【技术实现步骤摘要】
实施方式大体涉及存储装置以及存储装置的制造方法。
技术介绍
1、已知使用具有动态地可变的电阻的元件来存储数据的存储装置。存储装置被要求正确地存储以及读出数据。
技术实现思路
1、一个实施方式涉及的存储装置包括：第1铁磁性层；上述第1铁磁性层上的第1绝缘层；上述第1绝缘层上的第2铁磁性层；第1氧化物，其遍及上述第1铁磁性层的侧面上、上述第1绝缘层的侧面上以及上述第2铁磁性层的侧面上而扩展；第2氧化物，其覆盖上述第1铁磁性层、上述第1绝缘层以及上述第2铁磁性层，具备氧化镁、氧化铝、氧化硅或者碱土金属氧化物；以及上述第2氧化物上的硅氮化物。
【技术保护点】
1.一种存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的装置，
3.根据权利要求1所述的装置，
4.根据权利要求1所述的装置，
5.根据权利要求1所述的装置，还具备：
6.根据权利要求1所述的装置，还具备：
7.一种存储装置，具备：
8.根据权利要求7所述的装置，
9.根据权利要求7所述的装置，
10.根据权利要求7所述的装置，还具备：
11.根据权利要求7所述的装置，还具备：
12.一种存储装置的制造方法，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，
14.根据权利要求12所述的方法，还包括：
15.根据权利要求12所述的方法，
16.根据权利要求12所述的方法，
17.根据权利要求16所述的方法，
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的装置，
3.根据权利要求1所述的装置，
4.根据权利要求1所述的装置，
5.根据权利要求1所述的装置，还具备：
6.根据权利要求1所述的装置，还具备：
7.一种存储装置，具备：
8.根据权利要求7所述的装置，
9.根据权利要求7所述的装置，
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