【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体清洗，尤其涉及一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法。
技术介绍
1、晶圆在制造过程中如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成芯片内部电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效，因此，除了要排除外界的污染源外，如高温扩散、离子植入等工艺前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。
2、湿法清洗是指利用各种化学试剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，使杂质从被清除物体的表面脱附(解吸)，然后再进行冲洗，从而获得洁净表面的过程。
3、其中，在冲洗时，通过由高压和大流量的氮气将清洗液体雾化并喷出冲刷清洗晶圆表面的方式，这种方式具有良好的清洗效果和较轻微的晶圆损坏情况，可以满足28nm以上晶圆的清洗要求。但是，对于14nm及以下晶圆，其表面的图形结构变得更加复杂，也更脆弱，现有方式很容易损坏图形结构。
技术实现思路
1、基于此，针对上述技术问题，提供一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，包括：
4、在晶圆旋转过程中，向所述晶圆的表面喷洒第一清洗液，形成持续的液膜，使污染物质从所述晶圆的表面脱附至液膜中；
5、向所述晶圆的表面连续滴落由第二清洗液形成的液滴，通过所述液滴的持续冲击使液膜内部的污染物质被扬起，并随液膜的流动脱离所述晶圆，所述液滴的直径为14-30微米。
6、本专利
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1.一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述向所述晶圆的表面连续滴落由第二清洗液形成的液滴，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述喷头包括喷头本体，所述喷头本体内具有流道，所述喷头本体上具有进液口、出液口以及安装腔，所述流道具有从所述喷头本体的下端内部水平经过的水平段，所述进液口和出液口分别与所述流道的两端连接，所述安装腔位于所述水平段的上侧，所述安装腔内设有用于在所述水平段的上方施加连续的所述振动力的振动源，所述喷头本体的下端面形成与所述水平段相通的多个所述滴液孔，所述滴液孔的直径为6-30微米。
4.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述滴液孔为由上至下半径逐渐变小的锥形孔。
5.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述流道的竖向截面呈U形，所述进液口以及出液口均位于所述喷头本体的上端面。
6.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击
7.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述安装腔为从所述喷头本体的上表面向下延伸至所述水平段的盲孔，所述盲孔与所述喷头本体同心。
8.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述振动源采用外接频率发生器的压电陶瓷振动件。
9.根据权利要求3-8任一项所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述向所述晶圆的表面连续滴落由第二清洗液形成的液滴，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的一种基于液滴冲击的晶圆清洗方法，其特征在于，所述喷头包括喷头本体，所述喷头本体内具有流道，所述喷头本体上具有进液口、出液口以及安装腔，所述流道具有从所述喷头本体的下端内部水平经过的水平段，所述进液口和出液口分别与所述流道的两端连接，所述安装腔位于所述水平段的上侧，所述安装腔内设有用于在所述水平段的上方施加连续的所述振动力的振动源，所述喷头本体的下端面形成与所述水平段相通的多个所述滴液孔，所述滴液孔的直径为6-30微米。
4.根据权利要求3所述的一种基于液滴冲击的晶圆清...
【专利技术属性】
技术研发人员：张章，唐宝国，陈新来，蒋渊，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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