【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频通信，尤其涉及一种射频前端模组和电子设备。
技术介绍
1、随着模块集成度越来越高，对射频前端模组的集成度也提出了前所未有的挑战，为了实现高集成度和高性价比，可以通过设计宽带功率放大器对多个频带的射频信号进行功率放大。但是由于基带输出信号通常为窄带信号，需要在基带与功率放大器之间加入cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺的单刀多掷开关对基带输出的信号进行选择，引入了不同的工艺，一定程度降低了集成度，不利于芯片布局，还会增加成本。而如果采用多个窄带的功率放大器分别对不同频带的信号进行处理，也会增加成本和布局难度。
技术实现思路
1、本申请提供了一种射频前端模组和电子设备，能够降低射频前端模组的布局难度和成本。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括：
3、至少两个第一线圈，所述第一线圈用于接收待处理信号，且不同的所述第一线圈对应的待处理信号的信号频
【技术保护点】
1.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈接收的待处理信号为基带芯片输出的信号。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈与所述第二线圈的匝数比的范围为[1:1,2:1]。
4.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈均设置在所述第二线圈的同一侧，至少两个所述第一线圈中的至少一个所述第一线圈与所述第二线圈的一部分电磁耦合，至少两个所述第一线圈中的至少另一个所述第一线圈与所述第二线圈的另一部分电磁耦合。
...【技术特征摘要】
1.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈接收的待处理信号为基带芯片输出的信号。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈与所述第二线圈的匝数比的范围为[1:1,2:1]。
4.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈均设置在所述第二线圈的同一侧，至少两个所述第一线圈中的至少一个所述第一线圈与所述第二线圈的一部分电磁耦合，至少两个所述第一线圈中的至少另一个所述第一线圈与所述第二线圈的另一部分电磁耦合。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈间隔设置，所述第二线圈设置在其中两个所述第一线圈之间，其中两个所述第一线圈均与所述第二线圈耦合。
6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功率放大器包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管的输入端与所述第二线圈的第一端连接，所述第一放大晶体管的输出端用于输出放大处理后的射频信号；
7.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功率放大器包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管，所述第一差分放大晶体管的第一端与所述第二线圈的第一端连接，所述第二差分放大晶体管的第一端与所述第二线圈的第二端连接；所述第一差分放大晶体管的第二端和所述第二差分放大晶体管的第二端用于输出差分放大的射频信号；
8.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少一个所述第一线圈与所述第二线圈形成于所述射频前端模组的同一金属层，和/或
9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，与所述第二线圈形成于不同金属层的第一线圈，向所述第二线圈所在金属层的投影，至少部分与所述第二线圈重合。
10.根据权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海兵，胡自洁，杜兴宇，濮天鸿，何森航，方信维，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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