【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频，尤其涉及一种功率放大器及射频前端模组。
技术介绍
1、射频功率放大器广泛用于通讯、广播、雷达、工业加工、医疗仪器和科学研究等领域。目前，随着智能移动终端和5g技术的普及，为了使射频功率放大器在5g应用中实现有效的传输信号，必须保证射频功率放大器的阻抗匹配。然而，在设计射频功率放大器时为了满足阻抗匹配的性能指标，往往会导致挽功率放大电路的带宽性能变差，因此，如何在实现推挽功率放大器的阻抗匹配时，保证挽功率放大电路的带宽性能成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种功率放大器及射频前端模组，解决功率放大器的带宽性能较差的问题。
2、一种功率放大器，包括第一放大晶体管、第一lc谐振电路、第二电感和第一巴伦，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一放大晶体管的输出端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端耦合至所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端接地或者接供电端，所述第二绕组的第一端被配置为输出射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端；所述第一lc谐振电路的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第一lc谐振电路的第二端接地。
3、进一步地，所述第一lc谐振电路的谐振频率区间为[1.2f0,2.4f0],且所述第一lc谐振电路和所述第二电感被配置为使得所述功率放大器的二阶谐波阻抗的虚部值区间为[1j,5j]。
4、进一步地，所述第一lc谐振电路的谐振频率区间为[1.8f0,2.2f0],
5、进一步地，所述功率放大器的工作频段为高频段时，所述第二电感的电感值区间为[0.05纳亨,0.15纳亨]。
6、进一步地，所述功率放大器的工作频段为中频段时，所述第二电感的电感值区间为[0.05纳亨,0.25纳亨]。
7、进一步地，所述第一lc谐振电路包括串联连接的第一电容和第一电感。
8、进一步地，所述第一电容和所述第二电感被配置为参与所述功率放大器的基波阻抗匹配。
9、进一步地，所述第一电容和所述第二电感被配置为使得所述第一放大晶体管输出端的阻抗小于等于5欧姆。
10、进一步地，所述功率放大器还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第二电容的第二端与所述第一绕组的第一端连接。
11、进一步地，所述第一巴伦的所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比区间为[1:1,3:1]。
12、进一步地，所述第一巴伦的所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比区间为[1.5:1,2.5:1]。
13、进一步地，所述功率放大器还包括第三电感，所述第三电感的第一端与所述第二电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与供电电源端连接。
14、进一步地，所述第三电感的电感值大于1.2纳亨。
15、进一步地，所述功率放大器还包括第三电感，所述第三电感的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第三电感的第二端与供电电源端连接。
16、进一步地，所述第三电感的电感值大于1.6纳亨。
17、一种射频前端模组，包括基板以及设置在所述基板上的第一芯片和第一巴伦，所述第一芯片包括第一放大晶体管和第一电容；所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组；
18、所述第一放大晶体管的输出端与所述第一芯片的第一焊盘连接，所述第一焊盘引线键合至所述基板上的第二焊盘，所述第二焊盘耦合至所述第一绕组的第一端；所述第二焊盘还引线键合至所述第一芯片的第三焊盘，所述第三焊盘与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端接地或者接供电端；所述第一绕组的第二端接地，所述第二绕组的第一端被配置为输出射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端。
19、进一步地，所述第一放大晶体管的输出端与所述第一芯片的第四焊盘连接，所述第四焊盘引线键合至所述基板上的供电电源端。
20、进一步地，所述射频前端模组还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述基板上的第二焊盘连接，所述第二电容的第二端与所述第一绕组的第一端连接；
21、或者，所述第二电容的第一端与所述第一绕组的第二端连接，所述第二电容的第二端与接地端连接。
22、进一步地，所述第二电容为smd电容。
23、一种射频前端模组，所述射频前端模组包括基板以及设置在所述基板上的第一芯片和第一巴伦，所述第一芯片包括第一放大晶体管、第一电容和第二电容；所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组；
24、所述第一放大晶体管的输出端与所述第一芯片的第一焊盘连接，所述第一焊盘引线键合至所述第一芯片上的第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述第一芯片的第三焊盘连接，所述第三焊盘引线键合至接地端；
25、所述第二焊盘还与所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端与所述第一芯片的第四焊盘连接，所述第四焊盘与所述第一绕组的第一端连接，所述第一绕组的第二端接地或者接供电端，所述第二绕组的第一端被配置为输出或者输入射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端。
26、上述功率放大器，包括第一放大晶体管、第一lc谐振电路、第二电感和第一巴伦，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一放大晶体管的输出端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端耦合至所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端接地或者接供电端，所述第二绕组的第一端被配置为输出射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端；所述第一lc谐振电路的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第一lc谐振电路的第二端接地；本申请由第二电感和第一lc谐振电路组成的第一匹配网络与第一巴伦共同参与功率放大器的阻抗转换，以实现阻抗匹配，不但可以改善功率放大器的带宽性能，特别是基波阻抗的带宽性能，还能通过调整第一lc谐振电路的谐振频率点，以使得功率放大器随频率变化，其阻抗变化量较小，谐波阻抗更收敛，从而实现在更宽频带范围内，谐波抑制性能更好，进而使得功率放大器可支持更大的带宽。
