大量生产多个磁传感器的方法技术

大量生产在半导体基体（４）上实施的多个磁传感器（１）的方法，这些传感器（１）包含有至少一个由无定形磁性材料制作的磁芯（８）。这个方法的特征在于：在集成了与此磁传感器（１）相关联的电子线路以后，把无定形磁性材料薄膜（２２）粘结在半导体基体（４）上，这层薄膜（２２）是由无定形磁性材料的条带得到的，它被切割成许多部段（１８），这些部段相互靠着安置在一个支承板（２０）上，然后使该薄膜具有一定的结构，生成该磁传感器（１）的磁芯（８），最后对此半导体基体（４）进行切割，给出多个独立的磁传感器（１）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是。具体讲它适合于，然而却不只是适合于，专利申请EP 1 052 519中所述类型的磁传感器，这个专利是以本申请人的名义申请的。在本专利申请所附的附图说明图1中，用透视分解法表示了一种上述类型的磁传感器。这种磁传感器总体上由总体标号1表示，它装在大致为平行六面体形的半导体基体4的表面2上。与此磁传感器相关联的电子线路(未画出)通过CMOS集成在半导体基体4的大的上表面2上而实施。磁传感器1包含有一个平的激励线圈6，这个激励线圈是在CMOS集成过程中，在基体4的表面2上添加的金属层中生成的。线圈6具有一个由其基本是四方形的外圈60构成的外周边。这个激励线圈6的其他圈62到68相对于外圈60是同心安置的。圈62到68也是四方形，它们的尺寸逐渐减少，正如在图1中可以看到的。一般是通过粘结把铁磁芯8添加在激励线圈6上面。这个铁磁芯8是由目前市场上可得到的无定形磁性材料条带制作的。正如在图1中可以看到的，磁芯8为十字形状，它与由激励线圈6的外圈60所构成的四方形的两条对角线相重合。因而可以测量外部磁场HEXT的两个垂直分量H1和H2，这两个分量分别沿着磁芯8的正交分支80本文档来自技高网...

【技术保护点】
在半导体基体（４）上大量生产多个磁传感器（１）的方法，这些传感器（１）包含有至少一个由无定形磁性材料制作的磁芯（８），这个方法的特征在于：在集成了与此磁传感器（１）相关联的电子线路以后，把无定形磁性材料薄膜（２２）粘结在半导体基体（４）上，这层薄膜（２２）是由无定形磁性材料的条带得到的，它被切割成许多部段（１８），这些部段相互靠着安置在一个支承板（２０）上，然后使该薄膜具有一定的结构，以便生成该磁传感器（１）的磁芯（８），最后对此半导体基体（４）进行切割，以便给出多个独立的磁传感器（１）。

【技术特征摘要】
EP 2001-6-12 01202262.01.在半导体基体(4)上大量生产多个磁传感器(1)的方法，这些传感器(1)包含有至少一个由无定形磁性材料制作的磁芯(8)，这个方法的特征在于在集成了与此磁传感器(1)相关联的电子线路以后，把无定形磁性材料薄膜(22)粘结在半导体基体(4)上，这层薄膜(22)是由无定形磁性材料的条带得到的，它被切割成许多部段(18)，这些部段相互靠着安置在一个支承板(20)上，然后使该薄膜具有一定的结构，以便生成该磁传感器(1)的磁芯(8)，最后对此半导体基体(4)进行切割，以便给出多个独立的磁传感器(1)。2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于支承板(20)是由单面胶带构成的。3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于在粘结以前，使无定形磁性材料薄膜22具有半导体基体(4)的尺寸，该薄膜(22)用来粘结在该半导体基体(4)上。4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于为了使无定形磁性材料薄膜(22)具有与半导体基体(4)相应的尺寸，透过一个适当形状的掩膜(24)进行化学侵蚀，使得只有薄膜(22)的不受掩膜(24)保护的那些区域才被蚀刻。5.按照权利要求1到4中的任一项所述的方法，其特征在于把无定形磁性材料薄膜(22)在真空中粘结到半导体基体(4)上。6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于使无定形磁性材料薄膜(22)相对于半导体基体(4)定位，然后把它放在半导体基体的表面(2)上，接着，整个放进袋子(30)中，在袋子中做成真空，再把袋子密封，最后恢复环境大气压，环境大气压施加一个力，这个力把无定形磁性材料薄膜(22)紧贴在半导体基体(4)上。7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于在装入袋子之前，在无定形磁性材料薄膜(22)上面安置一层保护膜，以避免粘结剂(28)重新粘结。8.按照权利要求1到7中任一项所述的方法，其特征在于在粘结以后，在无定形磁性材料薄膜(22)上沉积一层正性光敏树脂(32)，然后透过光蚀掩膜(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：D皮盖，F文森特，
申请(专利权)人：阿苏拉布股份有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]