System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法技术_技高网

一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法技术

技术编号:40639564 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-13 21:21
本发明专利技术公开了一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法,该方法包括将树突状细胞置于中空纳米管阵列上进行培养。本发明专利技术还提供了中空纳米管阵列用于提升树突状细胞抗原递呈的用途。本发明专利技术可作为长时间的物理机械调控树突状细胞的安全方式,还可诱导树突状细胞核发生适应性形变,诱导BMDC的自主性成熟,促进抗原交叉递呈能力,同时保持PD‑L1低水平表达。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于生物医药领域,具体涉及一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法


技术介绍

1、dc细胞(dendritic cell,树突状细胞)作为专职抗原递呈细胞,具有抗原交叉递呈功能,是机体适应性免疫应答的启动者。而dc细胞迁移、摄取、加工和递呈抗原的能力依赖于对炎症和感染信号的敏感性以及细胞成熟表型的程序性改变。为了充分发挥dc细胞的效应功能,增强t细胞激活,诱导强有力的适应性免疫反应对抗感染或肿瘤,调控dc细胞功能的主要思路有:(1)上调mhc类分子的表达以增强抗原提呈能力;(2)上调共刺激分子cd80/cd86的表达;(3)促进细胞因子il-12等的释放;(4)上调趋化因子ccr7表达以促进淋巴结迁移;(5)保持免疫抑制分子如pd-l1的低表达以减少免疫抑制。随着对dc细胞认识的深入,目前已有诸多体外调控策略,包括添加细胞因子(ifn-γ、tnf-α、il-1β)、tlr激动剂(lps、poly i:c、cpg)、sting激动剂(diabzi、adu-s100)来诱导dc成熟,成熟的dc高表达mhc类分子,以抗原肽-mhc复合物的形式构成t细胞激活的第一信号;同时上调表达协同刺激分子b7,与t细胞表面cd28分子结合,提供t细胞活化的第二信号;促进细胞因子il-12的释放成为激活t细胞的第三信号。此外,通过电穿孔、病毒转染、rna干扰技术、crispr-cas9系统等基因工程手段重编程dc以增强激活t细胞的三重信号,也是调控dc细胞的有效方式。

2、近年来,多项研究报道物理机械力会影响免疫细胞的行为和功能,包括单核细胞分化,b细胞和t细胞活化和巨噬细胞表型。因此物理机械调控或许是调控免疫细胞的全新方式。dc在组织微环境中摄取抗原后,迁移进入淋巴结激活t细胞,在此过程中,dc不断承受由组织的刚性和孔隙性引起的机械压力,而目前关于物理机械力对dc功能影响的研究尚少。物理机械力是否能成为调控dc的方式,及其与化学调控方式的区别值得探讨。

3、细胞因子和tlr激动剂诱导dc成熟表型的同时会上调免疫检查点pd-l1的表达,而pd-l1会与t细胞表面的pd-1结合,发挥免疫抑制作用,阻碍t细胞的激活。基因工程手段虽然可以对细胞进行可控的重编程,但由于dc的免疫细胞属性,并且相关研究一般采用体外诱导的原代dc细胞,电穿孔、病毒转染、rna干扰技术、crispr-cas9系统等基因工程手段在这一类细胞的效率并不高,极大地限制了重编程的有效性。

4、此外,目前常用微流控系统的瞬时挤压、afm探针的挤压、调控培养基质的硬度等方式提供机械力信号,探究物理机械-生物学的科学问题。这些方式均只提供瞬时的、被动的或者二维的调控作用,无法对细胞同时进行长时间的、主动适应性的、立体的调控。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是针对以上要解决的技术问题,提供一种长时间、主动适应性的利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法。

2、为了实现以上目的,本专利技术提供了一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法,该方法包括将树突状细胞置于中空纳米管阵列上进行培养。

