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本发明提供存储装置以及存储装置的制造方法。一个实施方式涉及的存储装置包括：第1铁磁性层；第1铁磁性层上的第1绝缘层；第1绝缘层上的第2铁磁性层；第1氧化物，其遍及第1铁磁性层的侧面上、第1绝缘层的侧面上以及第2铁磁性层的侧面上地扩展；第2氧...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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