【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于前体输送的组合物、相关方法和相关系统。该组合物可特别用于稳定前体，从而与基本纯的形式的前体相比，延长了它们的储存寿命。
技术介绍
1、前体在半导体工业中用于使用各种技术形成材料层，这些技术例如化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强化学气相沉积(pe-cvd)和等离子体增强原子层沉积(pe-ald)。所用的特定前体对材料性能有很大影响。在一些情况下，可用于形成具有优异性能的层的前体不幸地具有较差的储存寿命。因此，需要增加前体储存寿命的方法。
2、本部分中阐述的问题和解决方案的任何讨论已被包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景，并且不应被认为是承认任何或所有的讨论在本专利技术做出时是已知的。
技术实现思路
1、本公开的示例性实施例涉及包含溶剂和前体的组合物、相关方法和相关系统。尽管下文更详细地讨论了本专利技术的各种实施方式解决现有方法的缺点的方式，但总体而言，本专利技术的各种实施例提供了可用于提高环硼氮烷及其衍生物的稳定性的方法。
2、本文特别描述了一种包含前体和液体溶剂的组合物。前体在至少10℃到至多100℃的温度下在惰性气氛中以基本纯的形式经历自缩合和聚合中的至少一种。溶剂在20℃的温度下具有至多1.0mpa的蒸气压。
3、在一些实施例中，溶剂包括离子液体。
4、在一些实施例中，离子液体包含选自以下的阳离子：
5、
6、应当理解，x是0或1，并且r1、r2、r3和r4独
7、在一些实施例中，离子液体包含选自以下的阴离子：cf3co2-,n(cn)2-,c(cn3)3-,secn-,cucl2,alcl4-和zncl42-。
8、在一些实施例中，离子液体包括阴离子，并且阴离子选自含硼阴离子、含磷阴离子和含硫阴离子。
9、在一些实施例中，组合物包括含硼阴离子，并且含硼阴离子选自bf4-,b(cn4)-,ch3bf3-,ch2chbf3-,cf3bf3-,c2f5bf3-,n-c3f7bf3-和n-c4f9bf3-。
10、在一些实施例中，组合物包含含磷的阴离子，例如pf6-和(c2f5)3pf3-。
11、在一些实施例中，组合物包含含硫阴离子。含硫阴离子选自选自cf3so3-,n(so2cf3)2-,n(cocf3)(so2cf3)-,n(so2f)2-,roso3-和scn-，其中，r是c1至c20烃基。
12、在一些实施例中，离子液体具有根据式a)的式：
13、
14、应当理解，r1和r2是烃基。
15、在一些实施例中，r1和r2是烷基。
16、在一些实施例中，r1是甲基，r2是乙基。
17、在一些实施例中，溶剂包括液体聚合物。
18、在一些实施例中，液体聚合物是聚醚。
19、在一些实施例中，前体包括环状硅烷、固体前体和杂环化合物中的一种或多种。
20、在一些实施例中，前体包括杂环化合物，并且杂环化合物包含选自以下中的一个或多个键：硼-氮键、碳-氮键、硅-碳键和氮-硅键。
21、在一些实施例中，杂环前体还包括硅-硅键。
22、在一些实施例中，杂环化合物是环硼氮烷或环硼氮烷衍生物。
23、本文还描述了一种在前体容器中存储前体的方法。该方法包括提供前体容器。前体容器包含如本文所述的组合物。该方法还包括将组合物保持在至少10℃到至多50℃的温度下至少一周到至多一年的持续时间。
24、本文还描述了一种系统，该系统包括反应室、衬底处理系统、前体源和控制器。前体源包括本文所述的组合物。控制器布置用于使系统向反应室提供蒸气。该蒸气包括包含在组合物中的前体。
25、本文还描述了一种前体容器，其包括容纳器和本文所述的组合物。
26、通过参考附图对某些实施例的以下详细描述，这些和其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见；本专利技术不限于所公开的任何特定实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种包含前体和液体溶剂的组合物，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂包括离子液体。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阳离子：
4.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阴离子：CF3CO2-,N(CN)2-,C(CN3)3-,SeCN-,CuCl2,AlCl4-和ZnCl42-。
5.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含阴离子，所述阴离子选自含硼阴离子、含磷阴离子和含硫阴离子。
6.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硼阴离子，所述含硼阴离子选自BF4-,B(CN4)-,CH3BF3-,CH2CHBF3-,CF3BF3-,C2F5BF3-,n-C3F7BF3-和n-C4F9BF3-。
7.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含磷阴离子，所述含磷阴离子选自PF6-和(C2F5)3PF3-。
8.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硫阴离子，所述含硫阴离子选自CF3SO3-,N(SO2CF3)2-,N(CO
9.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述离子液体具有根据式a)的式：
10.根据权利要求9所述的组合物，其中，R1和R2是烷基。
11.根据权利要求10所述的组合物，其中，R1是甲基，R2是乙基。
12.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂包括液体聚合物。
13.根据权利要求12所述的组合物，其中，所述液体聚合物是聚醚。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的组合物，其中，所述前体包括环状硅烷、固体前体和杂环化合物中的一种或多种。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的组合物，其中，所述前体包含所述杂环化合物，并且其中，所述杂环化合物包含选自以下中的一个或多个键：硼-氮键、碳-氮键、硅-碳键和氮-硅键。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述杂环前体进一步包括硅-硅键。
17.根据权利要求15所述的组合物，其中，所述杂环化合物是环硼氮烷或环硼氮烷衍生物。
18.一种在前体容器中存储前体的方法，该方法包括：
19.一种系统，包括反应室、衬底处理系统、前体源和控制器；其中，
20.一种前体容器，其包含容纳器和根据权利要求1至17中任一项所述的组合物。
...【技术特征摘要】
1.一种包含前体和液体溶剂的组合物，
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂包括离子液体。
3.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阳离子：
4.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含选自以下的阴离子：cf3co2-,n(cn)2-,c(cn3)3-,secn-,cucl2,alcl4-和zncl42-。
5.根据权利要求2或3所述的组合物，其中，所述离子液体包含阴离子，所述阴离子选自含硼阴离子、含磷阴离子和含硫阴离子。
6.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硼阴离子，所述含硼阴离子选自bf4-,b(cn4)-,ch3bf3-,ch2chbf3-,cf3bf3-,c2f5bf3-,n-c3f7bf3-和n-c4f9bf3-。
7.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含磷阴离子，所述含磷阴离子选自pf6-和(c2f5)3pf3-。
8.根据权利要求2或3所述的组合物，包含含硫阴离子，所述含硫阴离子选自cf3so3-,n(so2cf3)2-,n(cocf3)(so2cf3)-,n(so2f)2-,roso3-和scn-，其中，r是c1至c20烃基。
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·罗梅罗，C·德泽拉，V·波雷，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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