3、优选地,所述中空纳米管阵列为al2o3中空纳米管阵列。

4、优选地,所述中空纳米管阵列的孔径为200nm。

5、更优选地,所述中空纳米管阵列的长度为1μm至3μm,密度为2×106/cm2至2×107/cm2。最优选地,所述中空纳米管阵列的长度为3μm,密度为2×107/cm2。

6、优选地,所述中空纳米管阵列通过以下步骤制备获得:在聚碳酸酯多孔膜上和孔内进行均匀的al2o3原子层沉积,然后去除多孔聚碳酸酯膜表面的al2o3层,再刻蚀去除裸露的聚碳酸酯表面,得到al2o3中空纳米管阵列。

7、另一方面,本专利技术还提供了中空纳米管阵列用于提升树突状细胞抗原递呈的用途。

8、另一方面,本专利技术还提供了中空纳米管阵列用于促进树突状细胞成熟的用途。

9、另一方面,本专利技术还提供了中空纳米管阵列用于促进树突状细胞成熟同时保持pd-l1低水平表达的用途。

10、另一方面,本专利技术还提供了中空纳米管阵列用于物理调控树突状细胞功能的用途。

11、另一方面,本专利技术还提供了中空纳米管阵列用于诱导树突状细胞形变的用途。

12、本专利技术通过共聚焦显微镜并结合文献调研确定了小鼠骨髓来源dc(bmdc)的形态特征后,设计并制备了不同物理参数的al2o3中空纳米管阵列(hollow nano-pillar array,hna),该纳米管阵列长度为1μm或3μm,密度为2×106/cm2或2×107/cm2,以提供不同程度的物理机械力信号,并用pdms(聚二甲基硅氧烷)制备以hna为底面的细胞培养器件(经检测,该细胞培养器件不含内毒素),该器件可用于体外诱导的小鼠骨髓来源dc(bmdc)的培养。

13、实验结果表明,bmdc可适应性生长在以hna为底面的细胞培养器件上,并可进行长时间的培养,不影响细胞活性。同时,经检测,本专利技术制备的器件均没有内毒素的积累,hna可作为长时间的物理机械调控bmdc的安全方式。hna还可诱导bmdc细胞核发生适应性形变,实现对细胞核的调控,诱导bmdc的自主性成熟,上调协同刺激分子cd40和cd86以及mhc-ii分子,并促进抗原交叉递呈能力,在促进bmdc成熟的同时依然保持pd-l1低水平表达。

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【技术保护点】

1.一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法,其特征在于,所述方法包括将树突状细胞置于中空纳米管阵列上进行培养。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列为Al2O3中空纳米管阵列。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列的长度为1μm至3μm,密度为2×106/cm2至2×107/cm2。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列的长度为3μm,密度为2×107/cm2。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列通过以下步骤制备获得:在聚碳酸酯多孔膜上和孔内进行均匀的Al2O3原子层沉积,然后去除多孔聚碳酸酯膜表面的Al2O3层,再刻蚀去除裸露的聚碳酸酯表面,得到Al2O3中空纳米管阵列。

6.中空纳米管阵列用于提升树突状细胞抗原递呈的用途。

7.中空纳米管阵列用于促进树突状细胞成熟的用途。

8.中空纳米管阵列用于促进树突状细胞成熟同时保持PD-L1低水平表达的用途。

9.中空纳米管阵列用于物理调控树突状细胞功能的用途。

10.中空纳米管阵列用于诱导树突状细胞核形变的用途。

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【技术特征摘要】

1.一种利用物理机械力提升树突状细胞抗原递呈的方法,其特征在于,所述方法包括将树突状细胞置于中空纳米管阵列上进行培养。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列为al2o3中空纳米管阵列。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列的长度为1μm至3μm,密度为2×106/cm2至2×107/cm2。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述中空纳米管阵列的长度为3μm,密度为2×107/cm2。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述中...

【专利技术属性】
技术研发人员:王骥蒋娟刘昕旻刘静谢曦
申请(专利权)人:中山大学附属第一医院
类型:发明
国别省市:

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