一种改善阳极极化的半导体晶圆电化学沉积设备制造技术

本发明专利技术涉及一种改善阳极极化的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域；阳极区域包阳极腔，带孔侧壁以及离子膜，阴极区域包括内腔，内腔和阳极腔之间设置的阴极补液口，内腔内有均流板，内腔外有外腔，外腔和内腔之间为溢流区，外腔的侧壁底部有阴极排液口。阳极腔内还设置有至少2个伸缩气囊，伸缩气囊伸缩过程中进气量和排气量相等。有益效果为：本申请能够解决半导体晶圆电化学沉积过程中的阳极极化问题，保持工艺腔小尺寸结构，控制技术可靠稳定，成本相对低，经济效益明显；对金属离子的传质影响小，也不会产生气泡干扰传质，在现有技术的各类工艺腔内可以直接改造，无需增加其他成本，装配效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆电化学沉积，尤其涉及一种改善阳极极化的半导体晶圆电化学沉积设备。

技术介绍

1、晶圆电化学沉积一般也叫晶圆电镀，是晶圆制造过程中重要的工艺步骤，特别是在封装过程中，主要取决于电镀能不能达到良好的效果。

2、晶圆电化学沉积设备的种类并不多，世界上仅有少数厂商能够做好，主要的厂商如泛林lam、应用材料amat、asm-nex,这些厂商的设备几乎占据的90%以上份额，设备价值和技术难度极高，针对一些特殊工艺一些厂商设计了相对廉价的设备，比如ejja、class-one以及ap&s等公司的设备。

3、参照图1，以现有技术的电化学沉积设备，采用的是旋转圆盘电极的基本原理，晶圆夹持在旋转圆盘的下方，浸入电镀液后通电旋转圆盘作为阴极，金属离子通过还原反应，沉积在晶圆的下表面。

4、晶圆电化学沉积的工艺一直以来是严格保密的，国内大致了解在晶圆电镀过程中包括使用脉冲电流、多阳极、多阴极等方法，在电镀过程中，电流分阶段提升和下降，并配合旋转、机械扰动、液体流动等采取多变的控制方式，但是，就使用离子膜的一类工艺腔内，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善阳极极化的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域，其特征在于：阳极区域包括呈圆柱状的阳极腔（3），阳极腔（3）内设置带孔侧壁（33）以及离子膜（32），离子膜（32）包裹于带孔侧壁（33）外侧，在带孔侧壁（33）与阳极腔的顶部内部暗设连通的通路，包括至少一个阳极补液通路和至少一个阳极排气通路；阴极区域包括内腔（2）和外腔（1），内腔（2）中设置有均流板（22），内腔（2）和阳极腔（3）之间设置阴极补液口（11），内腔（2）和外腔（1）之间为溢流区，外腔（1）侧壁底部设置阴极排液口（12）；阳极腔内还设置有至少2个伸缩气囊（31），伸缩气囊...

【技术特征摘要】

1.一种改善阳极极化的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域，其特征在于：阳极区域包括呈圆柱状的阳极腔（3），阳极腔（3）内设置带孔侧壁（33）以及离子膜（32），离子膜（32）包裹于带孔侧壁（33）外侧，在带孔侧壁（33）与阳极腔的顶部内部暗设连通的通路，包括至少一个阳极补液通路和至少一个阳极排气通路；阴极区域包括内腔（2）和外腔（1），内腔（2）中设置有均流板（22），内腔（2）和阳极腔（3）之间设置阴极补液口（11），内腔（2）和外腔（1）之间为溢流区，外腔（1）侧壁底部设置阴极排液口（12）；阳极腔内还设置有至少2个伸缩气囊（31），伸缩气囊（31）伸缩过程中进气量和排气量相等。

2.根据权利要求1所述的一种改善...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仕品，华斌，
申请(专利权)人：苏州智程半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：