隔离电流器件制造方法技术

技术编号:4071005 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种隔离电流器件制造方法。现有的隔离电流器件体积偏大、传感灵敏度低。本发明专利技术方法先制造磁敏电桥结构,再制备一层绝缘层作为器件的电隔离层。电桥结构的电源端和电压信号输出端与焊盘之间通过用电镀工艺制备的铜柱及其之上的金属连接线连接。信号输入线圈具有双层结构,双层金属线圈通过两次金属沉积刻蚀工艺实现。线圈制备完成后沉积一层无机绝缘材料,采用绝缘聚合物为模板,电镀一层软磁屏蔽层用于屏蔽外磁场的干扰,电镀屏蔽层后沉积一层绝缘保护层及光刻形成焊盘即可完成器件的制造。利用本发明专利技术方法得到的隔离电流器件体积小、检测灵敏度好、性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于信号隔离器件制造
,涉及一种。
技术介绍
电流传感器用于探测或隔离直流、交流电流,广泛应用于工业仪表、工业过程控制 和PCB电流检查等。目前广泛采用的电流测试器件或装置主要有电流互感器、霍尔电流传 感器等。电流互感器通过主回路隔离进行检测,但它的测试频率范围窄。霍尔电流传感器 利用霍尔元件测量被测电流在铁芯气隙里的感应强度来判断被测电流大小的。霍尔元件 的体积大,能耗较高,温度特性较差。上个世纪八十年代末期,科学界发现了巨磁阻(Giant Magneto-Resistive,GMR)效应,即磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用 时存在巨大变化的现象。它产生于层状的磁性薄膜结构,这种结构是由铁磁材料和非铁磁 材料薄层交替叠合而成。铁磁材料磁矩的方向是由加到铁磁材料的外磁场控制的,磁阻的 变化正比于外磁场,从而可以实现将磁场变量转换成电量,因此,根据巨磁阻效应可以设计 一种新型巨磁阻集成电流传感器。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足,提供了一种。步骤(1)在生长有SiO2绝缘层的Si衬底上采用磁控溅射方法沉积多层膜;所述 的多层膜为巨磁电阻(GM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钱正洪
申请(专利权)人:杭州电子科技大学
类型:发明
国别省市:86

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