【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于前体输送的组合物、相关方法和相关系统。该组合物可特别用于稳定前体，从而与基本纯的形式的前体相比，延长了它们的储存寿命。
技术介绍
1、前体在半导体工业中用于使用各种技术形成材料层，这些技术例如化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强化学气相沉积(pe-cvd)和等离子体增强原子层沉积(pe-ald)。所用的特定前体对材料性能有很大影响。在一些情况下，可用于形成具有优异性能的层的前体不幸地具有较差的储存寿命。因此，需要增加前体储存寿命的方法。
2、本部分中阐述的问题和解决方案的任何讨论已被包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景，并且不应被认为是承认任何或所有的讨论在本专利技术做出时是已知的。
技术实现思路
1、本公开的示例性实施例涉及包含溶剂和前体的组合物、相关方法和相关系统。尽管下文更详细地讨论了本专利技术的各种实施方式解决现有方法的缺点的方式，但总体而言，本专利技术的各种实施例提供了可用于提高环硼氮烷及其衍生物的稳定性的方法。
<...【技术保护点】
1.一种包含前体和液体溶剂的组合物，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂包括离子液体。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阳离子：
4.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阴离子：CF3CO2-,N(CN)2-,C(CN3)3-,SeCN-,CuCl2,AlCl4-和ZnCl42-。
5.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含阴离子，所述阴离子选自含硼阴离子、含磷阴离子和含硫阴离子。
6.根据权利要求2或3所述的组合物，包含...
【技术特征摘要】
1.一种包含前体和液体溶剂的组合物，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂包括离子液体。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阳离子：
4.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阴离子：cf3co2-,n(cn)2-,c(cn3)3-,secn-,cucl2,alcl4-和zncl42-。
5.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含阴离子，所述阴离子选自含硼阴离子、含磷阴离子和含硫阴离子。
6.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硼阴离子，所述含硼阴离子选自bf4-,b(cn4)-,ch3bf3-,ch2chbf3-,cf3bf3-,c2f5bf3-,n-c3f7bf3-和n-c4f9bf3-。
7.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含磷阴离子，所述含磷阴离子选自pf6-和(c2f5)3pf3-。
8.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硫阴离子，所述含硫阴离子选自cf3so3-,n(so2cf3)2-,n(cocf3)(so2cf3)-,n(so2f)2-,roso3-和scn-，其中，r是c1至c20烃基。
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·罗梅罗，C·德泽拉，V·波雷，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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