【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频，尤其涉及一种推挽功率放大电路及射频前端模组。
技术介绍
1、射频功率放大器广泛用于通讯、广播、雷达、工业加工、医疗仪器和科学研究等领域。目前，随着5g通信系统的发展,由于推挽功率放大器可满足频率更高和qam调制更高阶的需求，从而在射频前端中得到广泛应用。推挽功率放大器的设计指标通常包括输出功率、损耗、效率、增益、带宽以及线性度等。特别是其损耗和效率一直是被关注的焦点，推挽功率放大器的功率损耗成为衡量功放运行效率的一项重要性能指标，对于整个通信系统起着至关重要的作用。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种推挽功率放大电路及射频前端模组，解决推挽功率放大电路的损耗过大的问题。
2、一种推挽功率放大电路，包括第一推挽功率放大器和第二推挽功率放大器；
3、所述第一推挽功率放大器包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管和第一阻抗转换电路，所述第一阻抗转换电路包括第一巴伦；
4、所述第二推挽功率放大器包括第三差分放大晶体管、第四差分放大晶体管和第二阻抗转换电路，所述第二阻抗转换电路包括第二巴伦；
5、所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第二巴伦包括第三绕组和第四绕组；
6、所述第二绕组的第一端被配置为输入或输出射频信号，所述第二绕组的第二端与所述第四绕组的第一端连接，所述第四绕组的第二端耦合至接地端；
7、所述第一绕组的第一端与所述第一差分放大晶体管连接，所述第一绕组的第二端与所述第二差分放
8、所述第一阻抗转换电路和所述第二阻抗转换电路被配置为使所述第一差分放大晶体管的输出端、所述第二差分放大晶体管的输出端、所述第三差分放大晶体管的输出端和所述第四差分放大晶体管的输出端之间阻抗平衡。
9、进一步地，所述第一阻抗转换电路和所述第二阻抗转换电路被配置为使所述第一差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第二差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第三差分放大晶体管的输出端阻抗和所述第四差分放大晶体管的输出端阻抗相同。
10、进一步地，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量不同。
11、进一步地，所述第二绕组呈现的电感量大于所述第四绕组呈现的电感量。
12、进一步地，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量的差值等于或者小于所述第四绕组呈现的电感量的百分之二十。
13、进一步地，所述第一阻抗转换电路包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一绕组的中点连接，所述第一电容的第二端接地。
14、进一步地，所述第二阻抗转换电路包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第三绕组的中点连接，所述第二电容的第二端接地，其中，所述第二电容的电容值与所述第一电容的电容值不同。
15、进一步地，所述推挽功率放大电路还包括第三电容和第四电容，所述第三电容的第一端耦合至所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第三电容的第二端耦合至所述第二差分放大晶体管的输出端；所述第四电容的第一端耦合至所述第三差分放大晶体管的输出端，所述第四电容的第二端耦合至所述第四差分放大晶体管的输出端；其中，所述第三电容的电容值和所述第四电容的电容值不同。
16、进一步地，所述第三电容的电容值大于所述第四电容的电容值。
17、进一步地，所述第一巴伦的第二绕组的第一端被配置为接收射频输入信号，并输出第一射频信号至所述第一差分放大晶体管的输入端，输出第二射频信号至所述第二差分放大晶体管的输入端，输出第三射频信号至所述第三差分放大晶体管的输入端，以及输出第四射频信号至所述第四差分放大晶体管的输入端，其中，所述第一射频信号的相位为第一相位，所述第二射频信号的相位为第二相位，所述第三射频信号的相位为第二相位，所述第四射频信号的相位为第三相位。
18、进一步地，所述第一差分放大晶体管的输入端被配置为输入第一射频信号，所述第一差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第一射频放大信号至所述第一巴伦的第一绕组的第一端；所述第二差分放大晶体管的输入端被配置为输入第二射频信号，所述第二差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第二射频放大信号至所述第一巴伦的第一绕组的第二端；
19、所述第三差分放大晶体管的输入端被配置为输入第三射频信号，所述第三差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第三射频放大信号至所述第二巴伦的第三绕组的第一端；所述第四差分放大晶体管的输入端被配置为输入第四射频信号，所述第三差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第四射频放大信号至所述第二巴伦的第三绕组的第二端；
20、其中，所述第一射频信号的相位为第一相位，所述第二射频信号的相位为第二相位，所述第三射频信号的相位为第二相位，所述第四射频信号的相位为第三相位。
21、进一步地，所述第一差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极为所述第一差分放大晶体管的输入端，所述第一差分放大晶体管的集电极为所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极为所述第二差分放大晶体管的输入端，所述第二差分放大晶体管的集电极为所述第二差分放大晶体管的输出端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地；所述第三差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第三差分放大晶体管的基极为所述第三差分放大晶体管的输入端，所述第三差分放大晶体管的集电极为所述第三差分放大晶体管的输出端，所述第三差分放大晶体管的发射极接地；所述第四差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第四差分放大晶体管的基极为所述第四差分放大晶体管的输入端，所述第四差分放大晶体管的集电极为所述第四差分放大晶体管的输出端，所述第四差分放大晶体管的发射极接地。
22、一种射频前端模组，包括基板，设置在所述基板上的推挽功率放大芯片，以及设置在所述基板上的第一阻抗转换电路和第二阻抗转换电路；
23、所述推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第三差分放大晶体管和第四差分放大晶体管；
24、所述第一阻抗转换电路包括第一巴伦，所述第二阻抗转换电路包括第二巴伦；
25、所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第二巴伦包括第三绕组和第四绕组；
26、所述第一差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第一焊盘连接，所述第一焊盘与所述第一绕组的第一端连接；所述第二差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第二焊盘连接，所述第二焊盘与所述第一绕组的第二端连接；所述第三差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第三焊盘连接，所述第三焊盘与所述第三绕组的第一端连接；所述第四差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第四本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一推挽功率放大器和第二推挽功率放大器；
