【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体清洗，尤其涉及一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法。
技术介绍
1、在传统的晶圆单片湿法清洗工艺中，需要在晶圆旋转过程中向其表面喷洒高温(120-150℃)磷酸液体，通过磷酸液体选择性地蚀刻去除晶圆表面的氮化硅(控制氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比)。晶圆在旋转时越靠近其边缘散热越快，故上述传统工艺无法保证晶圆表面的磷酸液体处于均衡的高温，不仅影响磷酸液体的流动性(磷酸液体的粘度与温度成反比)，还影响刻蚀的均匀性，可能造成氧化硅被过度蚀刻，无法保证工艺品质。
技术实现思路
1、基于此，针对上述技术问题，提供一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，包括：
4、在晶圆单片湿法清洗处理过程中，通过位于所述晶圆上方的加热盘对所述晶圆的表面进行加热：将所述加热盘的加热功率控制为径向由外至内递减，使所述晶圆表面各区域的化学品温度相同，所述化学品温度为160-165℃。
5、本专利技术在单片湿法清洗过程中，通过加热盘对晶圆的表面进行加热，并将加热盘的加热功率控制为径向由外至内递减，使晶圆表面各区域的化学品温度相同(160-165℃)，保证了磷酸液体的流动性和刻蚀均匀性，避免氧化硅被过度蚀刻，提升了清洗工艺的品质。
【技术保护点】
1.一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述加热盘上具有多个加热单元，所述多个加热单元径向环形布置。
3.根据权利要求2所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述将所述加热盘的加热功率控制为径向由外至内递减，进一步包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述晶圆单片湿法清洗处理包括：
5.根据权利要求4所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述加热盘设于工艺卡盘上，由工艺卡盘驱动所述加热盘和晶圆同步水平旋转。
【技术特征摘要】
1.一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述加热盘上具有多个加热单元，所述多个加热单元径向环形布置。
3.根据权利要求2所述的一种磷酸蚀刻晶圆的加热清洗方法，其特征在于，所述将所述加热盘的加热功率控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐宝国，陈新来，廖世保，蒋渊，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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