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本发明提出一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括提供一半导体基底；在半导体基底的部分表面上形成金属层，金属层具有一凸起；在金属层和半导体基底的表面上共形沉积介质层，以在介质层上同步凸起形成一台阶结构；在台阶结构位置处形成研磨阻...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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