杆的一端被构造出齿动部，所述齿动部与所述传动盘外周缘形成的齿块部啮合；
6.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述定位载盘沿轴向向下凸伸形成与所述中空驱动轴同轴固定的凸出部，所述传动盘沿轴向向上凸伸形成围设于所述凸出部外侧的传动部，所述传动部被构造出若干让位槽，所述凸出部沿径向向外凸设形成延伸入所述让位槽的凸块；
7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述保持组件包括：配置于所述定位载盘的第一连接柱，配置于所述传动盘的第二连接柱，以及两端分别连接所述第一连接柱与所述第二连接柱的第一弹性件；
8.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述传动盘沿轴向向下凸伸形成传动环，所述传动环面向所述放松组件的一侧相对于所述传动盘所在水平面凹设形成具角度的导引面；
9.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：周向围设于所述定位载盘与所述驱动单元外侧并形成容置腔的腔体机构，以及沿轴向配置于所述定位载盘内侧的风压组件；
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述风叶单元包括：衔接块，所述衔接块底部一体成型叶片部；
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述驱动单元配置于所述容置腔内，所述驱动单...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨仕品，
申请(专利权)人：苏州智程半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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