【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种功率放大器和射频前端模组。
技术介绍
1、在射频技术中，当射频前端模组中的功率放大器的输出功率增大时，功率放大器会出现增益幅度和相位幅度的恶化，从而导致功率放大器的线性性能恶化和附加功率效率降低。
技术实现思路
1、本申请提供了一种功率放大器和射频前端模组，解决了相关技术中功率放大器的输出功率增大导致功率放大器的线性性能恶化和附加功率效率降低的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种功率放大器，所述功率放大器包括：功率放大电路，所述功率放大电路包括第一耦合器、第一放大器和第二放大器，所述第一耦合器用于连接所述第一放大器与所述第二放大器；第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一主偏置单元和第一辅偏置单元，所述第一主偏置单元的第一端与所述第一辅偏置单元的第一端分别连接于所述第一放大器的输入端；所述第一耦合器包括第一信号端口、隔离端口、第二信号端口和第三信号端口，所述第一耦合器被配置为对输入至所述第一信号端口的射频输入信号进行分路，并通过所述第一耦合器的第二信号端口与第三信号端口输出第一射频信号与第二射频信号，其中，所述第一射频信号的相位与所述第二射频信号的相位相差90度，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第一辅偏置单元；其中，所述第一耦合器用于将所述隔离端口的第一反射功率耦合至所述第一辅偏置单元，以当所述第一反射功率达到预设的功率阈值时，导通所述第一辅偏置单元。
3、上述功率放大器，通过利用第一耦合器将第一反射功率耦合至第一辅偏置单元，以
4、第二方面，本申请还提供了一种功率放大器，所述功率放大器包括：功率放大电路，所述功率放大电路包括第一耦合器、第一放大器、第二放大器和第二耦合器，所述第一耦合器用于连接所述第一放大器以及所述第二放大器的输入端，所述第二耦合器用于连接所述第一放大器以及所述第二放大器的输出端连接；第一偏置电路，所述第一偏置电路包括第一主偏置单元和第一辅偏置单元，所述第一主偏置单元的第一端与所述第一辅偏置单元的第一端分别连接于所述第一放大器的输入端，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第一辅偏置单元；所述第一耦合器用于将第一反射功率耦合至所述第一辅偏置单元，以当所述第一反射功率达到预设的功率阈值时，导通所述第一辅偏置单元；第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二主偏置单元和第二辅偏置单元，所述第二主偏置单元的第一端与所述第二辅偏置单元的第一端分别连接于所述第二放大器的输入端，所述第二耦合器的隔离端口连接至所述第二辅偏置单元；所述第二耦合器用于将第二反射功率耦合至所述第二辅偏置单元，以当所述第二反射功率达到所述功率阈值时，导通所述第二辅偏置单元。
5、上述功率放大器，通过利用第一耦合器将第一反射功率耦合至第一辅偏置单元，以使第一辅偏置单元在第一反射功率达到功率阈值时导通，可以实现控制第一辅偏置单元向第一放大器输出偏置电流，由于反射功率随功率放大器的输出功率增大而增大，因此可以在功率放大器的输出功率增大到当第一反射功率达到预设的功率阈值时，控制第一辅偏置单元导通，由第一辅偏置单元和第一主偏置单元共同输出偏置电流至第一放大器，可以及时对第一放大器补充偏置电流，从而可以改善第一放大器的增益幅度和相位幅度出现恶化的问题，同时还可以改善第一放大器的线性性能，进而提高功率放大器的附加功率效率和优化功率放大器的线性度。通过利用第二耦合器将第二反射功率耦合至第二辅偏置单元，以使第二辅偏置单元在第二反射功率达到功率阈值时导通，可以实现控制第二辅偏置单元向第二放大器输出偏置电流，由于第二反射功率随功率放大器的输出功率增大而增大，因此可以在功率放大器的输出功率增大到当第二反射功率达到预设的功率阈值时，控制第二辅偏置单元导通，由第二辅偏置单元和第二主偏置单元共同输出偏置电流至第二放大器，可以及时对第二放大器补充偏置电流，从而可以改善第二放大器的增益幅度和相位幅度出现恶化的问题，同时还可以改善第二放大器的线性性能，进而提高功率放大器的附加功率效率和优化功率放大器的线性度。
6、第三方面，本申请还提供了一种射频前端模组，所述射频前端模组包括上述的功率放大器。
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1.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率阈值与所述功率放大器的线性功率回退点相关联。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，在所述功率放大器的线性功率回退-5dBm-0dBm时，所述第一反射功率达到所述功率阈值。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二主偏置单元和第二辅偏置单元，所述第二主偏置单元的第一端与所述第二辅偏置单元的第一端分别连接于所述第二放大器的输入端，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第二辅偏置单元；其中，所述第一耦合器用于将所述隔离端口的第一反射功率耦合至所述第二辅偏置单元，以当所述第一反射功率达到所述功率阈值时，导通所述第二辅偏置单元。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大电路还包括第二耦合器，所述第二耦合器包括第一信号端口、第二信号端口、第三信号端口和隔离端口；
7.根据
8.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第二耦合器为正交耦合器，所述第二耦合器被配置为对输入所述第二耦合器的第二信号端口的第三射频信号与输入所述第二耦合器的第三信号端口的第四射频信号进行组合，并通过所述第二耦合器的第一信号端口输出组合得到的射频输出信号，其中，所述第三射频信号的相位与所述第四射频信号的相位相差90度。
