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射频功率放大器、射频前端模组制造技术

技术编号:41284530 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:33
本申请提供了一种射频功率放大器、射频前端模组,射频功率放大器包括承载件以及变压器;承载件包括层叠设置的接地层以及多个金属层,相邻金属层之间设有间隔,变压器包括电磁耦合的第一线圈和第二线圈;第一线圈至少包括第一金属线、第二金属线以及第一导电柱,第一导电柱连接第一金属线与第二金属线;第二线圈至少包括第三金属线、第四金属线以及第二导电柱,第二导电柱连接第三金属线与第四金属线;第一线圈在预设平面上的投影所围合的区域,与第二线圈在预设平面上的投影所围合的区域至少部分重合,预设平面与接地层所在的平面相交。可以降低或消除接地层对第一线圈和第二线圈的磁通的阻碍,减小变压器的损耗,以提高射频功率放大器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频,尤其涉及一种射频功率放大器、射频前端模组


技术介绍

1、随着新一代信息技术飞速发展,各项细分领域的技术也在不断地更新和进步,对射频功率放大器的各项性能指标也面临更高的要求。射频功率放大器(pa,poweramplifier)中,通常采用多层金属层实现高q值的变压器设计,相关技术的变压器一般在不同金属层上各自设置独立的线圈,不同金属层上的线圈进行平面耦合,此类变压器的损耗较大,不利于提高射频功率放大器的性能。


技术实现思路

1、本申请提供了一种射频功率放大器、射频前端模组,能够减小射频功率放大器中变压器的损耗,以提高射频功率放大器的性能。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种射频功率放大器,所述射频功率放大器包括承载件以及变压器;所述承载件包括层叠设置的接地层以及多个金属层,相邻所述金属层之间设有间隔,所述变压器包括电磁耦合的第一线圈和第二线圈;

3、所述第一线圈至少包括第一金属线、第二金属线以及第一导电柱,所述第一金属线与所述第二金属线形成于不同的所述金属层,所述第一导电柱贯穿所述第一金属线所在金属层与所述第二金属线所在金属层之间的间隔,且连接所述第一金属线与所述第二金属线;

4、所述第二线圈至少包括第三金属线、第四金属线以及第二导电柱,所述第三金属线与所述第四金属线形成于不同的所述金属层,所述第二导电柱贯穿第三金属线所在金属层与所述第四金属线所在金属层之间的间隔,且连接所述第三金属线与所述第四金属线;

5、其中,所述第一线圈在预设平面上的投影所围合的区域,与所述第二线圈在所述预设平面上的投影所围合的区域至少部分重合,所述预设平面与所述接地层所在的平面相交。

6、第二方面,本申请实施例提供了一种射频前端模组,所述射频前端模组包括前述的射频功率放大器。

7、第三方面,本申请实施例提供了一种电子设备,所述电子设备包括前述的射频功率放大器和/或射频前端模组。

8、本申请实施例提供的射频功率放大器、射频前端模组,射频功率放大器包括承载件以及变压器;承载件包括层叠设置的接地层以及多个金属层,相邻金属层之间设有间隔,变压器包括电磁耦合的第一线圈和第二线圈;第一线圈至少包括第一金属线、第二金属线以及第一导电柱,第一金属线与第二金属线形成于不同的金属层,第一导电柱贯穿第一金属线所在金属层与第二金属线所在金属层之间的间隔,且连接第一金属线与第二金属线;第二线圈至少包括第三金属线、第四金属线以及第二导电柱,第三金属线与第四金属线形成于不同的金属层,第二导电柱贯穿第三金属线所在金属层与第四金属线所在金属层之间的间隔,且连接第三金属线与第四金属线;其中,第一线圈在预设平面上的投影所围合的区域,与第二线圈在预设平面上的投影所围合的区域至少部分重合,预设平面与接地层所在的平面相交,也就是第一线圈和第二线圈的磁通方向与所述接地层所在的平面不垂直,相较于第一线圈和第二线圈的磁通方向与接地层所在的平面垂直的相关技术,本申请通过在射频功率放大器的承载件形成变压器,以及设置变压器的第一线圈和第二线圈的磁通方向与接地层所在的平面不垂直,例如该磁通方向与接地层所在的平面平行,可以降低或消除接地层对第一线圈和第二线圈的磁通的阻碍,从而可以减小变压器的损耗,以提高射频功率放大器的性能。

