【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及电子器件。
技术介绍
1、在目前的mmwave aip(毫米波封装天线)技术大多是将rfic(射频集成电路)与pmic(电源管理集成电路)以并排(side by side)的方式排列于封装天线(aip)背面。具体地，如图1a所示，图1a示出了现有技术中的封装天线1的x-y截面的截面图。从图1a中可以看出，天线3并排布置在aip的基板4的正面4f上并且通过裸露在空气中的散热方式去达到散热(如图1a所示)，而诸如rf(射频)收发器的有源器件2则布置在与基板4的正面4f相对的背面4s上。此外，该封装天线1通过焊球5连接至印刷电路板6。在该封装天线1中，电磁波在空气中衰减随着频率越高衰减越大，毫米波/次太赫兹频率的空气中衰减远远大于sub-6ghz(低于等于6g的频段)，如图1d所示，图1d示出了封装天线1随着频率的衰减，其中，图1d示出的为mmwave光谱，其中，w-band表示w带宽，v-band表示v带宽。
2、对于上述问题，现有解决方法为增加天线数量和提高pa(功率放大器)输出功率，参见图1b，图1b示出了现有技术中的封装天线10的x-y截面的截面图，如图1b所示，rfic 12与pmic 11以并排的方式布置在封装天线10的基板14的背面14s上，而多个天线13同样通过并排的方式布置在与基板14的背面14s相对的正面14f上，并且在空气中或通过基板14进行散热，因此，散热问题在毫米波/次太赫兹频率日趋重要。此外，在图1b所示的封装天线中，rfic 12与pmic 11以并排方式排列在封装天线10的
3、
4、pt＝pr+gt+gr+tran.loss...(2)
5、其中，pt表示发射功率(power transmit)、pr表示接收功率(power receiver)、gt表示发射增益(gain of transmit)、gr接收增益(gain of receiver)、r表示距离(distance)、f表示频率(frequency)以及c表示光速。
6、此外，在该封装件10’中，天线13’可以在空气中去达到散热或通过基板14’进行散热。从图1c中可以看出，诸如pmic 11、rfic 12和介电钝化件15等并排设置在封装天线10所在的封装件10’的背面14s’处将增加封装件1～2倍的面积(在x-y截面中)，并且在空气中去达到散热或者使用基板散热也无法满足b5g(beyond(超过)5g)/6g更高频率的需求。因此，如何能够在减少封装件在x-y截面中的尺寸的情况下又能够满足b5g/6g更高频率的散热需求，是目前需要克服的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本申请的一些实施例提供了一种电子器件，包括：晶片堆叠结构，包括第一晶片、第二晶片以及设置在所述第一晶片和所述第二晶片之间的散热层；以及第一天线和第二天线，所述第一天线和所述第二天线分别设置在所述晶片堆叠结构的相对两端，其中，所述散热层用以分散所述第一晶片和所述第二晶片产生的热并且提供所述第一天线和所述第二天线之间的隔离度。
2、在一些实施例中，该电子器件还包括：热元件，设置在所述第二晶片的侧处并且连接至所述散热层。
3、在一些实施例中，所述热元件围绕所述第二晶片。
4、在一些实施例中，所述热元件包括彼此间隔开的多个部分。
5、在一些实施例中，该电子器件还包括：导电元件，设置在所述晶片堆叠结构周围并且包括设置在所述第一晶片周围的第一导电元件和设置在所述第二晶片周围的第二导电元件。
6、在一些实施例中，所述第二导电元件比所述热元件更远离所述第二晶片。
7、在一些实施例中，所述第二导电元件包括彼此间隔开的多个部分并且围绕所述热元件，其中，所述热元件用以阻隔所述第二晶片与所述第二导电元件之间的干扰。
8、在一些实施例中，在所述俯视图中，所述第一晶片和所述第二晶片的投影在所述散热层的投影的范围内。
9、在一些实施例中，在所述俯视图中，所述热元件的投影在所述散热层的投影的范围内并且离散地设置在所述第一晶片或所述第二晶片周围。
10、在一些实施例中，该电子器件还包括：电路结构，与所述散热层相邻并且与所述散热层间隔开，其中，所述导电元件连接至所述电路结构。
11、在一些实施例中，在俯视图中，所述电路结构为连续的环形形状并且包围所述散热层，其中，在俯视图中，所述导电元件的投影离散地设置在所述电路结构的投影的范围内。
12、在一些实施例中，所述第一晶片的背面附接至所述散热层，并且所述第一晶片通过所述接合引线电连接至所述电路结构。
13、在一些实施例中，所述第二晶片的背面附接至所述散热层，并且所述第二晶片通过所述接合引线电连接至所述电路结构。
14、在一些实施例中，所述第一晶片和所述第一天线设置在所述散热层的一侧，其中，所述电子器件还包括：信号线，设置在所述第一天线周围，其中，在俯视图中，所述信号线从所述第一晶片延伸横跨所述散热层延伸至所述电路结构。
15、在一些实施例中，所述信号线连接至所述第一晶片周围的第一导电元件。
16、在一些实施例中，所述第二晶片和所述第二天线设置在所述散热层的一侧，其中，所述电子器件还包括：信号线，设置在所述第二天线周围，其中，在俯视图中，所述信号线从所述第二晶片延伸横跨所述散热层延伸至所述电路结构。
17、在一些实施例中，所述信号线连接至所述第二晶片周围的第二导电元件。
18、在一些实施例中，所述第一晶片为电源管理集成电路。
19、在一些实施例中，述第二晶片为射频集成电路。
20、在一些实施例中，所述第一天线包括端射天线。
21、本技术通过将晶片堆叠结构以3d垂直整合方式排列并且连接在较厚且大的金属层的相对表面上，利用金属易导热的效果，通过热通孔将热分散至封装件之外。此外，由于较厚且大的金属层可提升第一天线和第二天线之间的隔离度，第二晶片也可经由热元件达到好的屏蔽/隔离效果，从而减少干扰/被干扰的问题。综上，本申请提供的电子器件可应用于改善b5g/6g的散热问题。
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1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述热元件围绕所述第二晶片。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述热元件包括彼此间隔开的多个部分。
5.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第二导电元件比所述热元件更远离所述第二晶片。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述第二导电元件包括彼此间隔开的多个部分并且围绕所述热元件，其中，所述热元件用以阻隔所述第二晶片与所述第二导电元件之间的干扰。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，在俯视时，所述第一晶片和所述第二晶片的投影在所述散热层的投影的范围内。
9.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，在俯视时，所述热元件的投影在所述散热层的投影的范围内并且离散地设置在所述第一晶片或所述第二晶片周围。
10.根据权利要求5所述的电子器件，其特
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述热元件围绕所述第二晶片。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述热元件包括彼此间隔开的多个部分。
5.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述第二导电元件比所述热元件更远离所述第二晶片。
7.根据权利要求6所述的电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：何承谕，谢孟伟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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