9.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一电阻与第二电阻，所述第一电阻的第一端连接于所述第一耦合器的隔离端口，所述第一电阻的第二端接地，所述第二电阻的第一端连接于所述第二耦合器的隔离端口，所述第二电阻的第二端接地。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一辅偏置单元包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端与所述第一放大器的输入端连接，所述第一偏置晶体管的第二端与第一供电端连接，所述第一偏置晶体管的第三端与偏置信号源端口连接；
11.根据权利要求10所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端为源极，所述第一偏置晶体管的第二端为漏极，所述第一偏置晶体管的第三端为栅极；
12.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一移相器，所述第一移相器的第一端与所述第一耦合器的隔离端口连接，所述第一移相器的第二端与所述第一辅偏置单元连接，所述第一移相器被配置为调整所述第一反射功率的相位。
13.根据权利要求12所述的功率放大器，其特征在于，所述第一移相器包括第三电阻和电容，所述第三电阻的第一端与所述第一耦合器的隔离端口连接，所述第三电阻的第二端与所述电容的第一端连接，所述电容的第二端与所述第一辅偏置单元连接。
14.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器为多尔蒂放大器，所述第一放大器为载波放大器，所述第二放大器为峰值放大器。
15.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器为平衡式放大器。
16.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：
17.根据权利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述第一辅偏置单元包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端与所述第一放大器的输入端连接，所述第一偏置晶体管的第二端与第一供电端连接，所述第一偏置晶体管的第三端与偏置信号源端口连接，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第一偏置晶体管的第一端，或者，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第一偏置晶体管的第三端；
18.根据权利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一移相器与第二移相器，所述第一移相器的第一端与所述第一耦合器的隔离端口连接，所述第一移相器的第二端与所述第一辅偏置单元连接，所述第一移相器被配置为调整所述第一反射功率的相位；
19.根据权利要求16所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一芯片，所述功率放大电路、所述第一偏置电路以及所述第二偏置电路均设置在所述第一芯片上。
20.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频...
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率阈值与所述功率放大器的线性功率回退点相关联。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，在所述功率放大器的线性功率回退-5dbm-0dbm时，所述第一反射功率达到所述功率阈值。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二主偏置单元和第二辅偏置单元，所述第二主偏置单元的第一端与所述第二辅偏置单元的第一端分别连接于所述第二放大器的输入端，所述第一耦合器的隔离端口连接至所述第二辅偏置单元；其中，所述第一耦合器用于将所述隔离端口的第一反射功率耦合至所述第二辅偏置单元，以当所述第一反射功率达到所述功率阈值时，导通所述第二辅偏置单元。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大电路还包括第二耦合器，所述第二耦合器包括第一信号端口、第二信号端口、第三信号端口和隔离端口；
7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二主偏置单元和第二辅偏置单元，所述第二主偏置单元的第一端与所述第二辅偏置单元的第一端分别连接于所述第二放大器的输入端，所述第二耦合器的隔离端口连接至所述第二辅偏置单元；
8.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第二耦合器为正交耦合器，所述第二耦合器被配置为对输入所述第二耦合器的第二信号端口的第三射频信号与输入所述第二耦合器的第三信号端口的第四射频信号进行组合，并通过所述第二耦合器的第一信号端口输出组合得到的射频输出信号，其中，所述第三射频信号的相位与所述第四射频信号的相位相差90度。
9.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一电阻与第二电阻，所述第一电阻的第一端连接于所述第一耦合器的隔离端口，所述第一电阻的第二端接地，所述第二电阻的第一端连接于所述第二耦合器的隔离端口，所述第二电阻的第二端接地。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一辅偏置单元包括第一偏置晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端与所述第一放大器的输入端连接，所述第一偏置晶体管的第二端与第...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖晓蕾，黄嘉林，洪慧君，曹原，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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