一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括提供一半导体基底；在半导体基底的部分表面上形成金属层，金属层具有一凸起；在金属层和半导体基底的表面上共形沉积介质层，以在介质层上同步凸起形成一台阶结构；在台阶结构位置处形成研磨阻挡块；对介质层进行第一平坦化处理，以减薄研磨阻挡块两侧的介质层；湿法清洗去除研磨阻挡块；对介质层进行第二平坦化处理。在金属层有台阶结构的情况下，本发明专利技术可保证介质层的高度满足制程工艺，并提高介质层的产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、在半导体的制程工艺中，薄膜的沉积是关键的步骤之一。例如，沉积源可用来生成氧化物薄膜，这种薄膜可以作为介质层、隔离层、保护层等。在现有的半导体沉积工艺中，在金属层上形成介质层之后，需要通过化学机械研磨（cmp，chemical mechanicalpolishing）工艺进行平坦化处理。例如在现有技术中，当金属层存在台阶结构的情况时，在金属层上形成介质层后，再通过cmp工艺对介质层上表面进行平坦化处理时，则会存在金属层裸露的问题。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，可用于在对晶圆上介质层的台阶高度进行研磨处理过程中，解决存在金属层裸露的问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、本专利技术提出一种半导体结构的制备方法，包括：

4、提供一半导体基底；

5、在所述半导体基底的部分表面上形成金属层，所述金属层具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述台阶结构处形成研磨阻挡块的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述研磨阻挡层为多晶硅层，通过溴化氢的刻蚀气体，将所述介质层第一平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，将所述介质层第二平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，以在所述台阶结构位置处形成多晶硅块。

4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述将所述介质层第一平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，将所述介质层第二平面上的部分所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述台阶结构处形成研磨阻挡块的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述研磨阻挡层为多晶硅层，通过溴化氢的刻蚀气体，将所述介质层第一平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，将所述介质层第二平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，以在所述台阶结构位置处形成多晶硅块。

4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述将所述介质层第一平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，将所述介质层第二平面上的部分所述多晶硅层干法刻蚀掉，以在所述台阶结构位置处形成多晶硅块的步骤之后，包括：

5.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述研磨阻挡层为氮化钛层，通过三氯化硼的刻蚀气体，将所述介质层第一平面上的部分所述氮化钛层干法刻蚀掉，将所述介质层第二平面上的部分所述氮化钛层干法刻蚀掉...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，彭萍，谢秋姣，王涛涛，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：