2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一阻抗转换电路和所述第二阻抗转换电路被配置为使所述第一差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第二差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第三差分放大晶体管的输出端阻抗和所述第四差分放大晶体管的输出端阻抗相同。
3.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量不同。
4.如权利要求3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量大于所述第四绕组呈现的电感量。
5.如权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量的差值等于或者小于所述第四绕组呈现的电感量的百分之二十。
6.如权利要求1或3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一阻抗转换电路包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一绕组的中点连接，所述第一电容的第二端接地。
7.如权利要求6所述的推挽功率放大电路，其
8.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第三电容和第四电容，所述第三电容的第一端耦合至所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第三电容的第二端耦合至所述第二差分放大晶体管的输出端；所述第四电容的第一端耦合至所述第三差分放大晶体管的输出端，所述第四电容的第二端耦合至所述第四差分放大晶体管的输出端；其中，所述第三电容的电容值和所述第四电容的电容值不同。
9.如权利要求8所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第三电容的电容值大于所述第四电容的电容值。
10.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦的第二绕组的第一端被配置为接收射频输入信号，并输出第一射频信号至所述第一差分放大晶体管的输入端，输出第二射频信号至所述第二差分放大晶体管的输入端，输出第三射频信号至所述第三差分放大晶体管的输入端，以及输出第四射频信号至所述第四差分放大晶体管的输入端，其中，所述第一射频信号的相位为第一相位，所述第二射频信号的相位为第二相位，所述第三射频信号的相位为第二相位，所述第四射频信号的相位为第三相位。
11.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管的输入端被配置为输入第一射频信号，所述第一差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第一射频放大信号至所述第一巴伦的第一绕组的第一端；所述第二差分放大晶体管的输入端被配置为输入第二射频信号，所述第二差分放大晶体管的输出端被配置为输出放大后的第二射频放大信号至所述第一巴伦的第一绕组的第二端；
12.如权利要1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极为所述第一差分放大晶体管的输入端，所述第一差分放大晶体管的集电极为所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极为所述第二差分放大晶体管的输入端，所述第二差分放大晶体管的集电极为所述第二差分放大晶体管的输出端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地；所述第三差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第三差分放大晶体管的基极为所述第三差分放大晶体管的输入端，所述第三差分放大晶体管的集电极为所述第三差分放大晶体管的输出端，所述第三差分放大晶体管的发射极接地；所述第四差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第四差分放大晶体管的基极为所述第四差分放大晶体管的输入端，所述第四差分放大晶体管的集电极为所述第四差分放大晶体管的输出端，所述第四差分放大晶体管的发射极接地。
13.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板，设置在所述基板上的推挽功率放大芯片，以及设置在所述基板上的第一阻抗转换电路和第二阻抗转换电路；
...【技术特征摘要】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一推挽功率放大器和第二推挽功率放大器；
2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一阻抗转换电路和所述第二阻抗转换电路被配置为使所述第一差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第二差分放大晶体管的输出端阻抗、所述第三差分放大晶体管的输出端阻抗和所述第四差分放大晶体管的输出端阻抗相同。
3.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量不同。
4.如权利要求3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量大于所述第四绕组呈现的电感量。
5.如权利要求4所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二绕组呈现的电感量与所述第四绕组呈现的电感量的差值等于或者小于所述第四绕组呈现的电感量的百分之二十。
6.如权利要求1或3所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一阻抗转换电路包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述第一绕组的中点连接，所述第一电容的第二端接地。
7.如权利要求6所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第二阻抗转换电路包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第三绕组的中点连接，所述第二电容的第二端接地，其中，所述第二电容的电容值与所述第一电容的电容值不同。
8.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述推挽功率放大电路还包括第三电容和第四电容，所述第三电容的第一端耦合至所述第一差分放大晶体管的输出端，所述第三电容的第二端耦合至所述第二差分放大晶体管的输出端；所述第四电容的第一端耦合至所述第三差分放大晶体管的输出端，所述第四电容的第二端耦合至所述第四差分放大晶体管的输出端；其中，所述第三电容的电容值和所述第四电容的电容值不同。
9.如权利要求8所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第三电容的电容值大于所述第四电容的电容值。
10.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦的第二绕组的第一端被配置为接收射频输入信号，并输出第一射频信号至...
【专利技术属性】
技术研发人员：戎星桦，曹原，刘双，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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