【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频通信，尤其涉及一种射频前端模组和电子设备。
技术介绍
1、随着模块集成度越来越高，对射频前端模组的集成度也提出了前所未有的挑战，为了实现高集成度和高性价比，可以通过设计宽带功率放大器对多个频带的射频信号进行功率放大。但是由于基带输出信号通常为窄带信号，需要在基带与功率放大器之间加入cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺的单刀多掷开关对基带输出的信号进行选择，引入了不同的工艺，一定程度降低了集成度，不利于芯片布局，还会增加成本。而如果采用多个窄带的功率放大器分别对不同频带的信号进行处理，也会增加成本和布局难度。
技术实现思路
1、本申请提供了一种射频前端模组和电子设备，能够降低射频前端模组的布局难度和成本。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括：
3、至少两个第一线圈，所述第一线圈用于接收待处理信号，且不同的所述第一线圈对应的待处理信号的信号频段不同；
4、第二线圈，所述第二线圈与各所述第一线圈电磁耦合，以在任一所述第一线圈接收待处理信号时输出对应频段的射频信号；
5、第一功率放大器，所述第一功率放大器与所述第二线圈连接，用于对所述第二线圈输出的射频信号进行放大处理。
6、第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括前述的射频前端模组。
7、本申请实施例提供的射频前端模组和电子设备，射频
8、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请实施例的公开内容。
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1.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈接收的待处理信号为基带芯片输出的信号。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈与所述第二线圈的匝数比的范围为[1:1,2:1]。
4.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈均设置在所述第二线圈的同一侧，至少两个所述第一线圈中的至少一个所述第一线圈与所述第二线圈的一部分电磁耦合，至少两个所述第一线圈中的至少另一个所述第一线圈与所述第二线圈的另一部分电磁耦合。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈间隔设置，所述第二线圈设置在其中两个所述第一线圈之间，其中两个所述第一线圈均与所述第二线圈耦合。
6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功率放大器包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管的输入端与所述第二线圈的第一端连接，所述第一放大晶体管的输出端用于输出放大处理后的射频信号；
7.根据
8.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少一个所述第一线圈与所述第二线圈形成于所述射频前端模组的同一金属层，和/或
9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，与所述第二线圈形成于不同金属层的第一线圈，向所述第二线圈所在金属层的投影，至少部分与所述第二线圈重合。
10.根据权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈形成于不同金属层，且形成所述第二线圈的金属层，位于两个各自形成所述第一线圈的金属层之间。
11.根据权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二线圈的线宽大于所述第一线圈的线宽，至少一个所述第一线圈的长度大于所述第二线圈的长度；
12.根据权利要求1-11中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二线圈至少包括第一线圈段和第二线圈段，且所述第一线圈段的第一端与所述第二线圈段的第一端连接，所述第一线圈段的第二端与所述第二线圈段的第二端连接。
13.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，至少一个所述第一线圈的至少部分线圈段设置在所述第一线圈段和所述第二线圈段之间。
14.根据权利要求13所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈段和所述第二线圈段形成于同一金属层，与所述第二线圈形成于同一金属层的第一线圈，至少部分线圈段设置在所述第一线圈段和所述第二线圈段之间。
15.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，与所述第二线圈形成于同一金属层的第一线圈包括第三线圈段、第四线圈段和第五线圈段，所述第四线圈段设置在所述第一线圈段和所述第二线圈段之间；所述第三线圈段的第一端用于接收待处理信号，所述第三线圈段的第二端通过第一跳线与所述第四线圈段的第一端连接，所述第四线圈段的第二端通过第二跳线与所述第五线圈段的第一端连接，所述第五线圈段的第二端接地。
16.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈形成于不同金属层；
17.根据权利要求1-11中任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括：
18.根据权利要求17所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一匹配电路包括第一巴伦，所述第一巴伦包括相互耦合的第一初级线圈和第一次级线圈；
19.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至18中任一项所述的射频前端模组。
...【技术特征摘要】
1.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈接收的待处理信号为基带芯片输出的信号。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一线圈与所述第二线圈的匝数比的范围为[1:1,2:1]。
4.根据权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈均设置在所述第二线圈的同一侧，至少两个所述第一线圈中的至少一个所述第一线圈与所述第二线圈的一部分电磁耦合，至少两个所述第一线圈中的至少另一个所述第一线圈与所述第二线圈的另一部分电磁耦合。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈间隔设置，所述第二线圈设置在其中两个所述第一线圈之间，其中两个所述第一线圈均与所述第二线圈耦合。
6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功率放大器包括第一放大晶体管，所述第一放大晶体管的输入端与所述第二线圈的第一端连接，所述第一放大晶体管的输出端用于输出放大处理后的射频信号；
7.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一功率放大器包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管，所述第一差分放大晶体管的第一端与所述第二线圈的第一端连接，所述第二差分放大晶体管的第一端与所述第二线圈的第二端连接；所述第一差分放大晶体管的第二端和所述第二差分放大晶体管的第二端用于输出差分放大的射频信号；
8.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少一个所述第一线圈与所述第二线圈形成于所述射频前端模组的同一金属层，和/或
9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，与所述第二线圈形成于不同金属层的第一线圈，向所述第二线圈所在金属层的投影，至少部分与所述第二线圈重合。
10.根据权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述第一线圈与所述第二线圈...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海兵，胡自洁，杜兴宇，濮天鸿，何森航，方信维，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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