产线追溯方法以及激光暗标技术

本申请涉及电池生产技术领域，尤其涉及一种产线追溯方法以及激光暗标。产线追溯方法包括使用激光蚀刻初始硅片以在初始硅片上形成与自身对应的激光暗标；将带有激光暗标的初始硅片加工成目标硅片；测试目标硅片；根据测试结果筛选处于异常状态的目标硅片；根据处于异常状态的目标硅片的激光暗标定向追溯产线等步骤。本申请通过在初始硅片的表面通过激光蚀刻激光暗标，待初始硅片经多道工序加工形成目标硅片后，对目标硅片进行检测，若检测结果显示目标硅片处于异常状态，即可以通过识别激光暗标追溯并精确定位加工形成处于异常状态的目标硅片的产线，以及时对产线进行排障，缩短排障周期，降低目标硅片的返工率。降低目标硅片的返工率。降低目标硅片的返工率。

【技术实现步骤摘要】
产线追溯方法以及激光暗标


[0001]本申请涉及电池生产
，尤其涉及一种产线追溯方法以及激光暗标。

技术介绍

[0002]在硅片的制备中，为了提高产能，生产车间一般会采用几十条产线同时生产。其中，一条产线的生产流程包括激光蚀刻等工序。
[0003]由于生产规模庞大，且很难保证每个设备仅固定在一条产线中使用，使得各条产线交错，因此生产车间的生产情况较为复杂，若在对硅片测试时发现硅片存在异常情况，不能迅速追溯具体产线并排障，则可能造成大批量硅片出现异常情况。

技术实现思路

[0004]本申请公开了一种产线追溯方法以及激光暗标，其能够在发现硅片出现异常的情况下，迅速追溯加工硅片的具体产线，以及时排查故障。
[0005]为了实现上述目的，第一方面，本申请公开了一种产线追溯方法，包括：
[0006]使用激光蚀刻初始硅片以在所述初始硅片上形成与自身对应的激光暗标；
[0007]将带有所述激光暗标的所述初始硅片加工成目标硅片；
[0008]测试所述目标硅片；
[0009]根据测试结果筛选处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种产线追溯方法，其特征在于，包括：使用激光蚀刻初始硅片以在所述初始硅片上形成与自身对应的激光暗标；将带有所述激光暗标的所述初始硅片加工成目标硅片；测试所述目标硅片；根据测试结果筛选处于异常状态的所述目标硅片；根据处于异常状态的所述目标硅片的所述激光暗标定向追溯产线。2.根据权利要求1所述的产线追溯方法，其特征在于，所述使用激光蚀刻初始硅片以在所述初始硅片上形成激光暗标，包括：在所述初始硅片表面使用激光蚀刻多条细栅线；在至少部分所述细栅线的端部使用激光蚀刻形成所述激光暗标。3.根据权利要求2所述的产线追溯方法，其特征在于，所述在至少部分所述细栅线的端部使用激光蚀刻形成所述激光暗标，包括：选取目标细栅线；在所述目标细栅线的端部使用激光蚀刻形成所述激光暗标。4.根据权利要求3所述的产线追溯方法，其特征在于，所述选取目标细栅线之前，还包括：确定所述目标细栅线的数量。5.根据权利要求1所述的产线追溯方法，其特征在于，所述将带有所述激光暗标的所述初始硅片加工成目标硅片，包括：记录组成所述产线的设备的信息；将带有所述激光暗标的所述初始硅片上料至所述设备，以将所述初始硅片加工成所述目标硅片。6.根据权利要求5所述的产线追溯方法，其特征在于，采用与所述设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：周公庆，马列，刘宗刚，袁桃生，刘赖生，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：