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1.一种功率放大器，其特征在于，包括第一放大晶体管、第一LC谐振电路、第二电感和第一巴伦，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一放大晶体管的输出端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端耦合至所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端接地或者接供电端，所述第二绕组的第一端被配置为输出射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端；所述第一LC谐振电路的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第一LC谐振电路的第二端接地。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一LC谐振电路的谐振频率区间为[1.2f0,2.4f0]，所述第一LC谐振电路和所述第二电感被配置为使得所述功率放大器的二阶谐波阻抗的虚部值区间为[1j,5j]。
3.如权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一LC谐振电路的谐振频率区间为[1.8f0,2.2f0]，所述第一LC谐振电路和所述第二电感被配置使得所述功率放大器的二阶谐波阻抗的虚部值区间为[2j,4j]。
4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的工作频段为高频段时，所述第二
5.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的工作频段为中频段时，所述第二电感的电感值区间为[0.05纳亨,0.25纳亨]。
6.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一LC谐振电路包括串联连接的第一电容和第一电感。
7.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电感被配置为参与所述功率放大器的基波阻抗匹配。
8.如权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电感被配置为使得所述第一放大晶体管输出端的阻抗小于等于5欧姆。
9.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第二电容的第二端与所述第一绕组的第一端连接。
10.如权利要求9所述的功率放大器，其特征在于，所述第一巴伦的所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比区间为[1:1,3:1]。
11.如权利要求9所述的功率放大器，其特征在于，所述第一巴伦的所述第二绕组和所述第一绕组的匝数比区间为[1.5:1,2.5:1]。
12.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第三电感，所述第三电感的第一端与所述第二电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与供电电源端连接。
13.如权利要求12所述的功率放大器，其特征在于，所述第三电感的电感值大于1.2纳亨。
14.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第三电感，所述第三电感的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第三电感的第二端与供电电源端连接。
15.如权利要求14所述的功率放大器，其特征在于，所述第三电感的电感值大于1.6纳亨。
16.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括基板以及设置在所述基板上的第一芯片和第一巴伦，所述第一芯片包括第一放大晶体管和第一电容；所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组；
17.如权利要求16所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一放大晶体管的输出端与所述第一芯片的第四焊盘连接，所述第四焊盘引线键合至所述基板上的供电电源端。
18.如权利要求16所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述基板上的第二焊盘连接，所述第二电容的第二端与所述第一绕组的第一端连接；
19.如权利要求16所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二电容为SMD电容。
20.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括基板以及设置在所述基板上的第一芯片和第一巴伦，所述第一芯片包括第一放大晶体管、第一电容和第二电容；所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组；
...【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，包括第一放大晶体管、第一lc谐振电路、第二电感和第一巴伦，所述第一巴伦包括第一绕组和第二绕组，所述第一放大晶体管的输出端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端耦合至所述第一绕组的第一端，所述第一绕组的第二端接地或者接供电端，所述第二绕组的第一端被配置为输出射频信号，所述第二绕组的第二端接地或者接供电端；所述第一lc谐振电路的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第一lc谐振电路的第二端接地。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一lc谐振电路的谐振频率区间为[1.2f0,2.4f0]，所述第一lc谐振电路和所述第二电感被配置为使得所述功率放大器的二阶谐波阻抗的虚部值区间为[1j,5j]。
3.如权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述第一lc谐振电路的谐振频率区间为[1.8f0,2.2f0]，所述第一lc谐振电路和所述第二电感被配置使得所述功率放大器的二阶谐波阻抗的虚部值区间为[2j,4j]。
4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的工作频段为高频段时，所述第二电感的电感值区间为[0.05纳亨,0.15纳亨]。
5.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器的工作频段为中频段时，所述第二电感的电感值区间为[0.05纳亨,0.25纳亨]。
6.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一lc谐振电路包括串联连接的第一电容和第一电感。
7.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电感被配置为参与所述功率放大器的基波阻抗匹配。
8.如权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电容和所述第二电感被配置为使得所述第一放大晶体管输出端的阻抗小于等于5欧姆。
9.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第二电容，所述第二电容的第一端与所述第二电感的第二端连接，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹原，赖晓蕾，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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