【技术实现步骤摘要】
一种非接触式晶圆清洗的控制模组化装置
[0001]本专利技术涉及晶圆清洗
,具体涉及一种非接触式晶圆清洗的控制模装置。
技术介绍
[0002]晶圆清洗,蚀刻等相关的晶圆湿法工艺,其中主要对应多种晶圆湿法工艺需求,尤其是在晶圆正反面的表面处理的动作,现今以为众多晶圆湿法工艺需求,需要晶圆正面与反面的清洗,对于晶圆的正反面清洗一般采取分段式的清洗工艺进行,此种清洗方式效率低,受分段式清洗的方式限制,工艺品质难以提高。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于,提供一种非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,解决以上技术问题;
[0004]本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0005]一种非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,包括,
[0006]晶圆清洗模组(1),所述晶圆清洗模组(1)上设有朝向设定方向的第一出气口(61),所述第一出气口(61)连接一第一气动组件,一晶圆片(11)基于所述第一出气口(61)喷出的气流可悬浮设于所述晶圆清洗模组(1)上;
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,其特征在于,包括,晶圆清洗模组(1),所述晶圆清洗模组(1)上设有朝向设定方向的第一出气口(61),所述第一出气口(61)连接一第一气动组件,一晶圆片(11)基于所述第一出气口(61)喷出的气流可悬浮设于所述晶圆清洗模组(1)上;多个用于喷出特定化学品的喷嘴机构(2),位于所述晶圆清洗模组(1)的一侧;晶圆翻片机构(3),设于所述晶圆清洗模组(1)的一侧,用于控制所述晶圆片(11)的正面或背面朝向所述晶圆清洗模组(1)放置,所述晶圆翻片机构(3)具备可旋转的机械手(35),所述机械手(35)上设有连接一第二气动装置的第二出气口(38),所述晶圆片(11)基于所述第二出气口(38)喷出的气流可悬浮附着于所述机械手(35)上。2.根据权利要求1所述的非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,其特征在于,所述晶圆清洗模组(1)包括,清洗模组壳体,所述清洗模组壳体内具备清洗模组腔体;可旋转的晶圆承载平台,设于所述清洗模组腔体内,所述晶圆承载平台内设有用于所述第一气动组件的气流通过的气道,所述晶圆承载平台上设有所述第一出气口(61),所述晶圆片(11)可悬浮设于所述晶圆承载平台上。3.根据权利要求2所述的非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,其特征在于,所述清洗模组壳体包括下壳体(41)和设于所述下壳体(41)上的上壳体(42),所述下壳体(41)具备用于回收液体化学品的多层复合腔体。4.根据权利要求2所述的非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,其特征在于,所述晶圆承载平台上还设有晶圆侦测传感器(51)。5.根据权利要求3所述的非接触式晶圆清洗的控制模组化装置,其特征在于,所述晶圆承载平台包括可旋转设于所述清洗模组腔体内的旋转支撑部(3)和与所述旋转支撑部(3)的上端可拆卸连接的卡盘(6),所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:周乾,徐铭,邓信甫,陈新来,刘大威,廖世保,
申请(专利权)人:至微半导体上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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