9、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请实施例的公开内容。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括承载件以及变压器;所述承载件包括层叠设置的接地层以及多个金属层,相邻所述金属层之间设有间隔,所述变压器包括电磁耦合的第一线圈和第二线圈;

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述预设平面与所述接地层所在的平面之间的角度大于60度。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述预设平面与所述接地层所在的平面之间的角度为90度。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一线圈从第一端至第二端的走向,与所述第二线圈从第一端至第二端的走向,至少部分平行。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线与所述第三金属线形成于相同的所述金属层,所述第二金属线与所述第四金属线形成于另一相同的所述金属层;

6.根据权利要求5所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一线圈的匝数为多匝,至少一个所述第三金属线位于相邻两匝所述第一线圈的第一金属线之间,和/或

7.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线与所述第三金属线形成于不同的所述金属层,且在垂直于所述接地层的方向上,所述第一金属线的投影与所述第三金属线的投影至少部分重合;和/或

8.根据权利要求7所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线包括设置在所述第三金属线远离所述第四金属线一侧的外侧第一金属线,所述第二金属线包括设置在所述第四金属线远离所述第三金属线一侧的外侧第二金属线,所述第一导电柱至少包括连接所述外侧第一金属线和所述外侧第二金属线的外侧第一导电柱;和/或

9.根据权利要求8所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线包括所述外侧第一金属线和所述内侧第一金属线,所述第二金属线包括所述外侧第二金属线和所述内侧第二金属线的情况下,所述第一导电柱还包括连接所述外侧第一金属线和所述内侧第二金属线的连接导电柱,和/或连接所述内侧第一金属线和所述外侧第二金属线的连接导电柱。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一线圈包括第一子线圈和所述第一子线圈连接的第二子线圈,所述第一子线圈与所述第二子线圈的走向至少部分相同;所述第二线圈在所述预设平面上的投影所围合的区域位于所述第一子线圈在所述预设平面上的投影所围合的区域内;所述第二子线圈在所述预设平面上的投影所围合的区域位于所述第二线圈在所述预设平面上的投影所围合的区域内。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器还包括第一射频功率放大电路和第二射频功率放大电路;

12.一种射频前端模组,其特征在于,所述射频前端模组包括如权利要求1至11中任一项所述的射频功率放大器。

...

【技术特征摘要】

1.一种射频功率放大器,其特征在于,所述射频功率放大器包括承载件以及变压器;所述承载件包括层叠设置的接地层以及多个金属层,相邻所述金属层之间设有间隔,所述变压器包括电磁耦合的第一线圈和第二线圈;

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述预设平面与所述接地层所在的平面之间的角度大于60度。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述预设平面与所述接地层所在的平面之间的角度为90度。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一线圈从第一端至第二端的走向,与所述第二线圈从第一端至第二端的走向,至少部分平行。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线与所述第三金属线形成于相同的所述金属层,所述第二金属线与所述第四金属线形成于另一相同的所述金属层;

6.根据权利要求5所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一线圈的匝数为多匝,至少一个所述第三金属线位于相邻两匝所述第一线圈的第一金属线之间,和/或

7.根据权利要求1-4中任一项所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一金属线与所述第三金属线形成于不同的所述金属层,且在垂直于所述接地层的方向上,所述第一金属线的投影与所述第三金属线的投影至少部分重合;和/或

8.根据权利要求7所述的射频功率放大器,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:王远波曹原雷永俭倪建兴
申请(专利权)人:锐石创芯深圳科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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